【微导纳米】海力士降内存功耗核心技术，国内打破垄断

【微导纳米】海力士降内存功耗核心技术，国内打破垄断唯一量产设备
据外媒Chosun Biz报道，AI领域，HBM等高性能内存在提升计算性能方面的重要性不断上升，但功耗问题愈发严重。例如英伟达数据中心平台中，DRAM功耗占40%，HBM随层数增大功耗上升。三星电子和SK海力士与学术界合作，投资下一代技术以降低功耗。海力士推出的全新1anm LPDDR5X DRAM，将High-K金属栅（HKMG）工艺应用于移动 DRAM，LPDDR5X 速度提高了33%，功耗比上一代产品降低了 20% 以上。
过去HKMG工艺主要用于逻辑芯片，随着市场需求的发展，特别是AI领域对于高性能DRAM的需求，使得DRAM制程工艺演进到了10nm-20nm范围，此时，高性能与低功耗的矛盾逐渐凸出，而HKMG是解决这一矛盾体的有效方法，High-K 材料的介电常数比传统SiON绝缘膜高约5倍，使漏电减少10倍之多，因此功耗也能得到很好的控制。
对此建议关注【微导纳米】，国内唯一High-K工艺设备量产公司，降低HBM功耗核心技术的掌握者。
ALD（原子层沉积）技术能够实现高质量、精确控制的薄膜沉积，绝大多数High-K介质依赖ALD工艺。公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，公司实现国产ALD设备在28nm集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破，并且已经供货于存储芯片公司，并已获得客户重复订单认可。
目前，HKMG技术凭借诸多优势已广泛引起了国内晶圆厂的关注，包括中芯国际、长江存储、长鑫存储等大厂均有相关技术布局，作为HBM高性能内存降低功耗的核心设备将开启新一轮增长空间，目前ALD设备企业中TEL和ASM分别在DRAM电容和HKMG工艺率先实现产业化应用，2022年TEL、ASM两家市场占有率达60%。受外部因素影响，微导纳米的High-K ALD设备将是国内晶圆厂的唯一选择，公司将显著受益。