天籁无寂
2021年9月1日上市,688711宏微科技,江苏宏微科技股份有限公司目前市值130.14亿元,2022年三季度营业收入6.148亿元,净利润0.6125亿元,研究经费0.4144亿元。所属行业半导体-分立器件。
主营产品从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案。
1)发明专利新型IGBT器件及其制备方法 申请号CN202211057626.7 申请日2022年8月30日 技术效果本发明通过设置通道层,能够将整个器件分为上下层,以保证上层电流沟道部分开启、下层电流沟道全部开启,从而能够避免常规结构沟道下方只有部分区域开启造成的漂移区电流集中的现象,进而能够增强器件的可靠性。
2)实用专利一种冷却装置及功率半导体模块 申请号CN202123396660.0 申请日2021年12月30日 技术效果本发明解决了现有技术中位于冷却液流动路径首端和末端的功率器件被冷却效果差异大,使得位于末端的功率器件热流密度过大而失效的技术问题。
3)实用专利一种散热装置及功率半导体模块 申请号CN202123387724.0 申请日2021年12月30日 技术效果所述冷却液对所述发热件进行散热动作,解决了现有技术中冷却流道设置为直通型,冷却液的流动速度随着其行走路径增加而不断减弱,导致冷却液对不同位置功率模块的冷却效果不一样,使得功率模块之间的温差大的技术问题。
4)发明专利一种新型的多面散热功率半导体模块 申请号CN202111616668.5 申请日2021年12月27日 技术效果本发明提供的新型的多面散热功率半导体模块,采用多面以及埋入冷媒的方式来进行散热,大大提升了散热性能,并且去除了金属丝键合,可提升功率半导体模块的可靠性,以及减少寄生电感和开关损耗。
5)实用专利一种新型的多面散热功率半导体模块 申请号CN202123314987.9 申请日2021年12月27日 技术效果本实用新型提供的多面散热功率半导体模块,采用多面以及埋入冷媒的方式来进行散热,大大提升了散热性能,并且去除了金属丝键合,可提升功率半导体模块的可靠性,以及减少寄生电感和开关损耗。
6)实用专利功率半导体模块 申请号CN202123321442.0 申请日2021年12月27日 技术效果本实用新型能够通过模块的灌封层面进行辅助散热,从而能够提高模块的散热效率,并且通过灌封层封装模块,无需另外增加盖板对模块进行防护,从而能够节省组件、以及简化组装步骤。
7)发明专利功率半导体模块 申请号CN202111616619.1 申请日2021年12月27日 技术效果本发明能够通过模块的灌封层面进行辅助散热,从而能够提高模块的散热效率,并且通过灌封层封装模块,无需另外增加盖板对模块进行防护,从而能够节省组件、以及简化组装步骤。
8)实用专利功率半导体的封装框架 申请号CN202121440890.X 申请日2021年6月28日 技术效果本实用新型能够满足较大体积的功率半导体的贴片封装要求,并能够保证框架整体的稳固性,避免生产流转过程中造成的框架变形。
9)发明专利功率半导体器件 申请号CN202110704897.6 申请日2021年6月24日 技术效果本发明能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感,从而大大提高了功率半导体器件的可靠性和安全性。
10)发明专利微沟槽IGBT及其制作方法 申请号CN202110704865.6 申请日2021年6月24日 技术效果本发明将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET,使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度,可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容,增大输入电容和米勒电容的比例,进一步增强IGBT开通关断过程可控性。
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天籁无寂
【科创定位找余行】688711宏微科技专利技术保护趋势
【科创定位找余行】688711宏微科技专利技术保护趋势
2021年9月1日上市,688711宏微科技,江苏宏微科技股份有限公司目前市值130.14亿元,2022年三季度营业收入6.148亿元,净利润0.6125亿元,研究经费0.4144亿元。所属行业半导体-分立器件。
主营产品从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案。
1)发明专利新型IGBT器件及其制备方法 申请号CN202211057626.7 申请日2022年8月30日 技术效果本发明通过设置通道层,能够将整个器件分为上下层,以保证上层电流沟道部分开启、下层电流沟道全部开启,从而能够避免常规结构沟道下方只有部分区域开启造成的漂移区电流集中的现象,进而能够增强器件的可靠性。
2)实用专利一种冷却装置及功率半导体模块 申请号CN202123396660.0 申请日2021年12月30日 技术效果本发明解决了现有技术中位于冷却液流动路径首端和末端的功率器件被冷却效果差异大,使得位于末端的功率器件热流密度过大而失效的技术问题。
3)实用专利一种散热装置及功率半导体模块 申请号CN202123387724.0 申请日2021年12月30日 技术效果所述冷却液对所述发热件进行散热动作,解决了现有技术中冷却流道设置为直通型,冷却液的流动速度随着其行走路径增加而不断减弱,导致冷却液对不同位置功率模块的冷却效果不一样,使得功率模块之间的温差大的技术问题。
4)发明专利一种新型的多面散热功率半导体模块 申请号CN202111616668.5 申请日2021年12月27日 技术效果本发明提供的新型的多面散热功率半导体模块,采用多面以及埋入冷媒的方式来进行散热,大大提升了散热性能,并且去除了金属丝键合,可提升功率半导体模块的可靠性,以及减少寄生电感和开关损耗。
5)实用专利一种新型的多面散热功率半导体模块 申请号CN202123314987.9 申请日2021年12月27日 技术效果本实用新型提供的多面散热功率半导体模块,采用多面以及埋入冷媒的方式来进行散热,大大提升了散热性能,并且去除了金属丝键合,可提升功率半导体模块的可靠性,以及减少寄生电感和开关损耗。
6)实用专利功率半导体模块 申请号CN202123321442.0 申请日2021年12月27日 技术效果本实用新型能够通过模块的灌封层面进行辅助散热,从而能够提高模块的散热效率,并且通过灌封层封装模块,无需另外增加盖板对模块进行防护,从而能够节省组件、以及简化组装步骤。
7)发明专利功率半导体模块 申请号CN202111616619.1 申请日2021年12月27日 技术效果本发明能够通过模块的灌封层面进行辅助散热,从而能够提高模块的散热效率,并且通过灌封层封装模块,无需另外增加盖板对模块进行防护,从而能够节省组件、以及简化组装步骤。
8)实用专利功率半导体的封装框架 申请号CN202121440890.X 申请日2021年6月28日 技术效果本实用新型能够满足较大体积的功率半导体的贴片封装要求,并能够保证框架整体的稳固性,避免生产流转过程中造成的框架变形。
9)发明专利功率半导体器件 申请号CN202110704897.6 申请日2021年6月24日 技术效果本发明能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感,从而大大提高了功率半导体器件的可靠性和安全性。
10)发明专利微沟槽IGBT及其制作方法 申请号CN202110704865.6 申请日2021年6月24日 技术效果本发明将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET,使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度,可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容,增大输入电容和米勒电容的比例,进一步增强IGBT开通关断过程可控性。
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