中长线跟踪标的云南锗业

本首发于公众号“小白研习圈”

备注只做息分享，并非投资建议，谨慎

熊市不努力，牛市徒伤悲。

短期市场风险难以避免，多少做，沉下心来挖掘个股，等待大跌后重新到来的机遇！

小结

1. 2019年业绩一般，主要未来成长性。一个是跟踪公司深加工业务以及半导体材料部分的投资进展；另一个则是跟踪锗基本面的拐。

2. 司在12月底至今炒作过一波，主要是磷化铟项目公告以及跟风科技股炒作，但公司基本面本身还未到真正爆发时刻，需要持续跟踪。

3.司产品用于红外光学、太阳能电池、光纤通讯、半导体材料，未来催化剂主要是受益于5G商用和半导体材料国产替代进程；当前产能利用率偏低，普遍不到50%，未来产能利用率提高有望带动盈利好转。

4. 在建项目15万片4英寸磷化铟单晶片；20 万片低位错密度 6 英寸锗单晶片。关注投资进展。

5. 锗供需方面，中方面的数据是，2019年以及之前均是去库存，今年进一步对库存进行消耗，2021-2022年，将会由供需过剩转为供不应求。当前锗的价格为6850元/千克，处于2018年至今的相对底部区域，行业过剩以及需求尚未完全爆发压制锗价，但存在改善预期，重今年下半年至年底的情况。锗供需反转有望带动股价反转。

公司业绩快报

2019年年度业绩快报公告，2019年营业总收入为4.18亿元，比上年同期下滑10.02%；归属于上市公司股东的净利润为-5784.68万元，较上年同期由盈转亏。

公司产品及产能

材料级主导产品为区熔锗锭（47.60 吨/年）、二氧化锗

深加工方面

1. 光伏级锗产品主要为太阳能锗衬底片（30万片/年）

2. 红外锗系列产品主要为红外级锗单晶（光学元件）、锗镜片、镜头、红外热像仪；（3.55 万套/年）

3. 光纤级锗产品为光纤用四氯化锗（60 吨/年）

非锗半导体材料级产品主要为砷化镓单晶片（80 万片/年（折合四寸））

公司产品主要运用包括红外光学、太阳能电池、光纤通讯、发光二极管等领域

近几年公司产品销售趋势材料级产品占比减少；深加工方面产品占比逐渐增多；非锗半导体材料产品占比偏小，尚处于市场开拓阶段

公司优势

1. 司砷化镓衬底产能充足（80万片/年 折合4寸）研发并生产的2-6寸半导体级以及半绝缘级高纯度砷化镓晶体和晶片被广泛应用于半导体集成电路以及LED通用照明等领域。目前公司已经具备生产半绝缘型6寸砷化镓衬底，打破国内只能生产半导体型衬底的局面。

2. 磷化铟项目具备2-4英寸InP生产能力，产能设计5万片/年（按照2英寸计算）；2019年12月27日关于实施“磷化铟单晶片建设项目”的公告，建设一条磷化铟单晶片生产线，生产线建成后将具备年产15万片4英寸磷化铟单晶片的能力，本项目实施内容包括已完成的“5 万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”，建设期24个月。

3. 光纤用四氯化锗龙头现拥有每年60吨超高纯四氯化锗产能。2018年产量在全国占比为57%；已培育了稳定的高端客户群体，如长飞光纤、烽火通、富通集团和Fiber Home等。5G对光纤的需求拉动，预计公司2019-2022年四氯化锗产量分别为25.8吨、27.6吨、33.4吨、41.2吨，产能利用率将从45%稳定爬坡至69%左右。

4. 资源优势国内锗资源储量最大的企业，锗金属储量897吨，占云南省80%，中国28%，全球11%。2018年【云南锗业(002428)、股吧】锗总体产量达到50.7吨，占中国总供给量约68%，占全球42%市场份额。

资源品—锗

全球储量美国45%；3870吨；中国40%；3500吨（2016年数据）

国内储量内蒙古45%；1600吨；云南33.77%；1182吨

全球产量全球120吨；中国63%；75吨

供需前景

中证券的预测预计2020 年锗价有望出现反转，2021 年突破12000 元/千克。预计2018-2022年锗金属的消费CAGR 为7.6%，而产量增速平稳，2018-2022 年CAGR 为4.2%。2018年和2019 年主要消耗全球库存，预计到2020 年，库存量能全部消耗。2021 年和2022年供需缺口达到-35 吨和-37 吨。目前上海隆泰锗锭价格约为7500 元/千克，预计随着锗供需逐渐好转，2020 年锗价有望出现反转，2021 年价格有望向上突破12000 元/千克。

GaAs 和InP行业前景

GaAs 和InP 等化合物半导体2020 年市场规模预期440 亿美元。根据Yole数据，GaAs需求从2017年的100余万片增至2023年约400万片，CAGR将达15%；InP CAGR将达14%。GaAs和InP衬底，是光通用激光器、3D-Sensing用VCSEL、5G PA、LNA、RF Switch等半导体元器件核心基础材料。国产化进程有待加速。

国产替代潜力

1. 根据电阻的不同，砷化镓材料可以分为半导体型和半绝缘型。其中半导体型砷化镓主要用来制作LED 衬底。半绝缘型主要用于高频器件的芯片衬底材料，是射频通领域的核心材料。国内的GaAs 衬底产品以LED 用低阻GaAs 抛光片为主，射频用半绝缘衬底，由于研究基础较薄弱还未形成产业规模，高质量4-6 英寸半绝缘体GaAs 基本依赖进口。

2. 目前InP 衬底的主流尺寸是2-6 英寸，且市场集中度较高，超过80%的衬底市场份额由日本住友电工和美国AXT 两家公司占有。

3. InP晶体生长设备和技术门槛极高，国内只有少数厂家和科研单位可以制造InP单晶生长设备和生长InP衬底。中国电科13所最早设计了国产InP高压单晶炉并制备了我国第一根InP单晶，其余的生产企业还包括鼎泰芯源、北京世纪金光、云南锗业、广东天鼎等。