普冉股份披露新产品及技术研发进展，在存储器芯片、延伸领域具备持续竞争力

集微网消息，3月21日，普冉半导体（上海）股份有限公司（以下简称“普冉股份”）对外披露新产品及技术研发进展。

公告称，存储器芯片方向全面展开公司采用电荷俘获的SONOS工艺结构40nm工艺节点下的NOR Flash全系列产品研发完成并成为量产交付主力，晶圆良率达到95%以上，实现了对公司原有55nm工艺节点下的NOR Flash产品的升级替代，产品竞争力及晶圆产出率有效提升。；公司采用浮栅ETOX工艺结构NOR Flash中大容量PY系列产品首颗开始量产出货，应用于可穿戴和安防等市场；车载EEPROM产品完成了AEC-Q100标准的全面考核，首先在车身摄像头和车载中控应用上实现了海外客户的批量交付；超大容量EEPROM系列开发完成，F系列产品支持SPI/I2C接口和最大4Mb容量，其中2Mb产品批量应用于高速宽带通和数据中心领域。；新一代128Kb至512Kb摄像头模组EEPROM产品应用于海外手机头部厂商旗舰机型，已实现量产。

模拟产品方向上，内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片产品进入大批量供货。支持下一代主控平台的1.2V PD系列音圈马达驱动芯片产品完成开发、流片和测试，性能指标均符合规范要求，产品进入客户送样阶段。微控制器方向上，首颗32位微控制器芯片产品功能和性能测试通过，进入客户送样阶段。

针对“新产品及技术研发对公司的影响”，普冉股份表示，在40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术的创新技术储备，使公司在存储器芯片及延伸领域均具备持续竞争力。（校对/小如）