中芯集成一种体声波滤波器及其制造方法和电子装置专利授权！

射频前端芯片行业因产品广泛应用于移动智能终端，行业战略地位逐步提升，我国射频前端芯片行业迎来巨大发展机会，2022年我国射频前端芯片市场规模达到914.4亿元。中商产业研究院预测，2023年我国射频前端芯片市场规模继续保持高速增长，预计达到975.7亿元。

在射频前端领域，中芯集成公司率先在 4G、5G 多个频段的高频滤波器芯片制造工艺和集成系统模组取得突破，实现了高良率、高可靠性的大规模量产，制造的产品性能国内领先，进入了主流移动通讯市场。射频前端主要产品包括MEMS开关、MEMS滤波器BAW、MEMS谐振器等。

一种体声波滤波器及其制造方法和电子装置

专利申请流程有哪些步骤
申请2023-02-14---申请公布2023-05-23---授权----预估到期2043-02-14
基本息
申请号 CN202310166287.4 申请日 2023-02-14
申请公布号 CN116155224A 申请公布日 2023-05-23
授权公告号 - 授权公告日 -优先权号 - 优先权日 -分类号 H03H3/02

申请人息
申请（专利权）人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
发明人 冯雪丽 ;项少华; 蔡敏豪; 王冲
地址 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号 邮编 312000

代理人息
代理机构 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 代理人

摘要
一种体声波滤波器及其制造方法和电子装置，所述方法包括提供第一衬底；在所述第一衬底上形成缓冲层，以及在所述缓冲层上形成压电层；在所述压电层的第一表面形成第一电极；提供第二衬底，在所述第二衬底的第一表面沉积覆盖有金属层；将所述第二衬底沉积覆盖有所述金属层的一侧与所述第一衬底形成有所述第一电极的一侧相接合，以在所述金属层与所述第一电极之间形成第一空腔；依次去除所述第一衬底和所述缓冲层，以露出所述压电层的第二表面；在所述压电层的第二表面形成第二电极。本发明能够通过键合方式获得空腔结构，并对用于形成空腔结构的第二衬底进行整面性金属沉积，实现底部静电屏蔽。

法律状态
序号 法律状态公告日 法律状态 法律状态息
1 2023-06-09 实质审查的生效 实质审查的生效；IPC(主分类):H03H3/02；申请日:20230214
2 2023-05-23 公布

权利要求
1.一种体声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括
提供第一衬底；
在所述第一衬底上形成缓冲层，以及在所述缓冲层上形成压电层；
在所述压电层的第一表面形成第一电极；
提供第二衬底，在所述第二衬底的第一表面沉积覆盖有金属层；
将所述第二衬底沉积覆盖有所述金属层的一侧与所述第一衬底形成有所述第一电极的一侧相接合，以在所述金属层与所述第一电极之间形成第一空腔；
依次去除所述第一衬底和所述缓冲层，以露出所述压电层的第二表面；
在所述压电层的第二表面形成第二电极。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二电极之后，所述制造方法还包括
在所述压电层中形成通孔，所述通孔底部露出所述第一电极；
形成填充所述通孔的导电插塞，所述导电插塞与所述第一电极电连接；
在所述压电层的第二表面上形成第一键合金属部和第二键合金属部，所述第一键合金属部通过所述导电插塞电连接所述第一电极，所述第二键合金属部电连接所述第二电极。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二电极之后，所述制造方法还包括提供第三衬底，将所述第三衬底的第一表面与所述压电层的第二表面相接合，以在所述第三衬底的第一表面与所述第二电极之间形成第二空腔；
形成贯穿所述第三衬底的硅通孔，所述硅通孔用于引出所述第一电极或所述第二电极。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二电极之后，所述制造方法还包括
在所述第二电极上形成调频层，所述调频层露出所述第二电极的部分表面。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二衬底的第一表面形成有第一凹槽，所述压电层的第一表面覆盖所述第一凹槽，以形成所述第一空腔。
6.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第三衬底的第一表面形成有第二凹槽，所述压电层的第二表面覆盖所述第二凹槽，以形成所述第二空腔。
7.一种体声波滤波器，其特征在于，所述体声波滤波器包括
压电层，所述压电层的第一表面形成有第一电极，所述压电层的第二表面形成有第二电极；
第二衬底，所述第二衬底的第一表面沉积覆盖有金属层，所述金属层与所述压电层相接合，所述金属层与所述第一电极之间形成有第一空腔。
8.如权利要求7所述的体声波滤波器，其特征在于，还包括
贯穿所述压电层的导电插塞，所述导电插塞与所述第一电极电连接；
位于所述压电层的所述第二表面的第一键合金属部和第二键合金属部，所述第一键合金属部通过所述导电插塞电连接所述第一电极，所述第二键合金属部电连接所述第二电极。
9.如权利要求7或8所述的体声波滤波器，其特征在于，还包括
第三衬底，所述第三衬底的第一表面与所述压电层的第二表面相接合，所述第三衬底的第一表面与所述第二电极之间形成有第二空腔；
贯穿所述第三衬底的硅通孔，所述硅通孔用于引出所述第一电极或所述第二电极。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括如权利要求9所述的体声波滤波器。