悠然东篱1
证券之星消息,根据企查查数据显示国博电子(688375)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种隔离开关”,专利申请号为CN201810184357.8,授权日为2024年4月5日。
专利摘要本发明提出的是一种隔离开关,其结构包括输入变压器单元,反相号前馈单元和开关单元,其中输入变压器单元的输入端连接单端射频输入号端口,输入变压器单元的A耦合输出端和B耦合输出端分别连接开关单元的C输入端和反相号前馈单元的输入端,反相号前馈单元的A输出端和B输出端分别连接开关单元的A输入端和B输入端,开关单元的输出端连接单端射频输出号端口。优点可采用RF CMOS、GaAs、BiCMOS、SOI等多种工艺实现,工作频段宽,利用栅极以及衬底至源、漏极的耦合作用对射频泄露号进行抵消,大幅提高开关在关断模式下的隔离度;同时具有阻抗匹配作用,可单片集成,亦可采用分立器件搭建,应用灵活,成本较低,具有广阔的应用前景和价值。
今年以来国博电子新获得专利授权8个,较去年同期增加了700%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了1.79亿元,同比增1.6%。
数据来源企查查
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国博电子获得发明专利授权“一种隔离开关”
证券之星消息,根据企查查数据显示国博电子(688375)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种隔离开关”,专利申请号为CN201810184357.8,授权日为2024年4月5日。
专利摘要本发明提出的是一种隔离开关,其结构包括输入变压器单元,反相号前馈单元和开关单元,其中输入变压器单元的输入端连接单端射频输入号端口,输入变压器单元的A耦合输出端和B耦合输出端分别连接开关单元的C输入端和反相号前馈单元的输入端,反相号前馈单元的A输出端和B输出端分别连接开关单元的A输入端和B输入端,开关单元的输出端连接单端射频输出号端口。优点可采用RF CMOS、GaAs、BiCMOS、SOI等多种工艺实现,工作频段宽,利用栅极以及衬底至源、漏极的耦合作用对射频泄露号进行抵消,大幅提高开关在关断模式下的隔离度;同时具有阻抗匹配作用,可单片集成,亦可采用分立器件搭建,应用灵活,成本较低,具有广阔的应用前景和价值。
今年以来国博电子新获得专利授权8个,较去年同期增加了700%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了1.79亿元,同比增1.6%。
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