688375 国博电子

公司主要从事有源相控阵 T/R 组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，是目前国内能够批量提供有源相控阵 T/R 组件及系列化射频集成电路产品的领先企业，核心技术达到国内领先、国际先进水平，公司主要客户为各科研院所和整机单位、移动通设备制造商等。
公司建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖射频芯片、 模块、组件。公司主要产品包括有源相控阵 T/R 组件、射频模块、射频放大类芯片、射频控制类 芯片等，均属于模拟集成电路。
T/R 组件是指在雷达或通系统中用于接收、发射一定频率的电磁波号，并在工作带宽内 进行幅度相位控制的功能模块，是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、号收发放大的核心组件。 整个雷达系统由成百上千个辐射器按照一定的排布构成，每个辐射器后端均连接一个单独有源相控阵 T/R 组件，在波束形成器的控制下，对号幅度和相位进行加权控制，最终实现波束在空间 的扫描。因此，有源相控阵 T/R 组件的性能参数直接决定相控阵雷达系统的作用距离、空间分辨 率、接收灵敏度等关键参数。此外，有源相控阵雷达需要数量众多的 T/R 组件共同构成有源相控 阵阵面，有源相控阵 T/R 组件的性能也进一步决定了有源相控阵雷达系统的体积、重量、成本和功耗。
在射频模块领域，公司相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖 多个频段，主要应用于移动通基站等领域。大功率控制模块是大功率移动通系统号发射和接收时号控制的一个重要器件，对系统的性能有直接影响，通常位于通系统的最前端，用于实现号收发间的切换。
公司的射频芯片主要包括射频放大类芯片、射频控制类芯片，广泛应用于移动通基站等通系统。公司射频放大类芯片产品主要包括低噪声放大器（Low-Noise Amplifier，简称 LNA）和功率 放大器（Power Amplifier，简称 PA）。低噪声放大器一般用于实现接收通道的射频号放大，功率放大器的作用是对发射通道的射频号进行放大，是无线通设备射频的核心组成部分。公司射频控制类芯片产品主要包括射频开关和数控衰减器。射频开关是指可对射频号通路进行导通和截止的射频控制元件，用于号切换到不同的号通路中去。数控衰减器主要用来控制微波号幅度，实现对号的定量衰减。
T/R 组件和射频模块领域，公司主要负责芯片设计，组件和模块的设计、制造以及测试，晶 圆和芯片的生产、封装一般委托第三方厂商或机构完成。射频芯片领域，公司采用 Fabless 模式负责射频芯片的设计和质量把控，芯片的生产、封装、测试工作一般委托第三方厂商或机构完成。
公司发展离不开相控阵雷达的发展，有源相控阵雷达中天线微系统（包括T/R 组件）的成本可以占到总成本的50%-60%。所以公司这块产业受国防预算和民用航空与气象观测等行业的发展息息相关，公司作为龙头，市占率保持领先。公司的射频模块、射频芯片则主要看通基站的发展，目前推出的新一代金属陶瓷封装 GaN 射频模块及塑封 PAM 等产品在线性度、效率、可靠性等主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达 到国际先进厂商水平。公司的 GaN 射频模块主要应用于 4G、5G 基站设备中，并积极布局 6G 移动 通应用，是全球范围内具备 GaN 射频模块批量供货能力的极少数企业之一。
2023年公司研发费用3.51亿元，同比增加1.89%。申请发明专利 12 项，申请实用新型专利 4 项，申请集成电路设计布图专有 权 7 项；取得发明专利授权 3 项，实用新型专利授权 5 项，集成电路设计布图专有权 18 项。公司累计获得各类知识产权 157 项，其中发明专利 43 项。
自 2018 年 8 月，美国商务部陆续将中国的高科技企业列入“实体清单”，并进一步加强对 我国集成电路企业的限制，国博电子亦在“实体清单”之列。该事项对公司采购美国生产原材料、 采购或使用含有美国技术的知识产权和工具等产生一定限制。
2023年公司营收和生产库存情况如下 单位元

2023年公司前五名客户销售额 345,842.41 万元，占年度销售总额 96.95%；其中前五名客户销售额中关联方 销售额 6,042.32 万元，占年度销售总额 1.69%。前五名供应商采购额 128,350.51 万元，占年度采购总额 66.10%；其中前五名供应商采购额 中关联方采购额 90,459.31 万元，占年度采购总额 46.59%。第一大客户为军工集团，第一采购商是中国电科其他所属单位。大客户和大供应商依赖比较严重。
附公司2022—2023财报数据。