东微半导-688261-公司首次覆盖报告国产超级结MOSFET龙头，掘金新能源汽车及光伏市场

　国内领先的功率半导体设计厂商，首次覆盖给予“买入”评级

  公司深耕功率半导体研发与设计，产品覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及具有独立知识产权Tri-gate结构的IGBT等。公司在高压超级结MOSFET领域具有技术优势和深厚的先发积累，是该领域国内龙头企业。我们预计2022-2024年公司可实现归母净利润2.63/3.56/5.07亿元，EPS 3.90/5.29/7.52元，当前股价对应PE 61.8/45.6/32.1倍。首次覆盖给予“买入”评级。

  高压超级结MOSFET产品技术和规模领先，中低压产品料号丰富

  高压MOSFET应用于新能源汽车充电桩、车载充电机、基站电源等市场，市场空间广阔、行业增速高。公司高压超级结MOSFET采用深沟槽技术，产品性能指标优异，有望引领国内高压MOSFET国产替代。公司的超级硅MOSFET是超级结MOSFET的重要产品系列，主打高频性能，以硅基设计与氮化镓产品形成竞争，有望以其优异性能和性价比优势取得更高市场份额。此外，公司中低压MOSFET料号丰富，技术指标可与海外一线厂商对标，亦有望取得长足发展。

  公司TGBT采用自主创新器件结构，打造差异化竞争优势

  公司的TGBT产品是采用了自主创新的Tri-gate结构的IGBT产品，通过专利技术使得导通电阻与开关速度同时得到优化。2021年公司TGBT产品在光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用，并在以上领域多家头部客户如比亚迪、欣锐科技、古瑞瓦特等开启送测认证，获得客户认可。公司TGBT通过创新的器件结构实现优异性能，有望与市场上功率半导体器件形成差异化竞争。目前公司TGBT产品已实现产业化，将为公司成长提供新动能。

  募投项目夯实综合产品实力，长期发展可期

  借助上市契机，公司拟投入募集资金9.39亿元，积极推进功率器件的研发及产业化项目，一方面夯实自身在超级结MOSFET的技术和规模领先优势，另一方面加强中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT等产品线建设，并积极布局第三代半导体，提升功率半导体综合供应能力，长期发展可期。

  风险提示公司代工资源变动；需求不及预期；行业竞争加剧，毛利率下滑。