长飞先进完成超38亿融资 光谷金控与东风资产参投

雷递网 乐天 7月1日

安徽长飞先进半导体有限公司正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，新增投资方包括光谷金控、富浙、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金（中金上汽、中金瑞为、中金知行、中金启合）、海通并购基金、国元金控集团旗下基金（国元股权、国元基金、国元创新）、鲁创投、东风资产、建托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝樾启承、云岫资本等。

在新投资人及老股东的鼎力支持下，长飞先进称，将锚定公司战略持续加强产品研发、提升制造工艺、扩充产能规模、强化客户开发、优化人才团队，不断夯实行业地位。

据介绍，长飞先进专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。

长飞先进现已启动位于“武汉·中国光谷”的第二基地建设，项目一期投资规模超60亿元，项目总投资预计超过200亿元。

项目一期将于2025年建设完成，届时将成为国内碳化硅产能最大(年产36万片碳化硅晶圆)、封装产线齐全、以及包含外延生长和前沿创新中心的一体化新高地。

长飞光纤总裁庄丹称，长飞先进是长飞光纤在第三代半导体领域深度布局的重要举措，也是长飞光纤近年来实施多元化战略及战略转型的代表体现。“我们始终坚定不移地看好长飞先进发展，并在此轮融资中进一步重仓加码支持，我们未来将一如既往地竭尽所能，倾力注入技术、人才、资金、客户等战略资源，助力其成为国际领先的第三代半导体制造企业。”

光谷金控董事长秦军说，“长飞先进是国内领先的第三代半导体功率器件制造厂商，我们认可公司的发展规划与战略目标，其武汉基地项目对于打造光谷碳化硅芯片制造龙头，完善化合物半导体产业链具有重要意义。”

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