第三代半导体

碳化硅

国内从事碳化硅晶片生长的企业包括露笑科技、天科合达和山东天岳先进等。从事外延片生长的企业包括瀚天天成和东莞天域等；从事碳化硅器件设计制造的企业包括泰科天润、华润微、绿能芯创、上海詹芯、基本半导体、中国中车等。同时从事外延生长和器件制作的企业包括中电科五十五所、中电科十三所和 三安集成等。碳化硅的市场应用领域偏向 1000V 以上的中高电压范围。2020 年全球碳化硅衬底有效产能约为 40-60 万片，天岳先进约 5.2 万片/年，天科合达约 4.5 万片/年。露笑科技、三安光电尚在投产验证期。
● 功率器件和 MOSFET 锴威特的同行业，士兰微、华微电子为 IDM 模式经营的公司，士兰微同时从事 IGBT、IC 等多种产品的制造和销售，业务丰富，规模较大；新洁能、东微半导和发行人同为采用 Fabless 经营模式的芯片设计企业，主营业务更为集中。发行人研发人员占比与同行业可比公司不存在明显差异。发行人和士兰微同时涉及功率器件和功率 IC 的研发。另外，发行人还涉及 SiC 功率器件的研发。因此，发行人研发投入占比高于华微电子、新洁能和东微半导。
● 国内来看，碳化硅领域企业包括山东天岳先进、中车时代电气，两者均在科创板上市，此外，晶盛机电、基本半导体以及臻驱科技等近来也获融资，加码碳化硅领域。碳化硅器件代工领域，国内企业包括中车时代电气、华润微（688396.SH）以及泰科天润等，其中泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。目前泰科天润的碳化硅器件 650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A -50A，3300V/0.6A-50A 等系列的产品已经投入批量生产。在SiC外延的研发和量产方面，瀚天天成旗下产品已切入国际市场，SiC IDM则主要有泰科天润、世纪金光、基本半导体、中电科15所、中电科13所等。从产业链来看，SiC衬底是碳化硅器件的核心难点，国内涉及山东天岳等。

国内从事碳化硅衬底业务的企业主要有天岳先进、天科合达、露笑科技、三安光电等。其中，天岳先进主要经营半绝缘型碳化硅衬底，天科合达、露笑科技、三安光电主要经营导电型衬底。从产业链布局情况来看，三安光电产业一体化程度较高。

晶盛机电是国内领先的专注于“先进材料、先进装备”的高新技术企业，围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大主要半导体材料开发出一系列关键设备，并延伸到化合物衬底材料领域

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华为DriveONE-高效SiC高压同步总成，支持750V和900+V双电压，在250A的快充桩上就可以实现极速4C充电，功率密度达到2.4kW/kg。

据不完全统计，目前华为哈勃共投资了5家碳化硅相关企业，遍布碳化硅全产业链，分别为山东天岳、北京天科合达、瀚天天成、东莞天域半导体和特思迪。
      ● ● SiC衬底领域——山东天岳、天科合达 2019年，华为哈勃科向山东天岳投资持股6.34%。2022年1月，山东天岳作为“碳化硅第一股”正式在上交所科创板挂牌上市，其主要产品包括半绝缘型和导电型SiC衬底。2019年，华为哈勃联合其他2家公司以1.27亿元左右认购天科合达股份，目前持股3.697%。2023年2月，天科合达完成了Pre-IPO融资，其主要产品为4英寸和6英寸碳化硅晶片，并已启动了8英寸晶片研发工作。
      ●   ● SiC外延领域——瀚天天成、东莞天域。2020年11月，华为哈勃投资了瀚天天成，这是华为投资的第一家碳化硅外延企业，目前持股4.5257%。2023年2月，瀚天天成完成了新一轮战略融资，并于同年3月与厦门大学成功实现了8英寸碳化硅同质外延生长。2021年7月，华为哈勃投资了东莞天域，目前持股6.8218%（2022年9月更新）。2022年12月，东莞天域完成了约12亿元的Pre-IPO融资，目前在建总投资达80亿元的天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目，建成后将用于生产6英寸、8英寸碳化硅外延晶片，预计年产能120万片。
      ● ● 其他碳化硅企业 2022年2月，华为哈勃投资了特思迪，目前持股9.4118%。该公司可提供如SiC、GaN等半导体衬底材料的减薄、研磨、抛光、贴蜡、刷洗设备和工艺解决方案等