分析师看好800G光模块EML单模方案渗透率有望趁此机会加速提升，国产厂商导入全球供应链逻辑更为顺畅风口

镓、锗管制或导致光芯片核心原材料供给收缩，分析师看好800G光模块EML单模方案渗透率有望提升，国产厂商导入全球供应链逻辑更为顺畅

商务部、海关总署3日发布《关于对家、锗相关物项实施出口管制的公告》。家、锗都是重要的半导体材料，中国作为全球最大的金属家储量及产量国(供给量超90%)、世界上金属锗产量最高(供给量超60%)的国家，对全球供应链影响巨大。

东方证券蒯剑指出，使用到家、锗的产品主要包括光芯片 (InGaAs， GaAs)、VCSEL (垂直腔表面发射激光器)、LED、传感器、红外探测器等等。

因此，该事件可能会导致两个情形的发生

①利好国产GaAs芯片， GaAs衬底主要针对于高功率芯片(工业激光器等)、激光雷达以及近距离光通VCSEL芯片，国家管制上游原材料将有助于国产芯片拓展市场份额，并拓宽下游应用领域。

②GaAs衬底管制受限后，以VCSEL芯片为核心的多模方案的供给端可能造成压制，从而导致800G光模块中EML芯片为核心的单模方案渗透率提升，相关光芯片厂商导入全球供应链逻辑更为顺畅。

蒯剑看好出口管制生效后相关公司的拓展份额，受益标的包括源杰科技、长光华芯、华工科技(云岭光电)、永鼎股份、华西股份(索尔思光电)等。

中国家储量占全球68%，中美锗含量占全球8成以上

根据美国地质调查局 (USGS) 公布的数据

目前全球金属家的储量约为27.93万吨，而中国储量最多，达19万吨，占全球储量的68%左右。相比之下，美国的储量还不到中国的1/40，只有0.45万吨；

全球已探明8600吨锗储量中，美国独占鳌头达到3870吨，紧随其后的中国，探明储量为3500吨，两国所拥有的锗含量占世界锗总储量的8成以上，但中国锗产业链布局更为完善。

二、.原料供需影响光芯片制造厂商的生产成本，海外衬底厂商压力增大

三五族化合族更适用于制作激光器芯片，如砷化 (GaAs)磷化(InP)、砷化(InGaAs). 其中InP与GaAs两类材料在激光器光芯片衬底中居于主流。对于光芯片而言， VCSEL面发射激光器芯片主要以GaAs材料为衬底， FP、DFB、EML三类边发射激光器芯片主要以InP材料为衬底。衬底为光芯片核心原材料，成本占比最高、对芯片品质影响力最大。根据源杰科技招股书，衬底在光芯片原材料成本中的占比通常高于30%， 其供需将在较大程度影响光芯片制造厂商的生产成本。根据前文中的数据，作为全球金属家、金属锗储量及产量最大的国家之一，中国此次对家、锗相关物项实施出口管制可能带来的影响国内GaAs衬底外延、原材料等或将降价，海外GaAs衬底、原材料出现涨价且供应紧缺，对海外衬底厂商的压力增大。