昕原半导体12寸中试线通线后，ReRAM开启28nm新阶段交付禾川科技

近日，昕原半导体宣布其ReRAM新型存储技术在28nm工艺节点上通过严苛测试，“昕·山文”安全存储系列ReRAM产品成功交付工控领域头部企业禾川科技，实现在工业自动化控制核心部件的商用量产。

昕原半导体28nm制程ReRAM产品进入工业领域，验证了ReRAM技术在2xnm工艺节点上产品级的性能、良率，以及ReRAM技术的可靠性和稳定性，为后续在存内计算、存内搜索、智能汽车、数据中心等更多领域的应用奠定基础。

国内首条，昕原半导体 28/22nm ReRAM 12 寸中试线通线试产除了台积电，只此一家

据介绍，昕原半导体成立于 2019 年，专注于 ReRAM 新型存储器产品及相关衍生产品的研发，已成长为国内新型存储器技术的头部企业，也是国际上新型存储器产品商业化最快的公司。公司开发的 ReRAM 存储器具有密度高、能耗低、读写速度快及下电数据保存的特点，可形成未来存储架构的最后一级缓存（FLC，Final Level Cache），消除内存与外存间的“存储墙”。作为最具潜力的下一代主力存储器，ReRAM 能广泛应用于人工智能、工业控制、消费电子、汽车、物联网、云计算等领域。

▲ 图源昕原半导体

比NAND闪存快一千倍

据杭州日报报道，传统 CMOS 代工厂或因囿于资源所限，迭代速度较慢，从而影响工艺开发进度，而国内各大科研院所虽可在实验室阶段加快迭代速度，但没有标准的 12 寸量产产线，实验成果往往很难走向量产。昕原自行搭建的 28/22nm ReRAM（阻变存储器）12 寸中试生产线就解决了上述问题。汲取了代工厂和实验室的长处，迭代速度快，产线灵活，拥有自主可控的知识产权，使得 ReRAM 相关产品的快速实现变成了可能。

昕原半导体相关负责人表示，目前在 ReRAM 领域国内外差距较小，壁垒尚未形成，为我国存储器产业实现“弯道超车”提供了可能。目前该公司是除台积电外，唯一一家在 28nm / 22nm 先进制程 ReRAM 实现量产的公司。

ReRAM存储芯片和NAND闪存一样用作存储芯片，但是它的性能会更加强大，它的密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。如果ReRAM存储芯片顺利应用于市场，将给存储市场带来巨大的变革。

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