数亿元！国产SiC再签3起大单

前段时间，瑶光半导体自主研发的SiC激光退火设备即将交付；近日，国产设备又传来多个捷报

● 纳设智能碳化硅外延设备总订单累计150+台，订单金额累计数亿元。

● 晶升股份签订1.2亿元碳化硅炉设备买卖合同。

● 宝士曼银烧结设备本土批量出货，交付周期大大加快。

● 电科装备、恒格公司分别展示全新的SiC设备，推进国产化进程。

纳设智能

SiC外延设备订单超150台

据“纳设智能”官微消息，8月24日，纳设智能首席营销官李小天在某论坛上透露，公司已累计获得10+个客户超过 150台 6吋SiC外延设备订单，订单金额累计数亿元。

此外，纳设智能已成功研制出具备更多创新技术的8英寸碳化硅外延生长设备，为第三代半导体行业提供更为先进的技术支撑。

“行家说三代半”了解到，2022年2月，纳设智能成功出厂了高温化学气相沉积设备；同年11月，他们的SiC外延炉斩获国内龙头碳化硅外延厂商数十台复购订单。

自成立以来，纳设智能在技术创新领域取得的科技成果引人注目。目前，纳设智能已成功申请了51个专利，其中41个与碳化硅相关，产品持续创新优化。

晶升股份

签订1.2亿设备订单

8月28日，晶升股份发布公告称，他们近日与客户J签订了《【碳化硅炉】设备买卖合同》，合同价款合计暂估金额为1.2亿元。

据悉，该合同将分三批执行，第一批次预付款支付后 3-4 个月交付，第二批次和第三批次的合同履约期限以双方签订的订单为准。

除了上述订单外，晶升股份在上个月还获得了8吋设备的订单——7月11日，晶升股份宣布，他们在本月初已向多家客户交付了8英寸碳化硅长晶设备，部分客户已经取得了一定的研发成果，并正在不断优化工艺制程。

宝士曼

银烧结设备批量出货

8月10日，宝士曼宣布，旗下SiC银烧结设备从客户订单落地到设备交付达成，最快一台设备出货周期已缩短到4个月，创下最快交付记录。

据介绍，经历小半年的本土工厂建设，宝士曼已于2023年1月正式开启本土微纳米有压银烧结半自动设备批量交付，该型号设备陆续出货。当前，设备出货周期大大缩短，宝士曼的本土交付能力不断改善与提升，可满足市场对碳化硅功率模块银烧结先进封装设备的需求。

宝士曼成立于2021年9月，聚焦功率半导体领域，为国内模块厂商、新能源车企拉通先进封装的工艺流程提供完整解决方案。

今年1月，他们首台银烧结设备Boschman Sinterstar® Innovate XL正式出厂；3月，宝士曼工程中心实验室顺利完成第一个客户项目，包含贴片与烧结工艺，实现了工程服务由0到1的突破。

此外，宝士曼旗下还有一个在建项目——

“宝士曼集成电路专用设备项目”位于苏州吴中高新区，占地面积50亩，建筑面积约7.5万平方米，总投资10亿元，年度计划投资3亿元。项目建成后用于第三代半导体及集成电路专用设备的研发生产，项目达产后将实现年产半导体封装设备250套。

电科装备、恒格

全新自研SiC设备亮相

此外，2款自研的国产SiC设备也值得关注。

● 电科装备SiC晶圆缺陷检测工艺设备解决方案亮相

8月25日，电科装备旗下中电科风华公司携Mars 4410 SiC晶圆缺陷检测工艺设备解决方案亮相某论坛。

据悉，中电科风华在近年来不断攻克SiC晶圆检测设备关键核心技术，目前成功具备量产能力和工程化应用水平，且与国内多家知名衬底、外延厂商达成合作。该设备具有多场景通用，缺陷与器件良率关联、完全自主知识产权、核心零部件国产化等性能优势，关键技术已通过反复研究与论证。

● 恒格公司SiC刻蚀设备亮相

8月初，珠海恒格微电子装备有限公司和子公司苏州赛美达半导体科技有限公司共同展出了自研设备产品SiC刻蚀设备，受到高度关注。

据悉，该设备由国外国内资深刻蚀设备研发专家团队联合立项开发、设计，方案结合ICP与CCP等离子体产生方案各自优势。独创的高密度，高中性粒子含量的等离子体源结构，对等离子体密度和分布精确控制，独家设计研发的ESC，实现高刻蚀率及高均匀性的工艺指标。

适用8寸SiC刻蚀，兼容6寸，材质延展适用GaN、TCV、TGV工艺；通过上部腔体改造，兼容TSV、DRiE等工艺。