杨睿可爸爸
近日,中微公司中标华虹半导体12台刻蚀机设备,包括中微公司本次中标的12台刻蚀机设备包括3台钝化膜等离子体刻蚀机、7台氧化膜等离子体刻蚀机、2台氮化硅等离子体刻蚀机。
公司 2021 年新签订单金额同比增长 90.5%达 41.3 亿元,产品付运腔体数由 2020 年的 295 腔增长 66.4%达 491腔,营业收入同比增长 36.7%达 31.08 亿元,归母净利润同比增长 105.5%达 10.11 亿元。
公司集成电路关键设备核心技术竞争力强,三维布局打开未来成长空间。公司聚焦用于集成电路、LED芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD设备等关键设备研发、生产和销售;并已组建团队开发LPCVD设备和EPI设备,研发进展按计划进行中。公司坚持从三个维度拓展业务布局深耕集成电路关键设备领域,强化在刻蚀设备领域的竞争优势,延伸至薄膜、检测等其他关键设备领域;拓展在泛半导体关键设备领域应用,布局显示、MEMS、功率器件、太阳能领域的关键设备;以及探索其他新兴领域的机会,包括更多集成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领域。
刻蚀设备持续往更先进、复杂方向突破,收入增长明显。①、逻辑集成电路制造环节,公司的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到5纳米等先进的生产线上;已开发出小于5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤加工,已获得行业领先客户批量订单;②、3DNAND芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备应用于64层和128层量产,同时在开发新一代涵盖128层以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比刻蚀设备和工艺。
Mini-LED/MicroLED生产的MOCVD设备需求未来几年持续放量。MOCVD设备PrismoA7已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位;公司研发用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PrismoHiT3已在行业领先客户端用于深紫外LED生产验证并获得重复订单;制造功率器件用MOCVD设备已在客户芯片生产线上投入使用;用于MiniLED生产的MOCVD设备研发工作进展顺利,已有设备在领先客户端开始生产验证;制造MicroLED等应用的新型MOCVD设备正在开发中。
海通电子郑宏达 肖隽翀
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杨睿可爸爸
【海通电子】中微公司中标华虹半导体刻蚀设备
近日,中微公司中标华虹半导体12台刻蚀机设备,包括中微公司本次中标的12台刻蚀机设备包括3台钝化膜等离子体刻蚀机、7台氧化膜等离子体刻蚀机、2台氮化硅等离子体刻蚀机。
公司 2021 年新签订单金额同比增长 90.5%达 41.3 亿元,产品付运腔体数由 2020 年的 295 腔增长 66.4%达 491腔,营业收入同比增长 36.7%达 31.08 亿元,归母净利润同比增长 105.5%达 10.11 亿
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公司集成电路关键设备核心技术竞争力强,三维布局打开未来成长空间。公司聚焦用于集成电路、LED芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD设备等关键设备研发、生产和销售;并已组建团队开发LPCVD设备和EPI设备,研发进展按计划进行中。公司坚持从三个维度拓展业务布局深耕集成电路关键设备领域,强化在刻蚀设备领域的竞争优势,延伸至薄膜、检测等其他关键设备领域;拓展在泛半导体关键设备领域应用,布局显示、MEMS、功率器件、太阳能领域的关键设备;以及探索其他新兴领域的机会,包括更多集成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等领域。
刻蚀设备持续往更先进、复杂方向突破,收入增长明显。①、逻辑集成电路制造环节,公司的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到5纳米等先进的生产线上;已开发出小于5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤加工,已获得行业领先客户批量订单;②、3DNAND芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备应用于64层和128层量产,同时在开发新一代涵盖128层以上关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比刻蚀设备和工艺。
Mini-LED/MicroLED生产的MOCVD设备需求未来几年持续放量。MOCVD设备PrismoA7已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位;公司研发用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PrismoHiT3已在行业领先客户端用于深紫外LED生产验证并获得重复订单;制造功率器件用MOCVD设备已在客户芯片生产线上投入使用;用于MiniLED生产的MOCVD设备研发工作进展顺利,已有设备在领先客户端开始生产验证;制造MicroLED等应用的新型MOCVD设备正在开发中。
海通电子郑宏达 肖隽翀
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