谈谈南大光电

3月9日，荷兰光刻机巨头阿斯麦公司发布声明表示，荷兰政府计划对半导体技术出口实施新的管制，公司预计必须申请许可证方可出口DUV设备。此外，两会期间，两会代表的建言和关注的细分领域上也有半导体，主要是涉及到了半导体材料领域得“电子特气”“光刻胶”领域的“国产化”“扶持力度””人才培养”等。

这些消息之后，前一阵市场上多支光刻胶概念股飘红，至今，也有相关概念股大涨，3月8日以来光刻胶概念指数涨幅达到6.69%，彤程新材股价涨幅达17.2%，南大光电股价涨幅达17.84%，上海新阳股价涨幅达16.13%，容大感光曾因3月8日、9日收获连续两个交易日的20%涨停，得到了深交所的关注。

光刻胶有不同的品种，像半导体光刻胶、LCD光刻胶、PCB光刻胶，这里面最重要的也是难度最大的要属半导体光刻胶，这部分技术也是外国卡我们脖子的地方，半导体光刻胶根据曝光光源波长可以分为紫外宽谱（300~450nm）、G 线（436nm）、I 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）这几个不同的类别。又能够根据曝光波长依次递减其极限分布率依次上升，越高的越适用于更加先进的芯片。根据半导体板块的摩尔定律，越小的晶体管对于光刻技术的要求越来越高，第一二代属于紫外光g线（436nm）、i线（365nm）。接下来是第三代、第四代都属于深紫外DUV，第三代为KrF，采用248nm光源，第四代为ArF，光源升级为193nm。

然后是第五代属于ArFi（193nm），虽然也是与第四代采用光源，但介质从空气换成了水，最小制程从65nm升级到7nm。最后是第六代，属于极紫外EUV光刻机，利用的是13.5nm的极紫外线（EUV）光源，用于7nm及以下的芯片制造，像荷兰ASML厂商在技术上是全球上数一数二的能够拥有EUV光刻机的厂商。

我国半导体光刻胶起步晚，很多厂商的光刻胶产线集中在G线和I线，这基本上是我国光刻胶能够量产的级别，像彤程新材、晶瑞电材、容大感光、华懋科技都实现了批量供货。在往上三代及以上的光刻胶KrF，ArF，EUV，国内厂商能够做的还是少数，三代KrF光刻胶上，也有厂商可以量产，比如彤程新材实现了百吨级别投产，晶瑞电材刚在2022年底量产。至于四代和五代国内厂商还是研发中，有进步的是四代上，这两天国内的南大光电在互动平台上表示，ArF光刻胶有少量供货，但是还没达到规模量产，正在研发和产业化的ArF光刻胶可以应用于90nm~28nm的制程工艺，而上海新阳、华懋科技、欣奕华等厂商都处于测评阶段。

南大光电的优势在哪？

众多光刻胶厂商中，别看南大光电在ArF光刻胶有少量供货，但ArF光刻胶产品也很难做，ArF光刻胶产品的配方涵盖成膜树脂、光敏剂、添加剂和溶剂等组分材料。知道有这些材料，但是能否把各个组分的功能有效地结合在一起，组合得不好就会影响光刻胶配方的优良，所以配方是调制光刻胶配方的最大挑战和难点，目前世界上也只有少数的几家光刻胶厂商可以做到产品级Ar光刻胶配方的调制。而最先进的极紫外（EUV）光刻胶领域，国内厂商还在研发时期，比较快的像彤程新材参与的国家02专项已经通过验收，其他厂商几乎没什么相关进展。

2017及2018年，南大光电分别获得国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发”和“ArF 光刻胶产品的开发和产业化”项目立项，项目分别于2020年和2021年通过国家02专项专家组的验收。如今，南大光电建成了ArF光刻胶产品（包括干式和浸没式）的质量控制平台、年产25 吨的生产线。

南大光电的光刻胶及配套材料也在不断打破国外长期技术垄断，但是光刻胶材料上还没有贡献实质性的营收。可即便如此，南大光电ArF光刻胶产品的开发和产业化项目一直被大家关注。头豹研究院发布的数据显示，2021年中国半导体晶圆制造材料的整体国产化率为20%-30%，其中电子特气、靶材国产化率约为30%-40%；硅片、湿电子化学品、CMP耗材总体国产化率约在20-30%。不过，较高端的12寸硅片国产化率不足5%；光掩模版、光刻胶国产化率约在10%以下，EUV光刻胶等高端细分领域，国产化率近乎为零。

为什么这么难突破？光刻胶的行业壁垒主要在这几个方面很难突破，首当其冲的就是技术，比如配方技术、质量控制技术和原材料技术都是阻挡我们国家厂商进入的地方。其次是设备上的技术难度，因为重要研发设备光刻机多是进口产品，光刻机是芯片制造、高端光刻胶研发的重要装备。我国几乎没有自己生产的高端光刻机产品。不仅是设备壁垒，原材料也存在壁垒，原料是光刻胶产业的重要环节，原料好不好也会影响的光刻胶产品品质。比如光刻胶上游原材料里涵盖感光剂（光增感剂、光致产酸剂）、溶剂、成膜树脂及添加剂（助剂、单体等）。从光刻胶成本占比来看，树脂占比最大约50%，其次是添加剂占比约35%，剩余成本合计占比约15%，我国的原材料企业不多，高端原材料仍是进口的多。

最后是客户壁垒，下游客户认证过程复杂、周期长，很多有了自己合作厂商的企业是不愿意再去花费时间去认证或者调试其他厂商的产品，比如ArF光刻胶若想被下游芯片制造企业认可，就必须根据客户端的工艺参数进行大量适配调校，技术难度高，工作量也很大。只有掌握自主可控的技术，才能打破垄断实现国产替代，这一点，南大光电等国内厂商还有很远的路要走。

除了光刻胶材料外，南大光电还做MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料。算是一家从事先进电子材料生产、研发和销售的高新技术企业，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。南大光电的先进前驱体材料板块主要由MO源类产品和半导体前驱体材料构成。MO源系列产品在半导体照明、息通讯等领域有极重要的作用，作为全球主要的MO源生产商，南大光电在国内市场处于领导地位。经过二十多年的发展，在MO源的合成制备、纯化技术、分析检测、封装容器等方面已全面达到国际先进水平。半导体前驱体材料这些都是超大规模集成电路、平面显示器件、太阳能电池等电子工业生产不可或缺的原材料，也是半导体所需材料，其中多数属于被国外厂商“卡脖子”的关键原材料。依靠多年积累的高纯电子材料，南大光电自2016年承接了02专项“ALD金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发”的研发和产业化项目并于2021年通过验收，形成了我国高纯半导体前驱体的自主生产能力，打破了国外技术垄断。

而电子特气板块涵盖氢类电子特气产品和含氟电子特气产品。氢类电子特气涉及磷烷、砷烷等。早在2016年，南大光电就实现了高纯砷烷、磷烷等特种电子气体的产业化，打破了国外技术封锁和垄断。同时氢类安全源电子特气产品在集成电路行业快速实现了产品进口替代，广泛应用于国内芯片和存储器制造领域。含氟电子特气是应用于微电子工业（如集成电路、平板显示、太阳能薄膜等）的一种优良等离子蚀刻和清洗材料。南大光电的子公司飞源气体是国内主要的含氟电子特气生产企业，可以生产三氟化氮、六氟化硫及其副产品，已成为国内集成电路及平板显示领域多家领军企业的重要供应商。

南大光电这几年的营收也不错，2020年达到6亿元，同比增长85％，2021年收获10亿元，同比增长65％，去年三季报13亿元，同比增长78％，净利润，2020年收获0.87亿元，同比增长58％，2021年达到1.36亿元，同比增长57％，去年三季报收获2亿元，同比增长70％。细分领域上，MO源产品与特气产品贡献营收比较多，尤其是特气产品占比在80％左右。从这些数据来看，南大光电的营收和净利润近几年均处于较高的增长速度，南大光电去年上半年的净利润增长速度与三季度基本持平，意味着南大光电生产经营持续向上，一直比较稳定。

南大光电未来的重点应该是ArF光刻胶及配套材料项目，现在已经建设了光刻车间和年产25吨的生产线，另外也生产了适用于28nm—90nm制程芯片用光刻胶产品，虽然目前该项目还未贡献业绩，但这个项目还是有希望成为南大光电未来利润的增长点。

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