东微半导(688261)首次覆盖高压MOS龙头 TGBT开启新成长曲线

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投资逻辑

    高压MOSFET 龙头，深度受益新能源快速发展。公司深耕高性能功率器件领域，产品主攻工业和新能源汽车相关等中大功率的应用。短期来看，我们看好新能源车、充电桩、光伏及储能逆变等下游的旺盛需求；中长期来看，公司凭借差异化设计、丰富的料号和出色的产品性能有望在和国内同行的竞争中保持领先优势，在国产替代进程中实现市占率的提升。

    高压超级结、中低压屏蔽栅MOSFET 性能优异，国产替代市场空间广阔。

    高压超级结MOSFET 主要下游应用为直流充电桩、OBC、光伏储能逆变器、服务器电源等，中低压屏蔽栅MOSFET 主要下游应用为电动工具、逆变器、UPS 电源、消费电子充电器等。根据芯谋研究，2021 年MOSFET 国产化率为30.5%，预计随着国产替代的加速，至2026 年MOSFET 国产化率将达64.5%。1H22 公司高压超级结MOSFET 营收为3.64 亿元，占比78.05%。我们预测2022~2024 年，公司高压超级结MOSFET 营收为8.85、11.38 和14.11 亿元，同比+55.57%、+28.68%、+23.95%。

    技术创新丰富产品线，IGBT 开启新的成长曲线。公司创新设计的650V 三栅TGBT 性能已达到国际领先的英飞凌IGBT 7 代水平，第二代TGBT 产业化进展顺利。2021 年公司TGBT 产品已送测至比亚迪、汇川等工控和汽车领域客户，批量出货至新明海、欧亚玛等光伏客户。我们测算，IGBT 目前的国产化率小于20%，中国IGBT 市场规模将在2025 年达到458 亿元，2020~2025 年CAGR 为21%。1H22 公司TGBT 业务实现营收1700 万元，占比3.67%。我们预计2022~2024 年，公司TGBT 业务将迅速扩张，营收分别为0.5、1.5 和3 亿元，分别同比+780.28%、+200.00%和+100.00%。

    IPO 情况新股发行16.84 百万股，募集资金净额20.07 亿元，对应发行价130.00 元/股。资金拟投入超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化、新结构功率器件研发及产业化、研发中心建设以及科技和发展储备资金项目。

    盈利预测与估值

    预测公司2022~2024 年净利润分别为2.90、4.07 和5.35 亿元，EPS 分别为4.31、6.04、7.94 元，对应PE 为56.01、39.91、30.38 倍。首次覆盖给予公司2023 年46xPE，“买入”评级，目标价278 元。

    风险提示

    产品结构单一的风险、供应链管理的风险、新产品研发推广不及预期的风险、限售股解禁的风险。

来源[国金证券股份有限公司 樊志远/刘妍雪/邓小路]   日期2022-12-19