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据悉,本项目在“高端功率半导体产业化建设项目”的基础设施及配套的基础上,拟采用芯片线宽0.13微米先进工艺制程,新增硬件设备共计68台(套),新增软件系统2套。项目实施过程中不使用国家限制、淘汰类工艺设备,不生产国家限制、淘汰类产品,同步落实节能、环保、安全、消防、职业病危害防治措施,达到国家相关标准。
6.5亿元的总投资中包括建设投资58,950.45万元(其中设备投资52,335.64万元)铺底流动资金4,947.13万元,建设期利息1,102.50万元。资金来源于自有资金20,000.08万元,项目贷款45,000万元,由捷捷微电提供担保,无抵押。
捷捷微电表示,公司此次对外投资是公司的战略需要,在一期项目的基础上实施“高端功率半导体产业化建设项目(二期)”,进一步提升公司产品的先进性,扩大公司高端产品产能,提高运营效率和能力,促进国内功率半导体及下游应用行业的发展。
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捷捷微电子公司拟6.5亿元投建高端功率半导体产业化建设项目
据悉,本项目在“高端功率半导体产业化建设项目”的基础设施及配套的基础上,拟采用芯片线宽0.13微米先进工艺制程,新增硬件设备共计68台(套),新增软件系统2套。项目实施过程中不使用国家限制、淘汰类工艺设备,不生产国家限制、淘汰类产品,同步落实节能、环保、安全、消防、职业病危害防治措施,达到国家相关标准。
6.5亿元的总投资中包括建设投资58,950.45万元(其中设备投资52,335.64万元)铺底流动资金4,947.13万元,建设期利息1,102.50万元。资金来源于自有资金20,000.08万元,项目贷款45,000万元,由捷捷微电提供担保,无抵押。
捷捷微电表示,公司此次对外投资是公司的战略需要,在一期项目的基础上实施“高端功率半导体产业化建设项目(二期)”,进一步提升公司产品的先进性,扩大公司高端产品产能,提高运营效率和能力,促进国内功率半导体及下游应用行业的发展。
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