锴威特聚焦高可靠半导体国产替代 SiC功率器件进入产业化阶段

作者谢玉璘

半导体是现代科技的支柱型产业，而现阶段中国功率半导体接近90%的产品依赖进口，凡是涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体，尤其在工业控制领域的高性能产品与高可靠领域的功率半导体产品，国产化替代需求更加迫切。

8月18日，聚焦高性能与高可靠“自主创芯”的锴威特（688693.SH）正式登陆上交所科创板。

功率半导体可分为功率器件和功率IC两大类，作为国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业，锴威特拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。2020年至2022年度，公司营收分别为1.37亿、2.1亿、2.35亿，扣非后净利分别为-179.75万元、4389.76万元、4956.95万元。

超高压平面MOSFET达到国内领先水平

FRMOS市场份额位列本土企业第四位

功率器件种类较多，以MOSFET、IGBT等器件的结构最为复杂，工艺门槛和生产成本相对较高，对企业的技术要求更高。随着电压和工作频率要求提升，MOSFET成为功率器件的主流产品，根据Omdia数据，2020年全球MOSFET器件市场规模在所有功率器件类别中占比最高，达到53.90%，且市场需求稳定增长。根据芯谋研究，2021年中低压平面（400V以下）MOSFET的国产化率约为42.2%，高压平面MOSFET的国产化率约为29.9%，超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%。

锴威特瞄准国产平面MOSFET产业痛点，专注于研发难度更大、国产化率更低的高压和超高压产品，以“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”等核心技术作为驱动，不断推出具有市场竞争力的高压和超高压产品。目前，公司已形成中低压、高压、超高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品，其中高压平面MOSFET产品覆盖40V-1500V 电压段，超高压平面MOSFET最高耐压已达1700V，在国内同行业厂商中处于领先水平。

锴威特凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于高可靠、工业控制及消费电子领域。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；在工业控制领域，公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，细分品类的产品研发及市场开拓取得良好成效。结合芯谋研究和Omdia数据测算，锴威特2021年平面MOSFET国内市场占有率约为1.26%。

公司在平面MOSFET工艺平台基础上，利用“高压 MOSFET的少子寿命控制及工艺实现技术”开发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品，实现反向恢复时间小于100ns，最小可达50ns，同时具有漏电流小、高温特性好、反向恢复特性较软、低电磁干扰的优势特性。根据江苏省半导体行业协会统计，以销售额计算，2021年锴威特FRMOS市场份额位列本土企业第四位（前三位分别为华润微、士兰微、华微电子）。

功率IC板块从0达到1

产品矩阵优化 收入结构呈多样化发展

在功率 IC 方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。其中，PWM 控制IC技术门槛价高、拓扑结构复杂多样，公司产品主要应用于AC-DC和隔离式DC-DC开关电源模块，是开关电源中的核心元器件。而栅极驱动 IC 线路设计难度大，公司产品为主要为电机驱动IC，多用于直流无刷电机驱动和步进电机驱动系统中。

公司深挖高可靠领域和工业级智能功率IC的市场潜力，产品电压范围可覆盖5V~600V，工作温度范围可达-55~125℃，普遍具有抗噪声能力强、闩锁免疫、工作温度范围宽的优势，已形成80余款功率IC产品，拥有多项经验证的IP核和相关技术积累。

功率IC属于模拟集成电路，除了线路设计之外，功率IC设计企业还需要拥有定制开发器件和工艺的能力才能满足客户需求。公司基于晶圆代工厂 0.5um 600V SOI BCD 和 0.18um 40VBCD 等工艺自主搭建了设计平台，新增600V PMOS器件、100V/200V/600V肖特基二极管、耗尽型NMOS、耐压达200V的高压电容等多种特色器件，可满足客户的多样化开发需求。

报告期各期，公司功率IC客户数量快速增长，高可靠产品客户数量从3个增至64个，客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业，并获得众多高可靠领域客户的高度认可，并为其提供定制化开发的技术服务。自2020年至2022年，公司功率IC产品收入从322万元增长至5692万元，营收占比从2.41%提高到25.07%，公司产品矩阵进一步优化。招股书显示，部分客户向公司采购的功率IC产品目前没有其他国内供应商可以替代，公司在高可靠领域已取得一定的市场地位。

深度拓展前沿技术应用

SiC功率器件进入产业化阶段

公司高度注重战略性产品的研发投入，持续深度拓展前沿技术的应用，推动产品技术的高效升级。截至报告期末，公司共有研发人员40人，占比42.11%。近三年研发投入5,546.77万元，年复合增长率达到27.91%。截至2023年7月13日，公司已积累了10项核心技术，获得71项授权专利（其中发明专利28项，实用新型专利43项）和 53 项集成电路布图设计专有权。

在功率器件方面，公司在优化平面MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域的同时，向沟槽型MOSFET和超结MOSFET方面延伸，并针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究，提高该类产品的成品率及可靠性。

在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件已进入产业化阶段，并利用“短沟道碳化硅MOSFET 器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制，是国内为数不多的具备650V-1700V SiC MOSFET产品设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

未来，公司将在功率器件和模块封装可靠性、功率 IC 产品多品类研发、SiC 高温封装应用、SiC MOSFET 光继电器以及数字电源等产品进行持续深入研究，并进一步推动第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级。围绕新能源汽车、工业控制、智能电网、储能等领域进行系列化开发，扩大各领域收入规模，形成新的利润来源。

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