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新洁能取得IGBT结构及其制作方法专利，提高了IGBT结构的可靠性

作者：几度温暖
2024-03-13 08:52:31
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金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种IGBT结构及其制作方法“，授权公告号CN110061047B，申请日期为2019年5月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种IGBT结构，包括集电极金属，集电极金属上依次设置有第一导电类型集电极区、第二导电类型缓冲层和第二导电类型外延层，第二导电类型外延层上间隔设置有沟槽，每个沟槽的底部均设置有第一导电类型阱区，相邻两个沟槽之间的第二导电类型的外延层内设置第二导电类型载流子存储层，第二导电类型载流子存储层的表面设置第一导电类型体区，第一导电类型体区的表面设置第二导电类型源区和第一导电类型源区，沟槽的侧壁设置有导电多晶硅，沟槽的底部、导电多晶硅的表面以及第二导电类型外延层的表面均设置有绝缘介质层。本发明还公开了一种IGBT结构的制作方法。本发明提供的IGBT结构提高了可靠性。

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