天岳先进(688234)聊吧

碳化硅被称为第三代半导体产品，材料是硅和碳组合，特点是比其他半导体耐高压，抗电压击穿，所以在变频领域，被应用于相对高压电的产品上，重点在新能源电车的电机变频，光伏发电的逆变器的变频等等，并且有可能取代 详情

今天一直在感慨，时来天地皆同力东尼电子，为什么同样在同样的位置，之前10连阳，只能想它调整都不调整，现在9连阴，想它涨，它死活不涨。这里面是什么原因呢？涨多了？那里面谁决定涨多了？谁有在坚守？谁在跑路 详情

最近，ICSCRM2022在瑞士达沃斯举办，涌现了许多的碳化硅新技术成果，其中，天岳先进在会上宣布，他们成功研发了8英寸碳化硅衬底，具有良好的结晶质量。截至目前，国内外已有12家企业成功研发了8英寸碳 详情

今天有点反弹的感觉，我的持仓不变，阳光电源可创新高，天齐锂业可到200，天岳先进是我最看好的，上限我不知道。 详情

科创板做市商8家券商获批。科创板芯片ETF，科创板新材料ETF火速获批。近期跟踪研究一下科创板吧。拓荆科技，安集科技，江丰电子，天岳先进，复旦微电。 详情

近日，国内外多个企业披露了第三代半导体最新扩产计划及项目进展情况。国外看，SKSiltron计划成立一家合资企业，开发碳化硅和氮化镓半导体；Wolfspeed将在美国新建全球最大碳化硅材料工厂。国际大 详情

核心观点1.公司上海临港的上海天岳碳化硅半导体材料项目已经成功封顶，济南工厂将部分半绝缘产能调整为6英寸导电衬底生产，目前已经对部分客户形成小批量供货。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右 详情

公司自成立以来，专注于碳化硅衬底的制备技术，经过十余年的技术发展，已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉 详情

第三代半导体投资加速！多家国际龙头忙扩产，未来市场规模或超500亿近日，国内外多个企业披露了第三代半导体最新扩产计划及项目进展情况。国外看，SKSiltron计划成立一家合资企业，开发碳化硅和氮化镓半 详情

截至2022年9月14日收盘，天岳先进(688234)报收于103.78元，上涨3.99%，换手率5.61%，成交量2.02万手，成交额2.06亿元。资金流向数据方面，9月14日主力资金净流入1228 详情

【直击业绩会|东尼电子SiC产品仍处送样阶段拟引战推进项目产业化进展】东尼电子“年产12万片碳化硅半导体材料”项目主要研发6英寸导电型碳化硅衬底，建设期36个月。而6英寸SiC衬底也是目前行业较为主 详情

【盘前题材挖掘】①电动车、新能源领域的需求急增，第三代半导体加速“上车”建议关注:天岳先进露笑科技②上合组织峰会有望接纳新成员加入，或刺激相关板块上行；建议关注:国统股份传化智联③营收+净利润+净利率 详情

1、功率半导体（IGBT和高压MOS）和第三代半导体（碳化硅）（1）功率Fabless斯达半导、新洁能、东微半导、宏微科技等；（2）功率IDM时代电气、扬杰科技、士兰微、闻泰科技等。（3）碳化硅 详情

天岳先进(688234)09月09日在投资者关系平台上答复了投资者关心的问题。投资者董秘你好！贵司现阶段正加快6英寸导电型衬底的市场开拓和产能建设，此次贵司与客户签订了预计金额13.93亿元的长期协 详情

天岳先进交流纪要2022-09-0300:29【公司及技术介绍】1公司历史沿革1.12011年第一个难题是要碳化硅的扩径问题。碳化硅是轴向生长，籽晶决定晶体大小。如果扩径中有压力和温度变化，在没有籽 详情

昨（29）日晚间，天岳先进公布2022年半年报。上半年营收为1.61亿元，同比下降34.95%；归属于上市公司股东的净利润为-7284.29万元，而去年同期则盈利4790.80万元。天岳先进主要产品包 详情

举国体制要解决卡脖子问题半导体产业链的关键设备材料。比如，材料领域（江丰电子、新莱应材、雅克科技、安集科技、菲利华）（注非推荐，仅为剖析市场，下同）；设备方面（华海清科、拓荆科技、北方华创、长川科技 详情

天岳先进9月7日资金净流入1719.24万元，涨幅6.94%。近3日天岳先进主力资金持续流入，3日共净流入5640.54万元，涨幅11.18%。 详情

早盘发的都是强势股，有人喜欢新莱应材，有人喜欢科技术，有人喜欢天岳先进。一千个人心中有一千个哈姆科特。他们的节奏虽略有不同，但都有一些共同的特征。量化这些特征，可以帮助快速定位。考虑到指数有风险，所 详情

有投资者在投资者互动平台提问董秘你好！贵司导电型碳化硅器件无论从产能、营收及贡献利润都远远逊色于锗化镓类器件，原因何在？贵司是否后续加大对碳化硅器件的研发投入？天岳先进（688234. 详情

搜索更多机构调研纪要、电话会纪要请访问【文八股调研】电脑端更多纪要请关注【文八股调研】来源网络（真伪自辨）全文共计2363字天岳先进交流纪要【公司及技术介绍】公司历史沿革2011年第一个难题是要碳 详情

天岳先进交流纪要【公司及技术介绍】公司历史沿革2011年第一个难题是要碳化硅的扩径问题。碳化硅是轴向生长，籽晶决定晶体大小。如果扩径中有压力和温度变化，在没有籽晶的位置是随机生长，很难制成单晶。我们 详情

天岳先进交流纪要2022-09-0221:23【公司及技术介绍】1公司历史沿革1.12011年第一个难题是要碳化硅的扩径问题。碳化硅是轴向生长，籽晶决定晶体大小。如果扩径中有压力和温度变化，在没有籽 详情

1碳化硅第三代半导体材料核心半导体材料作为电子息技术发展的基础，经历了数代的更迭。以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较 详情

【直击业绩会|天岳先进(688234.SH)公司正加大导电性衬底产能建设8英寸衬底开发进展顺利】9月1日，天岳先进(688234.SH)在2022年半年度业绩说明会上表示，截至目前，公司8英寸衬底开 详情