三安光电下一个十年的核心成长驱动：化合物芯片国产替代征程

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化合物 半导体 性能优异，发展前景广阔。化合物 半导体 主要指砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代 半导体 ，相比第一代单质 半导体 ，在高频性能、高温性能方面优异很多。砷化镓：具有高频、抗辐射、耐高温的特性，大规模应用于无线通讯领域，目前已经成为PA和Switch的主流材料；氮化镓：主要被应用于通讯基站、功率器件等领域，功放效率高、功率密度大，因而能节省大量电能，同时减少基站体积和质量；碳化硅：主要用于大功率高频功率器件，IHS预测到2025年SiC功率 半导体 的市场规模有望达到30亿美元，在未来的10年内，SiC器件将开始大范围地应用于工业及电动汽车领域，近期碳化硅产业化进度开始加速，意法、英飞凌等中游厂商开始锁定上游晶圆货源。

5G 提速，射频市场有望高速成长。4月初，美、韩率先宣布 5G 商用，日本向四大运营商分配 5G 频段，预计明年春正式商用。在海外 5G 积极推进商用的节奏下，全球 5G 推进提速预期强烈，从基站端到终端射频需求都有望加速增长。在射频器件领域，目前LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不大，预计到2025年，在砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场半壁江山。

化合物 芯片 国产替代踏上征程，持续加码化合物 半导体 。我们认为III-V族化合物 半导体 是 【三安光电(600703)、股吧】 下一个十年的核心成长驱动及跟踪重， 5G 无线通讯基站、智能手机、WiFi与光纤等高速数据传输、汽车/工业/ 太阳能 等功率 芯片 ，都将对化合物 半导体 产生强劲的需求。由 三安光电 研发的Ⅲ-V族化合物 半导体 材料的应用领域从有的 LED 外延片、 芯片 ，延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型 半导体 三个新领域，基本涵盖了今后Ⅲ-V族化合物 半导体 材料应用的重要领域。

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风险提示：下游需求不及预期、 5G 进展不及预期、汽车电气化进展不及预期。