普冉股份拟2.83亿元投建存储芯片的衍生芯片开发及产业化项目

科创板日报6月29日讯，普冉半导体（上海）股份有限公司公告，公司使用超募资金2.83亿元(含利息及现金管理收益)用于投资建设新项目基于存储芯片的衍生芯片开发及产业化。

公司资料显示，普冉股份成立于2016年1月，是一家低功耗SPI NOR Flash 存储器芯片和高可靠性IIC EEPROM存储器芯片的供应商。公司主营业务是非易失性存储器芯片的设计与销售，主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片，属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。近年来，公司产品凭借低功耗和高可靠性等特点受到了市场及行业的广泛认可，业务收入保持快速增长趋势，现已成为国内重要的存储器芯片提供商之一。

作为半导体行业的创新者，普冉股份联合国内领先晶圆厂，整合先进的设计和工艺优势，致力于研发28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存储器产品，其可应用于传统的消费类和工业市场以及新兴的应用市场。普冉股份的NOR型串行Flash存储器产品，具有极具竞争力的裸芯片尺寸和高性能优势，为MCP和MCU方案商提供了一个很好的选择。此外，普冉股份推出的130nm非易失性IIC EEPROM存储器具备业界领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗，现已在智能电网、汽车前装、工业控制以及新兴的IoT领域广泛应用。

根据智慧芽数据显示，普冉股份目前共有80余件专利申请，其中发明专利超过70件，公司专利布局主要聚焦于存储器、电荷泵等相关领域。