注册返回主站

捷捷微电取得能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法专利，能提高器件的耐压能力

作者：72King
2024-02-05 12:24:24
分享：

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“能提高耐压能力的半导体器件终端结构及其制造方法“，授权公告号CN108598151B，申请日期为2018年5月。

专利摘要显示，本发明涉及能提高耐压能力的半导体器件终端结构及制作方法，包括终端保护区，终端保护区环绕在元胞区的周围终端保护区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有一个环绕元胞区的第二导电类型场限环区，第二导电类型场限环区内第二导电类型离子浓度从终端区指向元胞区的方向上逐渐增大，形成浓度渐变梯度；本发明器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力，且能减小终端的宽度，增大有源区的面积，进而降低器件导通电阻。

温馨提醒：用户在赢家聊吧发表的所有资料、言论等仅代表个人观点，与本网站立场无关，不对您构成任何投资建议。本文中出现任何联系方式与本站无关，谨防个人信息，财产资金安全。