【科创定位】688432 有研硅专利技术保护趋势

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2022年11月10日上市，688432  有研硅，有研半导体硅材料股份公司目前市值198.37亿元，2022年三季度营业收入9.25亿元，净利润3.52亿元，研究经费6029万元，所属行业半导体-半导体材料，最赚钱业务刻蚀设备用硅材料。

主营产品: 有研硅目前主要从事硅及其它半导体材料、设备的研究、开发、生产与经营,提供相关技术开发、技术转让和技术咨询服务。主要产品包括集成电路刻蚀工艺用大直径硅单晶及制品、集成电路用硅单晶及硅片、区熔硅单晶及硅片等。

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1)发明专利一种精准控制单晶生长界面的方法  申请号CN202111680189.X  申请日2021年12月30日 技术效果随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。  

2）实用专利一种多晶硅棒清洗装置  申请号CN202123367219.X  申请日2021年12月29日 技术效果可实现重量在70150kg范围内的多晶硅棒料1秒内完成从酸槽进入水槽的过程，可完全避免表面沾污氧化，提高了多晶硅棒料清洗质量。

3）发明专利一种多晶硅棒清洗装置及方法  申请号CN202111638387.X  申请日2021年12月29日 技术效果可实现重量在70150kg范围内的多晶硅棒料1秒内完成从酸槽进入水槽的过程，可完全避免表面沾污氧化，提高了多晶硅棒料清洗质量。

4）实用专利一种用于直拉硅单晶多次加掺掺杂剂的装置  申请号CN202123382045.4  申请日2021年12月29日 技术效果通过籽晶插入液面掺杂，过程简单，耗时短，不会影响石英坩埚使用寿命。该装置加掺掺杂剂不会存在炸裂等风险，除了掺杂剂仓外，籽晶可实现多次使用。   

5）发明专利一种区熔硅单晶的放肩方法  申请号CN202111638491.9  申请日2021年12月29日， 技术效果采用本发明的方法可以避免一次拉晶失败后多晶的再次磨锥加工，减少多晶损失，提升生产效率，降低生产成本。  

6）发明专利一种通过监控直拉单晶硅转肩直径自动调节拉速的方法  申请号CN202111626097.3  申请日2021年12月28日 技术效果本发明的方法可以实现自动转肩过程，无需人为操作，避免因人为操作对单晶拉制过程造成的影响，明显降低了人员操作强度，提高了生产效率，增加了产量，降低人工成本。

7）发明专利一种用于键合工艺的硅衬底抛光片的制备方法  申请号CN202111616066.X  申请日2021年12月27日 技术效果（1）采用磁场拉晶法进行拉晶，磁场类型为水平磁场，磁场强度为10005000高斯，磁场形状为马鞍形，晶转为515rpm，埚转为0.13rpm；控制晶体生长时液面位置+/0.5mm波动范围；（2）进行滚磨及线切割；（3）进行倒角轮廓设计与加工，进行四次倒角，分别使用800导轮粗倒2次，10003000导轮精倒2次，使用非对称倒角，轮廓幅长X1大于600μm，X2小于300μm；（4）进行研磨腐蚀，先进行碱腐蚀，再进行酸腐蚀，碱腐蚀去除量控制在515μm，酸腐蚀去除量控制在1520μm；（5）进行抛光，抛光转速控制在3050rpm，压力控制在300500kg，化学液浓度控制在1∶151∶30，pH值控制在913，蜡膜厚度控制在13μm；（6）进行清洗检测；（7）进行边缘形状评估。   

8) 发明专利8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装及方法  申请号CN202111608317.X  申请日2021年12月24日 技术效果本发明可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。      

9）实用专利8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装  申请号CN202123298154.8 申请日2021年12月24日 技术效果本实用新型可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。  

10）发明专利一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法  申请号CN202111593665.4 申请日2021年12月23日 技术效果本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。     

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