景伊
2020年7月22日上市,688508芯朋微,无锡芯朋微电子股份有限公司目前市值77.00亿元,2022年三季度营业收入5.275亿元,净利润0.7887亿元,研究经费1.29亿元。所属行业半导体-模拟芯片设计,最赚钱业务集成电路(利润比例99.27%)。
主营产品智能家电类芯片、标准电源类芯片、移动数码类芯片、工业驱动类芯片、家用电器类芯片、工控功率类芯片。
1)发明专利屏蔽栅功率晶体管及其制备方法 申请号CN202210618598.5 申请日2022年6月1日 技术效果第一栅极结构末端接通电位高于第一栅极结构始端接通电位,能够使终端区的电场更加均匀,提高屏蔽栅功率晶体管的耐压可靠性,同时该第一栅极结构可作为高压电阻,简化外围驱动电路。
2)发明专利半导体装置及其版图结构、制作方法 申请号CN202210589151.X 申请日2022年5月27日 技术效果采用上述方案,可以在氮化镓衬底上集成具有电流采样和启动功能的半导体装置,从而改善具有电流采样和启动功能的半导体装置的性能。
3)发明专利反激式开关电源 申请号CN202210388026.2 申请日2022年4月13日 技术效果本发明以MOS管作为开启第二电容的开关,以在低压状态下,将第二电容接入,增大电容量,以保证输出稳定。在高压状态下,不接入第二电容,则第二电容可选为低耐压类型,进而缩小第二电容的体积,有利于实现小型化设计,提高电源的功率密度。
4)发明专利一种共模瞬态干扰抑制电路、隔离器 申请号CN202210249947.0 申请日2022年3月14日 技术效果号解调电路用于根据所述共模瞬态检测结果号对所述差分号进行解调,得到原始号。本发明方案可以有效抑制共模瞬态干扰所导致的号解码异常,改善隔离器的抗共模瞬态干扰的能力。
5)发明专利一种母线电容的放电装置及开关电源 申请号CN202210213391.X 申请日2022年3月4日 技术效果所述放电装置包括检测电路,用于检测供电端口是否断电,如果是,则产生并输出开启号,所述供电端口用于向所述母线电容供电;放电电路,响应于所述开启号,对所述母线电容进行放电,并且在放电过程中,控制放电电流逐渐增大。通过本发明提供的方案,能够提高母线电容的放电效率。
6)发明专利屏蔽栅晶体管及屏蔽栅晶体管的形成方法 申请号CN202111554766.0 申请日2021年12月17日 技术效果所述第三栅极结构位于终端区外侧,所述第三栅极结构浮空设置,可以承担第二栅极结构内栅介质结构的一部分耐压,缓解第二栅极结构内栅介质结构耐压压力,同时可以避免终端区结构中寄生结构的开启,具有较高的可靠性。
7)发明专利一种高压型复合器件 申请号CN202111410324.9 申请日2021年11月25日 技术效果本发明基于目前常用的高压JEFT加工工艺,在不增加额外的器件面积及工艺层次的基础上实现了对包含高压JFET和稳流二极管的复合器件的制备。
8)发明专利同步整流控制电路及开关电源系统 申请号CN202111080810.9 申请日2021年9月15日 技术效果在同步整流控制电路中设置防误开启电路,防误开启电路根据采样电压生成开启使能号并输出至开启比较电路。开启比较电路在接收到开启使能号后才生成开启号,从而可以有效避免同步整流控制电路的误开启。
9)发明专利一种深槽超结MOSFET功率器件及其制备方法 申请号CN202111018751.2 申请日2021年9月1日 技术效果本发明在保证器件外延层掺杂浓度不变的情况下对其结构进行了优化,不再要求生长出掺杂浓度呈线性变化的外延层,不仅降低了工艺难度,而且节约了生产成本、缩短了加工时间。
10)发明专利一种反激式开关电源及提高其转换效率的控制方法、电路 申请号CN202110778448.6 申请日2021年7月9日 技术效果本发明在主开关管关断延时一段时间后,再控制辅助开关管开通一段时间,抑制反向电流在辅助开关管的寄生二极管上的损耗,在几乎不增加硬件成本的情况下,能显著减小辅助开关管的损耗,提高效率,改善整机散热。
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【科创定位】688508芯朋微专利技术保护趋势
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2020年7月22日上市,688508芯朋微,无锡芯朋微电子股份有限公司目前市值77.00亿元,2022年三季度营业收入5.275亿元,净利润0.7887亿元,研究经费1.29亿元。所属行业半导体-模拟芯片设计,最赚钱业务集成电路(利润比例99.27%)。
主营产品智能家电类芯片、标准电源类芯片、移动数码类芯片、工业驱动类芯片、家用电器类芯片、工控功率类芯片。
1)发明专利屏蔽栅功率晶体管及其制备方法 申请号CN202210618598.5 申请日2022年6月1日 技术效果第一栅极结构末端接通电位高于第一栅极结构始端接通电位,能够使终端区的电场更加均匀,提高屏蔽栅功率晶体管的耐压可靠性,同时该第一栅极结构可作为高压电阻,简化外围驱动电路。
2)发明专利半导体装置及其版图结构、制作方法 申请号CN202210589151.X 申请日2022年5月27日 技术效果采用上述方案,可以在氮化镓衬底上集成具有电流采样和启动功能的半导体装置,从而改善具有电流采样和启动功能的半导体装置的性能。
3)发明专利反激式开关电源 申请号CN202210388026.2 申请日2022年4月13日 技术效果本发明以MOS管作为开启第二电容的开关,以在低压状态下,将第二电容接入,增大电容量,以保证输出稳定。在高压状态下,不接入第二电容,则第二电容可选为低耐压类型,进而缩小第二电容的体积,有利于实现小型化设计,提高电源的功率密度。
4)发明专利一种共模瞬态干扰抑制电路、隔离器 申请号CN202210249947.0 申请日2022年3月14日 技术效果号解调电路用于根据所述共模瞬态检测结果号对所述差分号进行解调,得到原始号。本发明方案可以有效抑制共模瞬态干扰所导致的号解码异常,改善隔离器的抗共模瞬态干扰的能力。
5)发明专利一种母线电容的放电装置及开关电源 申请号CN202210213391.X 申请日2022年3月4日 技术效果所述放电装置包括检测电路,用于检测供电端口是否断电,如果是,则产生并输出开启号,所述供电端口用于向所述母线电容供电;放电电路,响应于所述开启号,对所述母线电容进行放电,并且在放电过程中,控制放电电流逐渐增大。通过本发明提供的方案,能够提高母线电容的放电效率。
6)发明专利屏蔽栅晶体管及屏蔽栅晶体管的形成方法 申请号CN202111554766.0 申请日2021年12月17日 技术效果所述第三栅极结构位于终端区外侧,所述第三栅极结构浮空设置,可以承担第二栅极结构内栅介质结构的一部分耐压,缓解第二栅极结构内栅介质结构耐压压力,同时可以避免终端区结构中寄生结构的开启,具有较高的可靠性。
7)发明专利一种高压型复合器件 申请号CN202111410324.9 申请日2021年11月25日 技术效果本发明基于目前常用的高压JEFT加工工艺,在不增加额外的器件面积及工艺层次的基础上实现了对包含高压JFET和稳流二极管的复合器件的制备。
8)发明专利同步整流控制电路及开关电源系统 申请号CN202111080810.9 申请日2021年9月15日 技术效果在同步整流控制电路中设置防误开启电路,防误开启电路根据采样电压生成开启使能号并输出至开启比较电路。开启比较电路在接收到开启使能号后才生成开启号,从而可以有效避免同步整流控制电路的误开启。
9)发明专利一种深槽超结MOSFET功率器件及其制备方法 申请号CN202111018751.2 申请日2021年9月1日 技术效果本发明在保证器件外延层掺杂浓度不变的情况下对其结构进行了优化,不再要求生长出掺杂浓度呈线性变化的外延层,不仅降低了工艺难度,而且节约了生产成本、缩短了加工时间。
10)发明专利一种反激式开关电源及提高其转换效率的控制方法、电路 申请号CN202110778448.6 申请日2021年7月9日 技术效果本发明在主开关管关断延时一段时间后,再控制辅助开关管开通一段时间,抑制反向电流在辅助开关管的寄生二极管上的损耗,在几乎不增加硬件成本的情况下,能显著减小辅助开关管的损耗,提高效率,改善整机散热。
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