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施学通
复旦微电获得发明专利授权“半导体单元器件”
证券之星消息，根据企查查数据显示复旦微电（688385）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体单元器件”，专利申请号为CN202010501168.6，授权日为2024年3月26日。
专利摘要一种半导体单元器件，包括电源区、PMOS管、NMOS管、接地区、输出端、金属连接层，金属连接层包括第一金属互连线及第二金属互连线，其中，PMOS管的源极与电源区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；NMOS管的源极与接地区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；输出端与第二金属互连线耦接；第一金属互连线上设置有可配置的第一通孔结构，以将第一金属互连线连接于选定的第一对象；第二金属互连线上设置有可配置的第二通孔结构，以将第二金属互连线连接于选定的第二对象，以使得第二对象与输出端导通。上述方案，在流片后需要更改半导体单元器件的输出逻辑时，无需进行ECO绕线，既可以实现半导体单元器件的输出逻辑的更改，故，可以降低ECO成本。
今年以来复旦微电新获得专利授权3个，与去年同期持平。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了10.11亿元，同比增37.42%。
数据来源企查查
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