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金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，科大国盾量子技术股份有限公司取得一项名为“硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片“，授权公告号CN109962770B，申请日期为2017年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构及其封装结构，芯片结构包括第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器，第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器首尾相连，号光从第一强度调制器进入，偏振调制器的输出端作为芯片结构的输出端，所述第一强度调制器和第二强度调制器结构相同，包括第一光分束器、两路第一硅基移相器以及光合束器，第一光分束器通过两路第一硅基移相器分别连接到光合束器。本发明相比现有技术具有以下优点本发明具有与CMOS工艺兼容、成本低、系统结构简单、集成度高、测试简单、易于封装等优点。
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国盾量子取得硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片专利，专利技术能实现与CMOS工艺兼容、成本...
金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，科大国盾量子技术股份有限公司取得一项名为“硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片“，授权公告号CN109962770B，申请日期为2017年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构及其封装结构，芯片结构包括第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器，第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器首尾相连，号光从第一强度调制器进入，偏振调制器的输出端作为芯片结构的输出端，所述第一强度调制器和第二强度调制器结构相同，包括第一光分束器、两路第一硅基移相器以及光合束器，第一光分束器通过两路第一硅基移相器分别连接到光合束器。本发明相比现有技术具有以下优点本发明具有与CMOS工艺兼容、成本低、系统结构简单、集成度高、测试简单、易于封装等优点。
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