碳化硅器件需求高涨 衬底龙头又签长单 下半年行业出货有望放量

《科创板日报》8月24日讯（编辑 郑远方）今日，全球碳化硅（SiC）衬底市占率第二的高意集团（II-VI）宣布，已与英飞凌签订SiC（碳化硅）衬底多年供应协议，将为后者供货6英寸SiC衬底，并共同开发过渡至8英寸SiC衬底。

英飞凌首席采购官Angelique van der Burg表示，由于客户需求快速增长，公司正在加大SiC制造投资力度。

值得一提的是，就在一周前（8月17日），高意集团宣布，已与东莞天域半导体签订1亿美元供货订单，向后者供应SiC 6英寸衬底，从本季度开始到2023年底交付。

此外，Wolfspeed、安森美日前也已双双上调碳化硅业务收入预期。

其中，Wolfspeed全球SiC衬底市占率第一，公司将2026年营收预期较去年底提出的21亿美元目标提高30%-40%。

安森美则将2022年SiC营收预期上调为“同比增长3倍”，此前为增长1倍；公司预计到2023年该业务收入将超过10亿美元；未来3年在手的SiC长期供应协议金额超过40亿美元，此前披露的为26亿美元。

▌新能源行业助推需求 SiC渗透率逐步提速

正如高意集团在本次新闻稿中所述，电动汽车市场的飞速增长下，汽车传动系统、动力电池、充电基础设施等对SiC相关器件的需求水涨船高——这也是英飞凌签下保供长单的一大原因。

的确，新能源车单车便有13处零部件需使用SiC器件； SiC更是电驱系统向高电压升级的核“芯”，有望解决电动车里程焦虑及充电速度慢两大核心痛点。

意法半导体CEO也曾在7月受访时表示，公司已与20家车企达成合作，将SiC MOSFET用于汽车动力总成电动化。

除去新能源汽车产业链之外，SiC的主要应用场景还包括光伏逆变器、工业变频器等。例如，锦浪科技6月接受机构调研时便表示，公司已在二极管及MOSFET器件上，同时推进SiC替代IGBT，其中直流侧替代相对更快；且明年已订下不少SiC器件，几乎所有产品系列都将用到。

在多应用助推之下，中金公司预计，2022-2024年，SiC器件有望迎来增速最快的三年周期。

▌衬底仍为行业产能瓶颈 下半年8英寸产能有望放量

然而，衬底一直是SiC器件产能的一大关键瓶颈。方正证券预计，2026年全球SiC衬底有效产能为330万片，距同年629万片的衬底需求量仍有较大差距。

也正是因此，“从6英寸逐渐向8英寸升级”成为SiC衬底晶圆的一项主流未来趋势——这也同样是英飞凌与高意集团的本次合作内容之一；且业内也将这一趋势看作SiC降低成本的一个重要途径。

Wolfspeed数据显示，升级至8英寸衬底晶圆后，每片晶圆上的SiC芯片数量将较现有的6英寸晶圆增加近90%。

中金公司指出，在8寸SiC晶圆大规模普及之前，导电型衬底供应量依然制约了SiC器件市场快速发展。

不过，如今这一难题有望逐步缓解。据TrendForce此前报告预计，包括高意集团在内，Wolfspeed、Qromis等SiC衬底厂商均有望在2022下半年量产8英寸衬底。

得益于此，第三代功率半导体产值也将从2021年的9.8亿美元，增长至2025年的47.1亿美元，年复合成长率高达48%。