淼NOW
前段时间,有3家上市公司宣布涉足碳化硅半导体领域,最近,又有2家上市公司公布最新碳化硅项目息
● 晶盛机电最新募投项目去掉了碳化硅项目,该项目原计划投资额超31亿元;
● 新洁能14.5亿SiC/GaN项目将于今年5月取得建设用地。
晶盛机电
调出31亿碳化硅项目
3月22日,晶盛机电发布公告,将“碳化硅衬底晶片生产基地项目”从募投项目中调出。
早在2021年10月,晶盛机电宣布募资不超过57亿元,其中约31亿元将用于建设6英寸碳化硅衬底项目,计划建成后实现年产能40万片。
根据最新公告,晶盛机电本次向特定对象发行募集资金总额不超过14.2亿元,去掉了31亿碳化硅募投项目,并相应调减了补充流动资金项目金额。
据“三代半风向”此前报道,该碳化硅衬底项目已于2021年11月15日启动,而且,今年2月10日,晶盛机电董事长曹建伟博士表示,他们碳化硅项目已经完成厂房的整体设计,预计今年3月动工。
关于碳化硅项目,晶盛机电表示,后续拟使用自有资金及其他融资方式投入,并相应调减了补充流动资金项目金额。
新洁能
募资14.5亿扩建SiC/GaN 项目
3月22日,无锡新洁能非公开发行股票申请文件反馈意见的回复报告中提到,新洁能本次募投项目的建设用地选址已完成,预计将于今年5月取得约3.2万平方米的项目建设用地。
据了解,新洁能募资近14.5亿元,建设第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化和SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化等项目。
其中,第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化项目建设周期为两年,主要开发TO系列、DFN系列等不同封测工艺下的SiC MOSFET和GaN HEMT功率器件。项目建成后,将年产2640万只 SiC/GaN 功率器件。
SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化项目建设周期为三年,主要出PIM模块产品,预计建成后将年产362.6万只 SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块。
新洁能成立于2013年,并于2020年9月在上海证券交易所挂牌交易。据悉,该公司主要采取Fabless的经营模式,专注于从事半导体功率器件的研发与销售。新洁能2021年实现营业收入14.98亿元,同比增长56.89%。
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答:晶盛机电的注册资金是:13.1亿元详情>>
答:晶盛机电上市时间为:2012-05-11详情>>
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31亿碳化硅项目募资有变动,什么情况?
前段时间,有3家上市公司宣布涉足碳化硅半导体领域,最近,又有2家上市公司公布最新碳化硅项目息
● 晶盛机电最新募投项目去掉了碳化硅项目,该项目原计划投资额超31亿元;
● 新洁能14.5亿SiC/GaN项目将于今年5月取得建设用地。
晶盛机电
调出31亿碳化硅项目
3月22日,晶盛机电发布公告,将“碳化硅衬底晶片生产基地项目”从募投项目中调出。
早在2021年10月,晶盛机电宣布募资不超过57亿元,其中约31亿元将用于建设6英寸碳化硅衬底项目,计划建成后实现年产能40万片。
根据最新公告,晶盛机电本次向特定对象发行募集资金总额不超过14.2亿元,去掉了31亿碳化硅募投项目,并相应调减了补充流动资金项目金额。
据“三代半风向”此前报道,该碳化硅衬底项目已于2021年11月15日启动,而且,今年2月10日,晶盛机电董事长曹建伟博士表示,他们碳化硅项目已经完成厂房的整体设计,预计今年3月动工。
关于碳化硅项目,晶盛机电表示,后续拟使用自有资金及其他融资方式投入,并相应调减了补充流动资金项目金额。
新洁能
募资14.5亿扩建SiC/GaN 项目
3月22日,无锡新洁能非公开发行股票申请文件反馈意见的回复报告中提到,新洁能本次募投项目的建设用地选址已完成,预计将于今年5月取得约3.2万平方米的项目建设用地。
据了解,新洁能募资近14.5亿元,建设第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化和SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化等项目。
其中,第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化项目建设周期为两年,主要开发TO系列、DFN系列等不同封测工艺下的SiC MOSFET和GaN HEMT功率器件。项目建成后,将年产2640万只 SiC/GaN 功率器件。
SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化项目建设周期为三年,主要出PIM模块产品,预计建成后将年产362.6万只 SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块。
新洁能成立于2013年,并于2020年9月在上海证券交易所挂牌交易。据悉,该公司主要采取Fabless的经营模式,专注于从事半导体功率器件的研发与销售。新洁能2021年实现营业收入14.98亿元,同比增长56.89%。
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