东微半导研究报告:国内高压MOS龙头受益光储车载OBC充桩快速发展

（报告出品方/作者东北证券，李玖、王浩然）

1. 东微半导国内 Fabless 高压超结 MOS 龙头

1.1. 聚焦功率器件，管理层国际顶尖技术背景练就前瞻洞察力

专注高性能 MOSFET 与 IGBT 研发，核心技术推动国产化替代。公司是以高性能 功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，采用 Fabless 模式。公司主营业 务聚焦于功率器件的研发与销售，主要产品包括高压超级结 MOSFET、低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET 和 TGBT 等功率器件产品。基于多年的研发投入、技术 积累和产业布局，公司形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，在工业级高压 超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代，是国内领先的高性能功率器 件设计厂商。

实控人王鹏飞和龚轶合计控制公司 25.57%股份，华为哈勃持股 5%。公司实际控制 人为王鹏飞和龚轶，卢万松为实控人的一致行动人。截至 2022 年 12 月，王鹏飞和 龚轶直接或间接控制及通过一致行动安排合计共同控制了公司 25.57%股份。公司于 2018 年、2019 年对部分核心员工实施了三次股权激励，部分核心员工通过持股平台 苏州高维和得数聚才合计持有公司 5.34%股份。此外，公司于 2018 年向卢万松亦实 施了股权激励，授予卢万松 42.48 万股，截至 2022 年 12 月，卢万松持有公司 3.54% 股份。中新创投和原点创投为苏州工业园区经济发展有限公司控制的企业，而原点 创投为中新创投的全资子公司，中新创投直接或间接持有公司合计 16.73%股份。哈 勃投资为华为全资子公司，持有公司 4.94%股份。

多位核心高管拥有丰富的国际龙头功率公司从业经验。董事长兼总经理龚轶先生曾 担任美国超微半导体公司工程部工程师、德国英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技 术专家。董事兼首席技术官王鹏飞先生曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心、德 国奇梦达公司（QimondaAG）技术创新和集成部门研发工程师。在担任复旦大学电子学院教授期间，王鹏飞先生主要围绕先进技术节点的器件及工艺进行研究，比 如 32nm 以下技术节点的各种逻辑器件和存储器器件，其曾经在 Science、IEEE Trans. Electron Devices、IEEE Electron Device Letters 等知名期刊上发表过多篇关于 先进存储器和隧穿场效应晶体管的论文，且在复旦大学任职期间以及入职东微半导 后所取得相关技术成果无权属争议。董事兼副总经理卢万松先生曾担任泰瑞达（上 海）有限公司、任施耐德自动化控制系统（上海）有限公司、霍尼韦尔（中国）有 限公司采购部全球采购经理。公司高管层丰富的半导体研发技术与采购部工作经验 完美结合，可助力企业技术创新高速发展。长期专业的积累让公司管理层具备更加 前瞻的战略眼光，对技术及行业趋势的洞察力比常人更敏锐。

1.2. 产品覆盖电动汽车、新能源等领域，获全球知名终端用户认可

公司产品广泛应用于电动汽车、新能源、5G 基站、工业电源等领域。产品主要包括 高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET 和 TGBT，广泛 应用于以新能源汽车充电桩、汽车 OBC、光伏/储能逆变器、5G 基站电源及通电 源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以 PC 电 源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

公司在工业及汽车领域和消费电子领域积累了全球知名终端用户。公司的超级硅 MOS 系列凭借其高效率的特点，目前已通过全球光伏微逆领域头部客户 Enphase Energy 的认证，并开始批量出货。储能逆变领域，公司产品已批量出货给宁德时代 等。车载 OBC 领域，公司的超结产品已批量出货给比亚迪、英博尔等领先企业。公 司在新能源汽车直流充电桩领域的终端用户有英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技 等。

1.3. 研发人数占比近半，人均创收能力在市场名列前茅

2021 年研发费用同增 159%，2022 年维持高位。东微半导是一家以高性能功率器件 研发与销售为主的技术驱动型半导体企业。公司重视研发投入，拥有完整的研发体 系，已形成的核心技术均系自主研发成果。公司 2021 年研发费用为 4143 万元, 同 比增长 159%。2022 年前三季度研发费用为 3607 万元，占营业收入的比例为 4.57%。

研发人数占比近半，人均创收能力位列市场前茅。2021 年，公司研发人员数量同增 38%。 2022 年公司加大招聘力度，上半年研发人员数量同增 42%，人均创收能力 不断增强。2021 年，公司人均创收 1043 万元，在全市场名列前茅。

多年研发投入和技术积累，在功率器件领域自主掌握核心技术。公司的主要产品包 括高压超级结 MOSFET、SFGMOS 系列及 FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET。 同时，公司已开发了超级硅 MOSFET 及 TGBT 等先进功率器件产品。基于多年的 研发投入和技术积累，公司在上述功率器件领域已形成一系列具有自主知识产权的 核心技术1）“深槽超级结 MOSFET 设计及其工艺技术”、“屏蔽栅结构中低压 MOSFET 设计及其工艺技术”具备高可靠性、低损耗等优良特性，且均已实现 8 英 寸和 12 英寸产线的同时量产，技术水平国内、国际领先；2）“超级硅 MOSFET 设 计及其工艺技术”具备器件开关速度快、低损耗的特点，在硅基制造工艺上进一步 提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率 模块的效率和功率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势；3）IGBT 产品的核心技术包括具备载流子浓度高、电场调制耐压高、高可靠性、自保护等特点，技术 水平国际领先。4）“Hybrid-FET 器件及其工艺技术“具备高速关断和大电流的处理 能力、稳定性高的特点，技术水平实现国内领先。公司通过自主研发掌握的核心技 术具有高性能、高稳定特点，均进入批量生产阶段。

公司的研发工程部门主要研究方向为高压器件、新型大功率器件。产品研发工程部 门主要负责各项新型产品的研发、实验测试工作，应用技术部负责产品研发过程中 的各项执行与支持工作以及专利的申请及维护工作。其中高压高速器件的研发主要 包括高压超级结器件的研发与优化；中低压高速器件的研发主要包括中低压屏蔽栅 器件；大功率器件的研发主要包括 IGBT 器件与 Hybrid-FET，以上各项技术研发均 已取得相关专利。另外，东微半导目前在多个领域开展研发项目，已经开展风险试 产的项目包括第三代超级结器件、超低 FOM 及高性能的 150V SGT 功率器件、12英寸大晶圆 60V-100V SGT、12 英寸先进工艺 GreenMOS 超级结 MOSFET 等研发 项目。立项阶段的项目有超级硅功率器件、8 英寸线 700V 及以上 GreenMOS 高压 的超级结芯片、900V 以下三栅 IGBT（Tri-gate IGBT）、900V 及以上三栅 IGBT （Trigate IGBT）、第三代半导体 SiC 功率器件等自主研发项目。

1.4. 营收净利显著增长，汽车/新能源/工业级收入占比接近 80%

受益下游需求景气放量，公司营收净利增长显著。公司主营产品广泛应用于新能源 车充电桩、新能源车车载充电机、光储逆变等领域。受益于前述领域的需求增长、 产能持续扩大、新品不断推出以及产品结构优化。2018-2021 年公司营业收入、归母 净利润 CAGR 分别达到 72%/125%。2022Q1~Q3 营收为 8 亿元，同增 41%。2021 年 公司营收同比增长 153.28%。2020 年以来，公司归母净利润增幅均超营收增幅。2022 年前三季度归母净利润为 2 亿元，同增 116%；主要系毛利率较去年同期大幅上涨 所致，2022H1 公司毛利率同比上涨 6.7 个 pct，主要系公司持续技术迭代、产品组 合优化及涨价等综合因素所致。

营收以高压超级结 MOSFET 为主，TGBT 快速放量。从公司产品品类看，公司营 收主要来自高压超结 MOS，近年营收占比约 80%。第二大营收来源为中低压屏蔽栅 MOS，营收占比约 20%。2021 年，公司 Tri-gate IGBT 产品首次量产出货，全年营 收 568 万元。2022 年上半年，公司 TGBT 实现营收 1710 万元，同增 70 倍以上，表 现出高速增长态势。

受益于下游需求增长、产能扩张、产品结构优化，毛利率提升明显。公司销售产品 以大功率芯片为主，其成本中晶圆原材料的成本占比较高，因此晶圆代工市场短期 供需关系变动对公司的影响较大，上游晶圆代工价格出现较大波动，导致公司综合 毛利率相应发生较大波动。2022 年前三季度，受下游需求高景气、产品结构优化等 影响，公司销售毛利率创新高。22Q3 单季毛利率达 34.08%，同比+2.94pct，环比 +0.19pct，连续 4 个季度上升。

2. MOS超结 MOS 性能指标对标国际功率龙头英飞凌

2.1. 光伏微逆/车充桩/OBC 需求驱动超结MOS 高速增长，2022-2025 年 CAGR 分别达 77%/38%/13%

我们预计全球光伏微逆/中国公共直流充电桩/中国车载 OBC 对超结 MOS 需求将迎 来大幅增长，2022-2025 年 CAGR 分别高达 77%/38%/13%。其中，全球光伏微逆 对超结 MOS 需求将从 2022 年的 3 亿元增长至 2025 年的 14 亿元；中国公共直流充 电桩对超结 MOS 需求将从 2022 年的 54 亿元增长至 2025 年的 144 亿元。中国新能 源车 OBC 对超结 MOS 需求将从 2022 年的 20 亿元增长至 2025 年的 29 亿元。

MOS 与 IGBT、BJT 同属晶体管，可用于开关或放大电路中的电压。与 BJT（双极 型晶体管）相比，MOSFET 具有开关速度快、所需驱动功率小的特点。以工作电压 为衡量指标，可将 MOSFET 分为1）高压 MOSFET（工作电压 400V 以上），可用 于新能源车充电桩、光伏逆变器等大功率领域，结构包括平面型及超级结型。首款 超级结 MOSFET 由英飞凌推出，其将传统结构中导通电阻与击穿电压接近立方的 关系降至线性，使得其处于开通状态时的电阻显著降低。华虹是国内首家提供超级 结产品的晶圆厂，也是全球首家可同时量产 8 英寸和 12 英寸超级结 MOSFET 的晶 圆代工企业。2）中低压 MOSFET（工作电压 10V-300V 之间），适用于新能源车电 驱、移动电源等低电压场景，包括沟槽栅 VDMOS 和屏蔽栅两类。屏蔽栅 MOSFET 导通特性更好，开关损耗更低，制造难度更高。

MOSFET 是功率分立器件中份额占比最大的产品，行业由欧美日企业主导，国产 厂商向高端化升级有望承接市场份额。根据 Omdia，2020 年功率分立器件市场规 模 145 亿美元，其中硅基 MOSFET 占比 49%。2020 年 MOSFET 行业 CR4 为 53%，其中英飞凌市占率 24%，处于行业领先地位。国外厂商主打高端产品，比如 英飞凌生产的 MOSFET 最高电压可达 1700V。近几年在国内政策大力支持及下游 需求的持续推动下，国产产品正在向高端化提升，产品竞争力持续升级，加速国 产替代进程。

以更高性能指标为驱动，MOSFET 行业正在向小线宽、超级结、宽禁带材料、集成 化发展。对于 MOSFET 而言，更高的开关频率、更高的功率密度、更低的功耗为主 要的性能指标。为实现更高的性能指标，MOSFET 行业正在经历几方面的变化1） 工艺进步、器件结构所带来的变化缩小线宽可以提升功率器件的密度，目前最小 线宽（pitch size）已由 10 微米缩减至 0.15-0.35 微米，此方面国内厂商与英飞凌等 国际大公司的技术水平已旗鼓相当。器件结构正在向高端化演进，未来屏蔽栅 MOS 将进一步替代沟槽 MOS，超级结 MOS 也将在高压领域替代更多传统 VDMOS。根 据 Yole 和 Omdia 的预测，2020-2025 年，超级结 MOSFET 将由 23.8 万片增长至 35.1 万片，年均复合增长率为 8.1%，增速约为硅基 MOSFET 的两倍。2）材料的变化 碳化硅、氮化镓这类宽禁带半导体材料具有热导率高、电子迁移率高等特点，有望 在高温、高压、高功率、高频领域取代部分硅材料。比如 SiC MOSFET 在汽车电控 中对硅基 IGBT 模块的替代。3）集成化高功率密度的应用需求带动功率器件集成 化发展。

2.2. 公司国内超结 MOS 龙头，细分市场占比国内第一 公司

MOSFET 产品包括高压超级结 MOS、中低压屏蔽栅 MOS 和超级硅 MOS， 2022H1 在 MOSFET 收入占比分别为 81%/19%/0.2%。1）高压超级结 MOS公司高 压 MOS 全采用超级结技术，产品主要为 GreenMOS 系列，覆盖 500V-950V 电压， 拥有 900 逾种型号。目前已用于新能源车充电桩、车载充电机、数据中心服务器电 源、5G 通电源等领域。进入维谛技术、英飞源、麦格米特等企业。2）中低压屏 蔽栅 MOS公司中低压 MOS 全采用屏蔽栅结构，产品覆盖 25V-150V 电压，合计 超 500 种型号。产品系列包括 SFGMOS 和 FSMOS，其中后者兼具 VDMOS 和分裂 栅器件的优点，具有高可靠、低功耗、高电流密度的特点。3）超级硅 MOS是公 司自主研发、性能对标氮化镓功率器件的硅基 MOS，目前已有 18 种型号进入量产。 该产品在电源应用中已达到接近氮化镓功率器件开关速度的水平，而相比氮化镓， 硅基材料具有工艺成熟度高、成本低、高可靠的竞争优势。

公司高压超结 MOS 动态损耗低至常规超结 MOS 的 2/3，开关速度接近高压 GaN 器件。公司是少数专注汽车/工业级高压超级结 MOS 的厂商。根据《人民日报》报 道，公司在 2016 年率先成为量产充电桩用高压超级结 MOSFET 器件的本土企业， 打破了国外垄断。同年，公司的 SFGMOS 系列量产，进入新能源车电驱等领域。公 司的 GreenMOS 系列成功克服了常规超级结所存在的低成品率、EMI 超标等难题， 具有“快而不震”的优点，具体表现在

1）Soft-Switching（软开关）通过优化常规超级结功率器件的制造流程，使器件内 部的杂质分布及电容更适合于外部电路的高速开关动作，减小了纹波噪音和电压尖 峰，由此所得到的开关波形更加平滑，开关期间的栅极震荡更低，有利于 EMI 的改 善。

2）LOW FOM (低优值)FOM(Figure of merit)是衡量功率器件设计优劣的重要标准， 值越小表明器件性能越佳。GreenMOS 系列通过优化器件制造流程与设计，使产品 动态损耗降低到常规超级结器件的 2/3。具体方法为，一方面通过独特的设计方法降 低了 Qg，另一方面在保持 Low Qg 的同时通过优化器件制造流程使得器件的比导通电阻更小，从而降低了 GreenMOS 的开态电阻。GreenMOS 同时支持 2MHz 的开关 频率，开关速度甚至接近高压 GaN 功率器件。

综合产品性能与国际一线功率大厂比肩 1）超级结 MOS 达到国际领先水平，超级硅系列优值高于全部国际品牌可比产品。 优值 FOM 等于导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积，在导通电阻基本一致的情况 下可发现，在可比产品中，英飞凌 G7 优值最低，达到 2.95Ω·nC，性能最优。公 司的 GreenMOS 系列可比产品优值为 3.50Ω·nC，略高于英飞凌产品。而超级硅系 列优值为 2.53Ω·nC，优于全部国际品牌在相同平台下临近规格的优值，优势地位 明显。基于深槽超级结 MOSFET 设计及其工艺技术，公司 GreenMOS 系列深槽超 级结 MOSFET 产品性能比肩国际一流公司。

2）中低压 MOS 与国际差距较小，优值优于大部分国内可比产品。在相同封装形式 下，比较公司第三代 60V 屏蔽栅 MOSFET 与英飞凌、华润微等产品性能，可以看 出公司有优值为 113mΩ·nC、152mΩ·nC 的两种可比产品，前者优值与国外大厂 相当（普遍在 110mΩ·nC 左右），显著优于国内可比产品（除士兰微外均在 170m Ω·nC 以上）

综合市场份额位列中国本土企业前十，高压超级结市占率国内第一。根据 Omdia 数 据，2019 年全球 MOSFET 销售额为 84.20 亿美元，其中中国本土厂商市场份额合计 12.77%，东微半导市占率增幅最大（同比增 28.84%），位列中国本土企业第七名。 根据 Omdia 数据测算，高压超级结方面，2020 年全球/中国市场规模分别约为 9.4/4.2 亿美元，公司市场份额占比分别为 3.8%/8.6%，位列国内第一。

2.3. 政策引领+下游需求共振，汽车/光储为超结 MOS 带来广阔增量

政策引导与下游需求共振，我国充电桩规模增速将持续超过新能源车销量增速。 2020 年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一，各省市积极响应并提出相关 政策，政策大多围绕提高充电桩保有量、降低车桩比展开。例如 2023 年 2 月，工 部等八部门发布《关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知》， 对充换电基础设施提出要求包括新增公共充电桩（标准桩）与公共领域新能源汽 车推广数量比例力争达到 11；高速公路服务区充电设施车位占比预期不低于小型 停车位的 10%。城市公交、出租、环卫、邮政快递、城市物流配送领域力争达到 80%。 该政策将有力拉动国内大功率直流充电桩需求。海外也在积极推进充电桩建设，如 2021 年 11 月，拜登政府在签署的兆元基建法案中宣布，将在 5 年内拨款近 50 亿美元建造全美充电站网络，预计新增 50 万个充电站。除政策端以外，由于充电桩是新 能源车电能补充的主要装置，新能源车渗透率提升也同步带动充电桩需求增长。 2022 年 11 月，国内充电桩保有量达 173 万台，相比 2018 年 1 月的 22.51 万台有明 显增长。基于降低车桩比的需求，未来充电桩行业规模增速将持续超过新能源车销 量增速，行业具备长期确定性上行空间。

我国公共充电桩存量结构中，交流桩占比略高于直流桩，但直流桩增速更快。公共 充电桩按充电方式可分为交流桩和直流桩。交流桩按充电功率分为单相（7kW 为主）、 三相（40kW 为主）。充电时需要借助车载充电机（OBC），充电速度较慢。普通电 池容量的纯动车完全放电后通过交流充电桩充满通常需要 8 个小时。直流充电桩俗 称“快充”，充电功率普遍≥60kW，仅需要不到 2-3 小时即可将一辆纯动车电池充 满。目前我国交流桩占比 58.7%，略超直流桩（41.3%），但直流桩增速高于交流桩。 根据 EVCIPA 数据，2016 年 1 月-2022 年 1 月，我国直流充电桩规模增幅 3950%， 交流桩增幅 1718%。政策导向也侧重快充路线，比如上海的充电桩建设原则为“先 桩后车、适度超前，公用设施快充为主、慢充为辅，专用设施快慢并重”。

超级结 MOS 主要用于直流充电桩、车载 OBC 等。超级结 MOSFET 因其更低的导 通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品， 具体应用于充电桩的功率因数校正（PFC）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。公共直流充电桩采用的功率器件以高压 MOS 为主。高端三相交流桩中，PFC 部分 功率器件的领先解决方案使用了超级结 MOSFET。据英飞凌统计，100kW 的充电桩 需要功率器件价值量在 200-300 美元。

交流充电桩必须在车端配备车载充电机（OBC），OBC中功率器件价值量约 300元。 OBC 目前为电动车标配核心零部件，由功率电路（PFC+移相全桥/LLC）和控制电 路组成。动力电池只接受直流电，需通过 OBC 将交流充电桩桩的交流电转换为直 流电。价值量方面，OBC 单车价值量约 5 千元，而 6.6KW 的 OBC 大概需要 20 多 颗 IGBT 和 MOSFET 分立器件，总体成本在 300 元以下。

下游新能源车销量火爆，拉动零部件市场高速增长，2022 年乘用车 OBC 市场规模 同比增 78%。根据 NE 时代新能源，2022 年，乘用车 OBC 装机量 513 万套，同比 增长 77.6%。OBC 行业集中度高，2022 年 CR10>90%。领先企业如弗迪动力、英博 尔的装机量同比增速均超 100%，凸显行业高增长态势。

三大趋势促使 OBC 降本增效。①双向 OBC既能为动力电池充电，又能让动力电 池通过 OBC 为其他用电器充电；②大功率OBC 功率越大，充电越快。目前普通 OBC 普遍为 3.3-11kW，已有部分企业，例如得润电子等，实现了 22kW 车载充电机 的量产。③集成化二合一（OBC+DC/DC）、三合一（OBC+DC/DC+PDU）以降低 成本。

2.4. 自主研发铸就技术壁垒，打入下游多领域头部客户

MOSFET 料号数居国内前列，满足下游客户多元化需求。功率器件企业的产品竞争 力一方面取决于其技术设计能力及工艺制造水平，另一方面在于是否有完整丰富的 料号，以满足下游客户一揽子采购需求。根据公司 2021 年年报，公司共计拥有产品 规格型号 1790 余款，其中高压超结 MOS（包括超级硅 MOS）1100 款，中低压 SGT 产品 641 款，规格数量居国内厂商前列。

自主研发能力强，超结 MOS 持续迭代、超级硅 MOS 性能比肩氮化镓器件。公司 高压超级结 MOSFET 产品为 GreenMOS 系列。采用独特专利器件结构和制造工艺， 具有比常规 MOSFET 更快的开关速度及更柔和的开关曲线。根据 2022 年半年报， 公司第四代超结 MOS 已量产并且出货规模迅速扩大，并已启动第五代技术研发， 目前进展顺利。公司的超级硅 MOS 具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成 熟度高的特点，在主流快充应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功 率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势。根据公司官网新闻测评，与苹果 61W 充电器相比，东微超级硅 65W 快充 DEMO 功率翻倍，体积仅相当于其三分之一。 根据 2022 年半年报，公司新一代超级硅 MOSFET 开发成功，进入认证阶段。

2022H1 来自汽车、光储、工业级应用收入占总营收接近 80%。公司营收约半数来 自工业级应用，主要包括 5G 基站电源、新能源车充电桩、逆变器等。2020 年以来， 公司通电源收入增长较快，主要系现有客户加大采购+新客户导入。按下游应用领 域看，2022H1，公司来自新能源车直流充电桩/工业及通电源/光伏逆变器/车载充 电机营收分别占总营收的 17%/21%/10%/14%。

公司已在全球范围积累众多知名终端品牌客户。根据公司 2022 半年报，在光伏逆 变领域，东微半导产品已批量出货给客户 A、昱能科技、禾迈股份、爱士惟、日月 元等公司。用超结芯片可大量替换 IGBT 芯片，大幅提高系统效率。在数据中心服 务器电源领域，公司产品持续批量出货给维谛技术、中国长城、客户 A、高斯宝电 气、深圳雷能、麦格米特、超聚变、群光电能、全汉企业、铂科电子等公司；在新 能源车直流充电桩领域中，公司产品已批量出货给比亚迪、英搏尔、铁城科技、英 威腾、欣锐科技、威迈斯等车载充电机设计制造领先企业；通电源和基站电源领 域，公司对客户 A、维谛技术、动力源、 深圳雷能、麦格米特、高斯宝电气、核达 中远通、金威源科技、中恒电气等客户批量出货；在消费电子领域，公司进入了 OPPO、 安克电子、视源股份、航嘉 Huntkey、天宝电子、奥海科技、立讯精密、Foxlink（台 湾正崴集团）、Foxconn（富泰华）、英维克、拓邦股份、博兰得电子等客户。

2.5. 与华虹多年深度合作铸就高壁垒，产能持续扩张

华虹为公司第一大供应商。公司将晶圆制造与封测服务外包，合作的晶圆代工厂包 括华虹、广州粤芯、DB HiTek 等，其中华虹为一供。公司预付款项主要为定制晶圆 采购，公司从 2019 年开始出现对广州粤芯的预付款，在公司对晶圆厂预付款占比由 当年的 1.54%快速增长至 2021H1 的 34.18%，广州粤芯成为公司重要供应商之一。

华虹及广州粤芯为公司提供有效产能保障 1）华虹公司主要向华虹采购 8 英寸及 12 英寸晶圆。根据华虹年报，华虹在上海 金桥和张江建有 3 座 8 英寸晶圆厂（华虹一、二、三厂），月产能约 18 万片；在无 锡有一座 12 寸晶圆厂（华虹七厂），月产能 5.3 万片。在下游需求强劲催化下，公 司积极扩展 12 英寸及 8 英寸产线。根据公司公告，华虹 2021Q3 的资本开支中有 88.8%用于 12 英寸线扩产，并于 2022 年加快 12 寸线扩产进度。公司作为华虹多年 稳定合作的代工客户之一，有望率先受益。 2）广州粤芯公司向广州粤芯采购 12 英寸晶圆。广州粤芯是粤港澳大湾区唯一进 入量产的 12 寸晶圆厂，有三期项目。目前粤芯第一期、第二期已经投产，月产能达 到 4 万片，而第三期、第四期项目计划月产能各 4 万片。2025 年，粤芯半导体月产 能有望达到 12 万片。其中，第三期项目瞄准工业级、车规级芯片，计划新建月产能 4 万片，于 2022 年 8 月启动。

3. IGBTTGBT 快速放量，性能比肩英飞凌第七代 IGBT 水 平

3.1. IGBT 技术壁垒高、前景广阔

IGBT 五年 CAGR 达 21%，市场前景广阔。IGBT 全称绝缘栅双极型晶体管，相对 于 MOSFET 和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。随着新能 源汽车、光伏、储能、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球 IGBT 分立器件市场将持续扩大。根据 Yole，随着新能源汽车 2020 年回暖，市场需求上 升，全球 IGBT 市场规模达到 54 亿美元。时代电气预计，2025 年中国 IGBT 市场规 模达 458 亿元，五年 CAGR 达 21%。

IGBT 技术要求高，性能改善近年趋于极限。IGBT 中的功率损耗存在此消彼长的关 系，当降低 IGBT 导通损耗时，开关损耗便会增加。在过去的 30 年里，技术人员主 要通过改进元件结构来改善导通损耗和开关损耗，但近年来，其性能改善趋于极限， 成为行业一大难题。在 ISPSD2021，东芝宣布成功开发三栅极 IGBT，在不增加导通 损耗的情况下，最多可使开关损耗整体降低 40.5%。

3.2. 自研 Tri-gate 结构 IGBT 性能处于国际领先水平

公司自研 TGBT 拥有独创器件结构，性能达到国际领先水准。公司 TGBT 产品具有 载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构。载流子控制技术优化了 器件在导通时内部的载流子分布。原胞功率调制技术使器件在大功率开关的过程中 功率分布更加均匀。独创的器件结构通过电场调制，提高了耐压性与载流子浓度， 使得在不提高饱和压降 Vce,sat 的情况下，让关闭损耗 eoff 更低。公司高速系列下 的产品在饱和压降 Vce,sat 典型值为 1.65V 时，关闭损耗 Eoff 为 0.85mJ，相较国际 竞品的关闭损耗 Eoff 值更低，性能更优。公司的低饱和压降系列产品，可以在关闭 损耗 Eoff 相对于高速产品基本不变的情况下，将饱和压降 Vce,sat 典型值降低到 1.50V，性能处于国际领先水平。

3.3. IGBT 业务步入高速增长，应用领域有望不断拓宽

IGBT 业务步入高速增长阶段。2021 年，公司 Tri-gate IGBT 产品首次量产出货，全 年营收 568 万元。2022H1，公司 TGBT 产品销售额迅速增长，同增超 70 倍，已进 入高速增长阶段。但由于公司产品进入市场时间较短、各企业业务重心有一定异质 性，公司 IGBT 的业务收入规模相比于其他竞争企业有一定差距。随着 TGBT 的优质性能得到进一步的测试检验、下游客户的不断拓展，公司该板块的营收与市占率 有望进一步提升。

TGBT 器件在多家头部客户批量应用，产品供不应求。根据 2021 年年报，公司已 有 52 款 TGBT 产品。2022 年上半年，公司 TGBT 器件在光伏逆变、储能、充电桩 领域获得更多头部客户批量使用，代表客户包括爱士惟（光伏逆变）、拓邦股份（储 能）、汇川技术（工业电源）、优优绿能（充电桩模块）等。结合下游企业的行业领 先地位，公司有望在未来形成紧密合作关系后签署更大规模的订单，使得 TGBT 在 车载充电机、新能源汽车充电桩与光伏、储能行业中发挥优质的性能。 SiC 业务进展迅速，稳步推进中。公司于 2021 年 7 月立项研发以 SiC 为衬底的三代 半材料功率器件。根据 2021 年年报，公司申请了多项第三代半导体相关专利。部分 车载电子客户已使用公司开发的并联 SiC 二极管的高速系列 TGBT 对 SiC MOSFET 进行替代，进展顺利。预期此系列产品将对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 进 行替代。

4. 盈利预测

超结 MOS我们预计东微半导 2022-2024 年超结 MOSFET 营收分别为 9/12/16 亿 元，同比增长 58%/38%/32%。①销量2021 年以来，功率半导体景气度持续向好， 公司高压超结 MOS 主要用于光伏储能、新能源车等需求旺盛的领域，预计未来销 售规模持续增加。②单价在政策及产业链带动下，下游充电桩、车载 OBC 行业将 快速增长。公司的高压超级结 MOS 在国内市占率领先，预计未来单价保持现有水 平。

中低压屏蔽栅 MOS我们预计东微半导 2022-2024 年中低压屏蔽栅 MOSFET 营收 分别为 2/3/3 亿元，同比增长 4%/30%24%。毛利率小幅下降。①销量中低压屏蔽 栅 MOS 主要应用于消费电子产品，下游需求受宏观经济、产品创新周期影响较大。 目前下游市场需求较弱，预计未来销售规模持平微增。②单价中低压 MOSFET 技 术相对成熟，市场准入门槛低。SGT MOSFET 价格 2022 年 2 月以来呈现维稳和部 分下降趋势。预计未来 SGT MOSFET 价格将小幅下跌。 超级硅 MOS我们预计东微半导 2022-2024 年超级硅 MOSFET 营收分别为 0.04/0.09/0.15 亿元，同比增长 100%/100%/70%。超级硅 MOSFET 由于其具有高性 价比、工艺成熟的优势，预计未来营收将稳步增长。 IGBT我们预计东微半导 2022-2024 年 IGBT 营收分别为 0.5/1.5/2.2 亿元，同比增 长 900%/160%/50%。毛利率基本稳定，预计 2021-2023 年分别为 36%/36%/35.5%。 公司 IGBT 产品 2021 年开始小批量销售，目前在手订单充足，已经进入高速发展 期。 综上所述，我们预计公司 2022-2024 年总营收分别增长 50%/43%/32%至 12/17/22 亿 元。

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精选报告来源【未来智库】