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根据《韩联社》12月7日报导,南韩存储器大厂 SK 海力士12月7日表示,该公司已于近期内成功研发出基于三层储存单元 (Triple Level Cell,TLC) 的 176 层堆栈 512Gb NAND 快闪存储器。
在去年 6 月的时候,SK 海力士抢先全世界,成功量产了 128 层堆栈的 4D NAND 快闪存储器。而在这回,SK 海力士则是晚了美国美光 (MU-US) 一步,美光在 11 月的时候宣布该公司已经展开 176 层堆栈 NAND 快闪存储器的出货。
有关这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器,该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平,比起上一代的 128 层堆栈产品,生产率提高 35% 以上,也随之拉高在成本方面的竞争力。
此外,比起上一代产品,资料读取速度快 20%,数据的传输速度更提升 33% 至 1.6Gb/s。
在上个月的时候,SK 海力士已将 NAND 样本提供给生产快闪存储器控制芯片的厂商,计划 2021 年 6 月左右进入量产,并依序推出消费级 SSD、企业级 SSD 等产品,将市场扩展到各个领域。
另外,根据了解,全球最大存储器厂的三星电子 (005930-KR) 目前正着手第 7 代 V-NAND 的研发,预计 2021 年展开量产。
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半导体|SK海力士成研发176层堆栈4D NAND快闪存储器,明年6月量产
来源 钜亨网
根据《韩联社》12月7日报导,南韩存储器大厂 SK 海力士12月7日表示,该公司已于近期内成功研发出基于三层储存单元 (Triple Level Cell,TLC) 的 176 层堆栈 512Gb NAND 快闪存储器。
在去年 6 月的时候,SK 海力士抢先全世界,成功量产了 128 层堆栈的 4D NAND 快闪存储器。而在这回,SK 海力士则是晚了美国美光 (MU-US) 一步,美光在 11 月的时候宣布该公司已经展开 176 层堆栈 NAND 快闪存储器的出货。
有关这回 SK 海力士所新推出的第三代 4D NAND 快闪存储器,该公司在介绍时提到产品性能达到业界最高水平,比起上一代的 128 层堆栈产品,生产率提高 35% 以上,也随之拉高在成本方面的竞争力。
此外,比起上一代产品,资料读取速度快 20%,数据的传输速度更提升 33% 至 1.6Gb/s。
在上个月的时候,SK 海力士已将 NAND 样本提供给生产快闪存储器控制芯片的厂商,计划 2021 年 6 月左右进入量产,并依序推出消费级 SSD、企业级 SSD 等产品,将市场扩展到各个领域。
另外,根据了解,全球最大存储器厂的三星电子 (005930-KR) 目前正着手第 7 代 V-NAND 的研发,预计 2021 年展开量产。
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