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证券之星消息,根据企查查数据显示艾为电子(688798)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“封装后芯片和电子设备”,专利申请号为CN202322859875.4,授权日为2024年6月4日。
专利摘要本申请公开一种封装后芯片和电子设备;封装后芯片包括裸芯片、导电层、介质层和多个封装端口;导电层设置于裸芯片的底面与介质层的上表面之间,介质层的下表面与多个封装端口分别相连接,导电层与裸芯片的底面电连接;裸芯片包括的芯片端口通过键合线与封装端口相连接,其中,每个芯片端口与至少一个封装端口相连接;导电层的电阻率小于介质层的电阻率。本申请通过在裸芯片的底面与介质层的上表面之间设置导电层,能够将寄生电容产生的输入号流入电阻率较低的导电层,保证了裸芯片的安全输入,同时由于未改变封装端口的数量和位置,因此保证了裸芯片不会从封装中掉落。
今年以来艾为电子新获得专利授权60个,较去年同期增加了93.55%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.07亿元,同比减14.91%。
数据来源企查查
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答:艾为电子公司 2024-03-31 财务报详情>>
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答:集成电路、电子通信专业领域内的详情>>
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艾为电子获得实用新型专利授权“封装后芯片和电子设备”
证券之星消息,根据企查查数据显示艾为电子(688798)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“封装后芯片和电子设备”,专利申请号为CN202322859875.4,授权日为2024年6月4日。
专利摘要本申请公开一种封装后芯片和电子设备;封装后芯片包括裸芯片、导电层、介质层和多个封装端口;导电层设置于裸芯片的底面与介质层的上表面之间,介质层的下表面与多个封装端口分别相连接,导电层与裸芯片的底面电连接;裸芯片包括的芯片端口通过键合线与封装端口相连接,其中,每个芯片端口与至少一个封装端口相连接;导电层的电阻率小于介质层的电阻率。本申请通过在裸芯片的底面与介质层的上表面之间设置导电层,能够将寄生电容产生的输入号流入电阻率较低的导电层,保证了裸芯片的安全输入,同时由于未改变封装端口的数量和位置,因此保证了裸芯片不会从封装中掉落。
今年以来艾为电子新获得专利授权60个,较去年同期增加了93.55%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.07亿元,同比减14.91%。
数据来源企查查
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