半导体设备 - 中微公司

    公司成立于2004年，立足半导体微加工设备，披荆斩棘近20载，布局半导体设备刻烛+薄膜沉积+量测等核心领域。目前半导体设备国产替代已过了0到1，现在到了1到N，放量阶段。巨头雏形已成，未来几年将步入半导体全球前列。

1、刻烛

1）、电容性高能等离子体刻烛设备CCP

a、12 英寸高端刻蚀&65nm~5nm先进制程

b、3d NAND 64~128层以上存储芯片刻烛设备已进入应用

b、逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺突破日本东京电子垄断

c、存储器件的极高深宽比刻蚀突破突破美国泛林集团垄断

d、至今已完成第三代迭代，后续在配合客户需求，开发新一代刻蚀设备，能够涵盖客户更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。

2）、电容性低能等离子体刻烛设备ICP

a、满足逻辑、DRAM 和 3D NAND 等各类芯片生产线

b、8 英寸和 12 英寸深硅刻蚀设备在先进系统封装、2.5 维封装 和微机电系统芯片生产线

c、下一代开发目标用于 5-3 纳米逻辑芯片制造的ICP刻蚀机、用于先进逻辑和 DRAM 芯片制造的7-5nm ICP刻蚀机、面向 300mm 3D NAND Flash工艺大生产线需求，开发用于 TSC-ET 关键工艺刻蚀设备

3）、原子层刻蚀ALE

筹划中，一般应用于5nm以下制程；ALE是一种能够精密控制被去除的材料量的先进技术，原子层蚀刻在芯片制造领域并没有取代传统等离子蚀刻工艺，而是被应用于目标材料去除过程需要原子级精密控制的情况下。

2、薄膜沉积 - 聚焦化学薄膜，不涉及PVD、镀铜、炉管CVD

1）、MOCVD

未来在照明、显示（含led、Mini LED、Micro LED、AR/VR）、功率器件（含氮化镓、碳化硅等）三大领域覆盖75%市场。

2）、PECVD

投资拓荆科技8.4%，布局半导体薄膜沉积PECVD&ALD

投资理想万里晖4.77%，布局光伏PECVD

3）、LPCVD

从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对 前端器件的损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐 渐超过内阻，成为影响器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向 多层接触孔演变。在可以预见的 2nm 以及更高的节点，钨接触孔依然是最有竞争力的解决方案。

CVD 钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮 化钛材料。在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来 沉积这样的氮化钛。如今主流的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸都很小，深宽比都很 高，传统的物理气相沉积氮化钛由于较低的阶梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉 积的氮化钛具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡层和粘结层的主要选择。

国际国内先进逻辑器件工艺节点从 14nm、7nm 向 5nm 及更先进工艺方向发展，器件互联电 阻逐渐增大成为影响器件速度的关键因素。在 90nm 到 28nm 的传统工艺节点中，降低接触孔电阻 的关键是降低钨膜的电阻率。但是在 14nm 及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触 孔阻值的影响越来越明显，如何减少或者消除阻挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、钌等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工艺节点上开发和应用。先进逻辑器件 还需要均匀性和稳定性更好的金属栅的填充技术，以提高器件的性能和稳定性。随着 3D NAND 堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到 401 到 601 以上，这对氮化钛阻挡层的生长和极 高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性的 WL 线路填充，包括更高的深宽比和更长的横向填充。这些新工艺都要通过先进的金属 CVD 或 ALD 来实现。

公司完全自主设计开发的双台机金属互联的的 W CVD 设备，可以达到业界领先的生产率，同时保证较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用，以及 64 层和 128 层 3D NAND 中的多个关键应用。

4）、EPI

聚焦28nm及以下逻辑芯片、存储器件、功率器件。公司组建的 EPI 设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经形成自主知 识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案。目前公司 EPI 设备已进入样机的设计，制造和调试阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。

5）、ALD

一般用于10nm及以下先进制程，公司在开发 ALD 金属（含钨、氨化等）工艺方案，以满足先进存储高深宽 比结构的填充需求以及逻辑前端金属栅的需求。

3、量测

控股睿励科学仪器，占股34.75%，第一大股东

4、投资业务协同

1）、洪朴息 24.09%

中国领先的制造业人工智能解决方案提供商，致力于探索人工智能技术在传统制造企业生产流程中的商业化路径。公司深耕先进制造业，打磨有制造业应用场景的人工智能技术，旨在为制造业企业提升生产效率，进而提升其产品市场竞争力。围绕“人、机、料、法、环”诸多场景，洪朴息将人工智能“植入”生产线的关键环节，主要产品包括“智能外观缺陷检测”和“智能生产过程管理”等，显著减少操作人工，同时提升制造业企业生产效率，进而优化生产工艺，持续提高企业产品良率。

2）、芯元基半导体 10% - GaN材料

   创立于2014年，GaN材料领域的先行者，一家半导体元件研发生产商，主要从事以GaN为主的第三代半导体材料和电子器件的生产、销售，拥有LED芯片DPSS复合衬底、蓝宝石衬底化学剥离和WLP晶圆级封装等系列LED芯片生产技术。

3）、理想万里晖

主营太阳能、泛半导体和半导体高端PECVD装备，系列光伏和AMOLED显示等领域高端PECVD系列产品多次打破国外垄断、填补国内空白，是中国高端PECVD装备的优选供应商。

4）、成都超纯

成都超纯应用材料有限责任公司是一家以技术为先导的半导体刻蚀器件，高功率激光器件和特种陶瓷的国家高新技术制造企业。成都超纯具有自主知识产权，开发了多类高技术，包括先进表面处理技术，可为半导体刻蚀器件和MOCVD器件提供专业的表面处理服务，拥有较强的研发实力。

5）、芯视佳

深圳市芯视佳半导体科技有限公司，是一家专注于硅基OLED IC设计及硅基OLED微显示屏研发制造的创新型科技企业，致力于为全球客户提供高分辨率、高对比度、超轻薄、低功耗、高可靠的硅基OLED微显示器件，其广泛应用于VR/AR、电子取景器、微型投影仪、头盔显示、枪瞄等领域；同时芯视佳科技为客户提供各种尺寸的LCD显示屏、OLED显示屏、微显示屏、盖板等显示相关产品，以及定制化的IC设计、驱动技术服务和一站式显示解决方案。

6）、昂坤视觉

由资深海归专家创建的半导体高科技企业，位于昌平区新元科技园。公司致力于为化合物半导体、光电子和集成电路产业提供光学测量和光学检测设备及解决方案，具备业界认可的光学系统设计，光学成像技术和机器视觉算法研发能力。自成立以来，昂坤视觉始终坚持自主原创技术的持续投入与研发，在光学系统设计、光学成像技术、机器视觉算法等方面形成关键技术积累与突破，其系列化晶圆缺陷检测设备已在LED芯片、化合物半导体、特色工艺集成电路领域形成批量出货，并得到众多头部客户的认可和好评。昂坤视觉目前已获得国家高新技术企业、中关村高新技术企业、专精特新中小企业认定。

7）、中欣晶圆

主要从事高品质集成电路用半导体硅片的研发与生产制造。现拥有9条8英寸生产线、2条技术成熟的12英寸生产线，具备年产能240万片/300mm、540万片/200mm、480万片/150mm，致力于成为全球半导体晶圆片的主力供应商之一，打破国外公司对国内半导体晶圆片市场长期垄断的局面，实现半导体硅材料行业真正的“中国智造”。

8）、新美光

新美光（苏州）半导体科技有限公司是一家半导体硅晶圆加工工艺和技术服务商，致力于提供全面的解决方案，从调试级硅片，测试级硅片，到产品级硅片，以及特殊硅片氧化硅片、氮化硅片、镀铝硅片、镀铜硅片、Spacer Wafer、SOI Wafer、超平硅片、MEMS Glass、定制硅片等。

9）、Solayer   

Solayer于2007年成立于德国的德累斯顿—萨克森硅谷，是一家镀膜和膜层改性设备和技术供应商。公司的产品范围包括用于实验室研究，试生产和批量生产的部件和整机，涉及领域包括精密光学、显示、太阳能、玻璃、半导体、新兴技术、防腐剂等。

10）、博日科技

杭州博日科技有限公司(BIOER)是一家专业从事生命科学仪器和试剂研发、生产、销售及服务的企业。公司位于杭州高新技术产业开发区（滨江区），占地26000㎡，建筑面积 15000㎡，拥有一万级的超级净空房、GMP试剂车间、中心实验室等一流的环境和设备。

11）、数字光芯

数字光芯成立于2019年6月，总部位于北京市，致力于推动数字光场芯片领域的变革。历经团队多年研发和技术积累，现已完成包括LCoS、Micro OLED、Micro LED的硅基MOS驱动芯片流片并成功点亮，为客户提供多样的、海量的、可寻址的、可调节灰度的开关电极阵列。