恭喜！拓荆科技！

恭喜拓荆科技！PECVD龙头登陆科创板！

拓荆科技股份有限公司（简称“拓荆科技”）将于4月20日正式登陆科创板，股票代码为“688072”，首发价为71.88元/股。《经济参考报》记者研究发现，作为国产薄膜沉积设备领军企业，拓荆科技坚持自主创新研发，近年来经营业绩稳健增长。目前，拓荆科技的产品广泛用于中芯国际等知名企业。借助此次登陆资本市场的契机，拓荆科技将募资助推主业，进一步提高市场竞争力。

吕光泉为美国加州大学圣地亚哥分校博士，1994年8月至1996年4月，他任美国科学基金会尖端电子材料研究中心电子材料副研究员；1996年4月至2007年7月，吕光泉就职于美国诺发，历任高级工程师、PECVD工艺研发部经理、项目主任兼工艺研发高级经理、ALD技术高级经理；2007年7月至2014年8月，他就职于德国爱思强公司。2014年9月，吕光泉加入拓荆科技。

姜谦曾在美国布兰迪斯大学获博士学位。1982年1月至1984年6月，姜谦任麻省理工学院材料科学工程中心研究员。1984年7月，姜谦于英特尔就职，历任工程师、研究员、项目经理、部门经理等多个职位。此后他在美国诺发、欣欣科技（沈阳）有限公司担任过副总裁和执行董事职务。2010年4月至今，姜谦任职于拓荆科技。

▲拓荆科技董事长吕光泉（左一）和创始人、董事姜谦（右一）

研发投入增长 毛利率持续提高

据招股书披露，拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。拓荆科技主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

财务数据显示，2019年至2021年，拓荆科技的营业收入分别为2.51亿元、4.36亿元和7.58亿元，分别同比增长255.66%、73.38%和73.99%，持续稳健增长。近日，拓荆科技还披露了今年一季度财务数据当期实现营业收入1.08亿元，同比增长86.21%。从盈利能力来看，拓荆科技2019年至2022年1-3月的销售毛利率分别为31.85%、34.06%、44.01%和47.44%，呈现增长趋势。

值得注意的是，半导体设备行业具有很高的技术壁垒、市场壁垒和客户准入壁垒。拓荆科技自成立以来，一贯坚持自主研发和创新，保持较高的研发投入。2019年至2022年1-3月的研发费用分别为7431.87万元、12278.18万元、28830.85万元和4686.96万元。经过多年积累，拓荆科技研发了大量具有自主知识产权的核心技术，获得了客户的认可，已经具有一定的市场影响力。

此外，拓荆科技产品还能够根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。目前，拓荆科技产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储等国内主流晶圆厂产线。2019年至2022年1-3月，拓荆科技前五大客户主营业务销售金额占当期主营业务收入的比重超过90%，大客户较为集中。

市场前景广阔满足客户需求

在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着集成电路的持续发展，晶圆制造工艺不断走向精密化，芯片结构的复杂度也不断提高，需要在更微小的线宽上制造，制造商要求制备的薄膜品种随之增加，最终用户对薄膜性能的要求也日益提高。

拓荆科技自成立以来，始终专注于半导体薄膜沉积设备的研发。公司先后承担“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”等四项国家重大科技专项/课题。就目前拓荆科技拥有的核心技术而言，能够解决半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，减少客户产线的生产成本。

据Maximize Market Research预计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。业内人士分析指出，拓荆科技所处的半导体领域，市场潜力巨大。此外，《经济参考报》记者注意到，根据中国国际招投标网公布的息，长江存储、上海华力、华虹无锡、上海积塔、中芯绍兴、合肥晶合等中国本土晶圆厂正在加大设备采购力度，上述企业为拓荆科技客户。

拓荆科技表示，公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，在逻辑电路应用领域储备了10纳米以下工艺节点下的通用介质材料工艺薄膜沉积技术、28纳米先进介质材料工艺薄膜沉积技术，在存储芯片领域储备了128层3DNAND和1Y世代DRAM介质薄膜沉积技术，在先进封装和LED显示领域储备了TSV2.5D-IC、3D-IC集成及光电领域所需的介质薄膜沉积技术。公司未来将坚持大额研发投入，不断迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。

募资助推主业实现产业化发展

拓荆科技表示，随着公司业务不断扩大，公司产品品类不断增加，目前研发、生产及测试场地不足的问题日益明显。若不能及时解决研发生产场地不足的问题，公司将会面临现有产品的扩产不能有效开展，不利于研发效率的提升与研发能力的建设。另外，半导体晶圆厂不断通过减小晶圆线宽以提供更高性能的芯片产品，公司作为半导体设备企业，需要不断提高技术水平、升级产品性能以满足市场需求。

4月20日，拓荆科技将正式登陆科创板。对于公司发展进程来说，无疑是重要的里程碑。根据拓荆科技最新发布的上市公告书，本次上市，拓荆科技募资总额高达22.73亿元，扣除发行费用后，募集资金净额为21.28亿元，全部用于先进半导体设备的技术研发与改进项目、高端半导体设备扩产项目、ALD设备研发与产业化项目和补充流动资金。

从募资金额的使用情况来看，先进半导体设备的技术研发与改进项目被拓荆科技放到了重点位置。据介绍，项目研发内容主要包括面向28nm-10nm制程PECVD设备的多种工艺型号开发、面向10nm以下制程PECVD设备的平台架构研发及UVCure系统设备研发。拓荆科技表示，通过在集成电路生产厂商进行生产线验证，实现产品的产业化，进一步提升产品技术水平和拓展产品应用领域，推动公司业务规模的持续增长。

拓荆科技称，未来公司将持续对技术研发的投入，不断深化公司对基础理论和产品思路的认识，保持公司各项核心技术的先进性，提高公司对于新产品新工艺的设计能力。同时开展先进制程、先进工艺产品研发及产能建设，加强高端人才引进与内部人才梯队培养，拓展新客户和现有客户的新需求，拓展中国台湾市场。

学习一下拓荆科技国内PECVD龙头

股东情况第一大股东为国家集成电路基金，中微公司持有公司总股本的11.20%，是公司第三大股东。

管理团队董事长、总经理等在内的技术团队拥有泛林、美国诺发、 Mattson、 Intel等的CVD、ALD、量测、刻蚀等丰富的行业经验。

客户结构中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内外主流晶圆厂客户， 已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

市场地位与北方华创、盛美、中微、芯源微、华海清科等同属于老牌半导体工艺设备厂商，主导PECVD、ALD、SACVD国产化， PECVD本土产线市占率17%， SACVD市占率25%。2021年收入已跨越1亿美元门槛。

核心技术自主研发，关键性能参数达到国际同类设备水平， PECVD、 ALD及SACVD设备系列化产品已累计发货超150台。

在手订单2021年底合同负债4.78亿元，相比2020年1.34亿元大幅增长。截至2021年9月10日，在手订单超15亿元。

募投项目拟发行不超过3161.98万股（不低于25%），加快PECVD和ALD的先进工艺研发。

财务业绩2021年收入7.58亿元增长74%，扣非净利润-0.82亿元。2022年一季度收入指引1-1.2亿元，同比增长73%-108%，扣非利润-0.3~-0.16亿元（上年同期-0.24亿元）。

2021年3月20日，中国集成电路创新联盟组织召开“2021集成电路产业链协同创新发展交流会”，拓荆科技股份有限公司“量产型SACVD设备研发与应用”项目荣获第四届“IC创新奖”技术创新奖

2年时间有点长

北京屹唐科技为什么买设备？

拓荆科技股份有限公司简介 @ 2021年6月
拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆公司”或 “公司”）成立于2010年4月，于2021年1月12日整体变更为股份有限公司。公司总部位于辽宁省沈阳市浑南区，并在北京、上海、海宁成立三家子公司。公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。公司多次承担国家重大科技专项，被中国半导体行业协会评为2016年度、2017年度、2019年度“中国半导体设备五强企业”。

公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，技术指标达到国际同类产品先进水平，产品主要应用于集成电路晶圆制造，以及TSV封装、光波导、Micro-LED、OLED显示等高端技术领域。目前，公司研发的PECVD、ALD及SACVD设备系列化产品已累计发货超150台，客户端总流片量突破1500万片。公司产品获得两届中国集成电路创新联盟的IC技术创新奖、辽宁省科技进步一等奖等荣誉。

公司现有十余名海外高层次专家，结合国内优秀人才，形成了一支国际化的专业团队，具备高科技研发实力及管理经验，截至2021年6月30日，公司员工总数超350人（含子公司）。通过多年技术积累，公司已形成自主知识产权体系，截至2021年6月30日，累计获授权专利超160项，被国家知识产权局评为“国家知识产权示范企业(2019-2022)”。

公司总部占地80亩、总建筑面积达40,000平方米，拥有现代化办公大楼及高等级洁净厂房、先进和完备的无尘实验室及系列高端薄膜实验设备，用以研制和生产科技领先的半导体薄膜设备。公司产业化基地第一期生产能力可实现年产100台套，全部投产可达350台套设备，可以满足下游客户增产需求。

公司拥有覆盖全球的供应商网络，并在北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的近40条生产线都设有技术服务中心，可为客户提供每周7天，每天24小时的技术服务。公司运营管理体系已通过ISO9001、ISO14001、ISO45001体系的认证。
公司愿与业界伙伴建立真诚、友好、共赢的产业合作联盟，共同为中国及世界半导体产业的发展做出贡献。

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