东微半导会是下一个斯达半导吗？

东微半导近期走势非常强劲，作为一个次新股，上市后没有涨多少，甚至一度在4月底破发，很明显市场没有认识到东微的实际价值。一季报发布后，机构跑步入场导致连续大涨。可以说是近期功率半导体连续上涨的带头大哥，说说背后的逻辑吧。

首先，看看东微的产品，无论是MOSFET还是IGBT都是非常有特点且性能不输国外先进品牌，有硬核专利加持，在功率半导体缺货的情况下飞速增长是必然的。

再看看背后的技术实力，仅拿董事长举例，从网上找到的公开消息看，绝对是难得的功率微电子人才，且正处当打年龄。1998年本科毕业于复旦大学化学系，2001年硕士毕业于复旦大学微电子学院，2003年博士毕业于德国慕尼黑工业大学。主要从事新型微电子器件的研发。曾获国家万人计划科技创新领军人才、上海市特聘专家、上海市高校特聘教授等荣誉称号。在德国慕尼黑工业大学攻读博士学位期间，命名了知名的TFET（隧穿场效应晶体管）器件，并首次制造出互补隧穿晶体管（CTFET），在不到三年的时间以最高荣誉成绩博士毕业。王鹏飞博士毕业后加入德国半导体公司英飞凌科技公司后，作为第一发明人研发了多项核心器件，多项技术被应用至该公司DRAM产品中。后担任复旦大学微电子学院教授、博导，专用集成电路与系统国家重点实验室副主任。王鹏飞曾在Science杂志上发表高质量的研究论文，先后获授权发明专利70余项，其中美国专利授权30余项。发明了互补隧穿场效应晶体管、半浮栅无电容式存储器、半浮栅光传感器、GreenMOS、SFGMOS等微电子器件，多项技术实现量产。

另外，看看股东有谁，一个是哈勃，这个不要说了大家都知道，而且东微是哈勃少数占股近5%的投资标的。另外还有一家随便一查发现和中芯国际有关。这样的股东相比普通股民眼光要犀利得多啊。