688711 宏微科技

公司一直从事 IGBT、FRED 为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案。IGBT、FRED 单管和模块的核心是 IGBT 和 FRED 芯片，公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研 芯片，模块产品以自研芯片为主外购芯片为辅。
公司产品已涵盖 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及单管产品 80 余种，IGBT、FRED、MOSFET、 整流二极管及晶闸管等模块产品 270 余种，公司产品应用于工业控制（变频器、伺服电机、UPS 电源等），新能源发电（光伏逆变器等）、电动汽车（电控系统等）等多元化应用领域，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
IGBT、FRED 作为功率半导体器件的主要代表，是电气与自动化、电力传输与息通系统中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下，积极 推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义，而研发和生产自主可 控的 IGBT、FRED 芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。
自上世纪 80 年代 IGBT 产品开启工业化应用以来，一直为国外知名公司所垄断，国外知名公 司的产品系列化很全，应用面很广，其中英飞凌已实现各种电压范围 IGBT 覆盖，三菱、富士电机、 安森美也涵盖了多个电压区间。近年来，IGBT 技术经历了丰富的演变，涌现出不同的 IGBT 技术 方案，这些方案主要由英飞凌、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商 IGBT 的结构设计仍在不断突破和创新，先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区 结构等新技术，推动了 IGBT 应用和市场发展。同时 IGBT 的制造工艺也在持续创新，深沟槽、精 准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒，制造技术也 成为实现 IGBT 自主创新的关键。近几年来，国内 IGBT 无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装方面虽有突破但与国外相比仍有不少差距。以 SiC 为代表的第三代半导体 2021 年首次导入商业化，2018 年在产业链下游应用爆发的推 动下，正式进入高速发展期，SiC 功率器件（SBD、MOSFET）目前广泛用于新能源汽车、光伏、轨 道交通等领域，以意法半导体，英飞凌科技为首的国际领先企业已实现 SiC 器件的量产并占据全球绝大部分市场份额。平面栅、沟槽栅、深沟槽、超薄片等新技术的引入使得 SiC 功率器件在成 本和性能上更具优势，但上述技术的栅氧质量、双极退化、阈值电压漂移、动态可靠性等诸多问题在设计和制造端都形成了很高的技术壁垒。近年来，国内 SiC 行业在衬底制备、芯片设计、晶 圆制造和封测方面都有突破，但与国外相比，技术水平和市场份额都有较大的差距。
公司核心技术如下沟槽结构+场阻断技术、虚拟原胞技术、逆导 IGBT 技术、微沟槽 IGBT 技术、续流用软恢复二极管芯片技术、高效率整流二极管芯片技术、无压银烧结技术、低分布参数的模块布线技术、端子超声键合技术、高压 MOS 芯片技术等。
2023上半年公司主要取得的研发成果如下: （1）光伏用 400A/650V 三电平定制模块开发顺利，已开始批量交付，目前产能稳定，终端表 现良好； （2）车用 800A/750V 双面散热模块开发顺利，通过相关车用可靠性测试及系统测试，已开始 小批量交付使用； （3）车用 750V 12 寸芯片的顺利开发以及其对应的车用模块快速上量； （4）12 寸 1700V 高性能续流管及 1700V IGBT 芯片已完成开发和验证。
公司累计获得发明专利37项，2023上半年，公司研发费用0.5亿元，占营收比为6.58%。
公司产品中的核心原材料中自研芯片采用 Fabless 模式委托芯片代工企业生产，外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。
公司预计2023年营收15亿元，同比上升62.9%，扣非净利润1.56亿元，同比上涨74.93%。
附公司2021-2022年报财务数据。