存储（DRAM）作为半导体行业中大宗品，其周期属性

存储（DRAM）作为半导体行业中大宗品，其周期属性更加明显。除行业自身供需影响外，美元利率对于半导体行业景气度和股价拐点都有极强的影响。复盘2000年前后、2006年前后以及19年和当下，DRAM周期都受到了美元利率的影响。可以说，美元利率是引领DRAM最先行的指标。

通常DRAM下行周期会发生在加息后端和失业率攀升两个阶段。在加息尾声DRAM价格开始出现下跌，行业增速收窄，在失业率攀升期间DRAM出现量价齐跌的情况，行业规模快速下降进入衰退阶段。随后经过库存调整等动作，DRAM会出现价格反弹，行业会进入上行周期。虽然DRAM依然处于下行周期的去库存阶段，但随着美联储加息尾声的临近，目前已经完全可以预期DRAM的底部周期拐点。

除了宏观条件企稳，DRAM底部反转可期之外，另一大重要因素如今人工智能AI火热。在AI时代，DRAM将成为新宠儿，新的增长引擎已经确立。随着AI服务器的增加，加速器的需求日益增加，与之匹配的HBM也随之增加。目前虽然DRAM行业依然处在下行周期，但是和AI相关的DRAM产品需求却表现出反差需求火热。

根据Omdia数据显示，HBM产品增速在2022年增长超过40%。随着Chatgpt产品用户量的暴增，HBM23年增速有望同比增加50%。虽然目前HBM在整体DRAM占比较低约为2%-3%，但预计25-26年占比有望翻倍。

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。

通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。

从技术角度看，HBM使DRAM从传统2D转变为立体3D，充分利用空间、缩小面积，契合半导体行业小型化、集成化的发展趋势。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案，业界认为这是DRAM通过存储器层次结构的多样化开辟一条新的道路，革命性提升DRAM的性能。

与此同时，CXL作为一种全新的互联技术标准，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，在解决内存以及互联的问题中，未来将成为行业主流解决方案。

DRAM成本在计算中心中一直占据着大头的位置，50%的服务器总成本来自DRAM。同时DRAM的使用效率也不高，造成了严重的浪费。CXL带来的DRAM池化技术可以大大节约数据中心的建设成本，同时也将大大带动DRAM的用量，节约下来的成本将会要用于对DRAM的采购。DRAM将会在更多通用器中广泛使用。未来服务器的设计理念也有望从以CPU为核心转向以DRAM为核心进行设计。

综上，随着美联储加息预期的减弱，DRAM底部反转可期。同时在AI的大时代下，DRAM有望成为继GPU后，另外一重要算力核心，同时DRAM的价值当前也被严重低估。随着CXL的应用渗透率提升，服务器也从传统围绕CPU的设计思路转向为以DRAM为中心的架构。AI将成为DRAM下一增长周期中最重要的增长引擎，机构认为DRAM产业链相关受益标的值得关注。

上市公司中，澜起科技是全球内存接口芯片龙头，2022年5月发布了全球首款CXL内存扩展控制器芯片。江波龙是综合性半导体存储巨头，主要从事DRAM存储器的研发、设计和销售，已形成嵌入式存储、固态硬盘、移动存储及内存条四大产品线。深科技是国内唯一具有从集成电路高端DRAM晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业，半导体封测领域主要从事存储芯片的封装和测试。佰维存储(688525)从事 存储器研发与制造。 公司主要从事半导体存储器的存储介质的研发、 封装、 生产与销售， 主要产品包括嵌入式存储、 消费级存储、 工业级存储及先进封测服务， 公司品牌佰维（Biwin） 主要面向智能终端、工业级应用、 企业级应用、 车载应用、 PCOEM 等 ToB 市场， 子品牌佰微（ Biwintech） 以及独家运营的惠普（ HP） 、 宏碁（Acer） 及掠夺者（Predator） 等品牌则面向 DIY、 电竞、 移动存储等 ToC 市场。 公司产品主要包括嵌入式存储、 消费级存储、 工业级存储、 先进封测服务四大板块。