宏微科技整理2——IGBT系列产品与英飞凌和斯达的技术对比

宏微科技目前推广应用的自研 IGBT 芯片主要为第三代 M3i IGBT 芯片和第二代 M2i IGBT 芯片。2020 年度，自研芯片 IGBT 模块收入中第 3 代 IGBT 模块占比为 55.98%。

公司 IGBT 系列产品的性能主要由芯片性能决定，衡量公司 IGBT 芯片的核心性能指标主要为电流密度、芯片损耗、击穿耐压、短路极限，具体如下

1、与国外龙头企业推出产品对比情况

1）宏微第三代 IGBT M3i 1200V 50A 芯片与英飞凌成熟产品 T4 系列主要技术指标对比如下

目前公司于 2017 年开始推出并实现量产的宏微第三代 IGBT M3i 1200V 系列电流覆盖 10A 到 200A，选取其中典型的 50A 与英飞凌科技于 2010 年开始推出的市场主流英飞凌 T4 同规格产品关键参数做横向对比，通过上述对比可知，公司的芯片关键参数中的击穿耐压、短路极限时间方面基本相同，在芯片损耗、电流密度等重要指标方面与英飞凌芯片指标相接近。

2）国外龙头英飞凌最新推出的产品均采用了微沟槽（MPT）IGBT 技术, 包括车用模块中使用的 EDT2 芯片系列、第五代 IGBT 芯片 H5/S5/L5 系列以及第七代 IGBT 芯片 T7 系列。公司于 2021 年初研发成功了第五代 M5i IGBT 芯片对标英飞凌第五代 IGBT 系列，公司的第七代 M7i IGBT 芯片对标英飞凌 IGBT7 T7系列,已完成芯片设计尚在研发制样中，英飞凌最新推出产品与公司产品技术指标对比如下

① 宏微第四代 IGBT M4i 750V 280A 芯片与英飞凌 EDT2 系列主要技术指标对比如下

公司于 2019 年研发成功的宏微第四代 IGBT M4i 750V 280A 芯片与英飞凌科技于 2016 年开始推出的车用 HybridPack Drive 模块中所用 EDT2 芯片，做主要电学参数的横向对比可知，公司的芯片产品在击穿耐压、短路极限时间方面与英飞凌芯片基本相同，在芯片开通损耗、关断损耗、电流密度方面与英飞凌芯片相接近。随着公司第四代 IGBT 平台的逐渐成熟，公司同时着力推出同样基于微沟槽 MPT 平台的第五代和第七代 IGBT 产品，继续拓展不同的电压和电流范围，满足不同的应用环境对器件和芯片的要求，并持续推进产品的平台化和产业化，完善并完成当前的进口芯片替代工作。

② 公司的第五代 IGBT 芯片与英飞凌第五代 IGBT 系列主要技术指标对比如下

公司于 2021 年初研发成功的宏微第五代 IGBT 产品与英飞凌相近型号产品做横向对比可知，公司的产品在击穿耐压与英飞凌产品基本相同，在芯片损耗、电流密度等方面与英飞凌产品相接近。

综上所述，车用模块中以英飞凌 EDT2 芯片系列的 HybridPack Drive 模块为主，从以上产品技术参数对比可以看出，在电流密度指标方面，公司 2019 年研发成功的宏微第四代 IGBT M4i 产品性能微弱于英飞凌 EDT2 芯片系列，芯片损耗方面相同，总体而言公司第四代 IGBT 产品与英飞凌产品技术水平接近。

公司已成功研发了宏微第四代及第五代 IGBT 芯片对标英飞凌最新推出的车用 IGBT EDT2 芯片和第五代 IGBT 芯片系列，公司产品与英飞凌同类芯片技术水平接近,公司对标英飞凌的第七代 IGBT 系列尚在研发中，公司的 IGBT 芯片技术成熟的时间节点及产品推出时间落后于英飞凌，公司产品与英飞凌存在代际差异。

2、与国内龙头企业推出产品对比情况

国内龙头企业斯达半导主推的是基于普通沟槽技术的 IGBT X系列产品, 其性能参数指标和技术水平与英飞凌 IGBT T4 系列及公司的第三代 IGBT 系列相接近。

公司的第三代 IGBT-M3i 1200V 50A 芯片与斯达半导产品主要性能指标对比如下

由上表可知，公司于 2017 年推出的宏微第三代 IGBT M3i 1200V 50A 与斯达半导的 50A 产品在击穿耐压、阈值电压、短路极限等重要指标方面基本相同，基于系统电磁兼容性考量，与行业内公司英飞凌产品设计相似，发行人有增加栅极集成电阻，使得高温开通损耗略高，公司产品与斯达半导产品性能不存在重大差异。

目前国内工业控制行业 IGBT 市场以英飞凌的 T4 系列为主，从以上产品技术参数对比可以看出，在芯片损耗指标方面，基于系统电磁兼容性考量，公司有增加栅极集成电阻，使得公司已推出的 IGBT M3i 系列产品在该指标微弱于斯达半导类似产品，而公司与英飞凌产品设计相似（即增加栅极集成电阻），因此在芯片损耗指标方面与英飞凌 T4 系列基本相同。

总体而言，公司现已推出的第三代 M3i IGBT 芯片与国内龙头企业斯达半导同类产品技术水平相当，属于国内主流产品的技术水平。公司研发成功的第四代M4i IGBT、第五代 M5i IGBT 芯片分别对标英飞凌 EDT2 芯片和第五代 IGBT 系列，与英飞凌同类产品技术水平接近。相比英飞凌于 2020 年推出 IGBT 7 系列的 IGBT 芯片，公司相关自研 IGBT 系列产品尚在研发制样中，与英飞凌存在代际差异，公司的芯片技术成熟时间节点落后于英飞凌。