东微半导深耕工业及车规级蓝海、IGBT持续放量，将迎来高速成长时期

4月21日及4月27日，东微半导先后发布2021年和2022年第一季度业绩报告。报告显示，受益于半导体功率器件领域景气度持续向好，下游需求旺盛，2021年公司实现营业收入7.82亿元，同比增长153.28%；归属于上市公司股东的净利润约1.47亿元，同比增长430.66%；归属于上市公司股东的扣非净利润1.41亿元，同比增长588.67%；综合毛利率28.72%，同比增长10.87%；基本每股收益2.91元，同比增长385%。

今年第一季度业绩，东微半导继续持续高速增长，实现营业收入2.06亿元，同比增长45.50%；归属于上市公司股东的净利润4774.33万元，同比增长129.98%；归属于上市公司股东的扣非净利润4709.94万元，同比增长128.96%，主要得益于公司工业及汽车级业务占比持续提高、大功率产品比重的持续增加，进一步提高了产品平均售价所致，使得第一季度销售规模持续扩大的同时毛利率进一步增长至32.93%。

公开资料显示，东微半导专注于高性能功率器件设计与销售，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件底层结构与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域实现了国产化替代。今年2月公司登陆科创板就交出了首份亮眼业绩，从其财报披露的技术和市场进展来看，东微半导在技术难度高、国产化率低的高性能功率半导体器件领域实现了多项创新技术的突破，已经跃升为国内功率半导体器件第一梯队厂商行列。

产品结构组合优化、IGBT持续放量，营收质量快速提升

东微半导主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET，Tri-gate IGBT系列去年实现量产，正迅速持续放量。产品广泛应用于新能源汽车充电桩、新能源车车载充电机、通电源、光伏逆变器、数据中心服务器电源、快速充电器等高速成长市场领域，其中2021年工业和汽车级业务占比进一步提升至60%，大功率产品比重持续提高，均进一步提高了产品平均售价。

具体到产品系列，2021年，高压超级结MOSFET产品实现营业收入约5.7亿，同比增长128.27%；中低压屏蔽栅MOSFET产品实现营业收入约2.06亿，同比增长246.85%；超级硅MOSFET产品实现营业收入较2020年同期增长432.63%；Tri-gate IGBT产品去年第一季度首次量产出货后就持续放量，全年实现营业收入568.17万元，增速迅猛。

营收占比最大的高压超级结MOSFET是东微半导体的王牌产品系列，该细分市场长期以来主要被进口厂商占据，国内高性能高压超级结MOSFET功率器件市场占比较小。在此情况下，东微半导自成立以来积极投入对高压超级结MOSFET产品的研发，并得到了华为、比亚迪、特锐德、通用电气、视源股份、英飞源、英可瑞、高斯宝、金升阳、雷能、美的、创维、康佳等全球知名客户的认可，取得良好的市场口碑。

在5G基站持续建设及新能源汽车相关需求放量的推动下，对超级结MOSFET的需求持续将高速增长，预计全球超级结MOSFET每年市场规模约为20亿美元，海外市场为主约占60%，国内市场约占30%，成长空间巨大。2021年东微半导体在持续提升第三代GreenMOS高压超级结技术平台产品性能的基础上，进一步扩展产品规格。第四代GreenMOS高压超级结技术已研发成功，预计将于今年开始批量供货；基于12英寸先进工艺制程的高压超级结MOSFET技术进入大规模稳定量产并进入大量工业应用领域，基于12英寸工艺制程的下一代超级结MOSFET技术开发进展顺利；基于深沟槽超级结技术的中低压超级结MOSFET技术开发顺利进行，1000V以上高压超级结MOSFET技术工程开发成功，具备量产能力。

产品规格不断丰富大大提升了东微半导的竞争力，并借此进一步拓宽了市场空间。新能源汽车直流充电桩和车载充电机作为东微半导的主要细分市场，2021年向国内各主要的直流充电桩电源模块厂商，以及车载充电机设计制造厂商持续批量出货，覆盖多个国内主要的新能源汽车品牌。通讯电源和基站电源是高压超级结MOSFET的另一大主要应用领域，在去年实现了多个重要客户的供货增长并增加了新的设计规格，进入客户全球技术平台。在各类适配器电源相关应用中，多家客户持续批量出货并增加新的规格，同时进入了OPPO、安克电子等客户供应链。此外，在工业照明、光伏逆变、储能应用、数据中心服务器电源等高成长细分市场也实现了多家客户的批量出货。

此外，值得一提的是东微半导首创的Tri-gate IGBT（TGBT）系列650V、1200V及1350V产品在去年一季度首次量产后就迅速出货放量，迅速扩大在公司业务版图中的占比，实现对市场上主流的第四代至第七代传统IGBT技术的大量替代。目前东微半导的TGBT器件以单管为主，具备高功率密度、低开关损耗、高可靠性、自保护等特点并在IGBT单管市场具备强大竞争优势，有望带来其在各高性能高可靠性应用领域的爆发性增长。在国产替代行业趋势和自身产品性能优势的助力下，必将成长为公司新的王牌产品。

随着主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET产品规格稳健增长，新型功率器件TGBT成为下一波成长主力，以及高质量客户群体不断导入，东微半导产品和营利结构得到显著优化，有力推动了公司的产品单价及毛利率的持续提升，为公司2022年快速成长提供重要支撑。

持续加大研发投入、专注器件结构创新，稳步迈入国内第一梯队

产品线布局的不断扩宽得益于东微半导持续加强研发投入特别是先进制程产品研发。年报显示2021年研发投入4143.39万元，同比2020年的1599.36万元增长159.07%，持续推进上述高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品平台的技术迭代升级，优化8英寸与12英寸芯片代工平台的产品布局，在研发人员数量、专利数量、新品开发数量上均快速增长。截止2021年底产品规格型号超过1790余款，其中高压超级结MOSFET产品(包括超级硅MOSFET) 1100 款，中低压SGT产品641款，IGBT产品52款。

回顾去年，东微半导持续专注器件结构的创新，新增各项专利55个，在各大产品系列方面都取得了丰硕的研成果，包括GreenMOS第四代产品研发成功并开始出货；基于12英寸先进制程的GreenMOS产品实现大规模出货；自主专利技术的第一代650V/1200V/1350V TGBT器件量产出货、第二代TGBT和基于12英寸制程的IGBT开发进展顺利；数据中心电源专用SGT MOSFET技术开发顺利；高速大电流功率器件600/650V Hybrid-FET器件产业化顺利进行，已开发出6种Hybrid-FET规格产品；第三代半导体SiC MOSFET开发顺利并申请了多项专利等等。

完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得东微半导成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一，在高端工业级功率器件领域的技术能力与产品性能已可与国际一流厂商比肩，技术领域已迈入国内第一梯队。凭借优秀的研发实力，公司在700V 8英寸制程及以GreenMOS高压的超级结芯片、12英寸先进工艺GreenMOS超级结MOSFET、超级硅功率器件、TGBT等主要产品方面均已具备了国内领先甚至国际领先的核心技术，将借此在高端应用领域替换国外产品，实现高端应用产品的国产化。其中，第一代650V TGBT电流密度甚至达到国际主流第七代 IGBT 技术水平，消除了多年以来国产IGBT与进口IGBT芯片之间的技术代差。

加快布局第三代半导体功率器件

随着第三代半导体技术不断成熟，得益于SiC MOSFET在高温下更好的表现， SiC MOSFET在汽车电控中将逐步对硅基 IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率达38%。

为此，除加码当前炙手可热的IGBT外，东微半导同时也在加快第三代半导体功率器件布局，并于2021年7月立项了第三代半导体SiC功率器件自主研发项目，主要针对以SiC的为衬底材料的第三代半导体功率器件进行研发，目标实现高性能功率器件技术的全覆盖。

目前采用公司独创技术的高性能高可靠性第三代半导体MOSFET器件，已申请多项第三代半导体相关专利，产品开发顺利进行。此系列产品将与并联SiC二极管的高速系列TGBT互为补充，对采用传统技术路线的SiC MOSFET进行替代，技术水平属国际先进行列，预计可应用于新能源汽车电驱系统、直流大功率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、UPS电源等领域。除此之外，在氮化镓领域也已具备一定的技术积累和经验，正积极关注和探索相关产品及其应用。

持续稳定供应商关系、保证产能供给，强化高质量客户群体

2021年随着下游需求持续增长以及上游原材料供应紧张，全球晶圆代工产能持续紧张， 进一步导致了代工价格的增长。为此，东微半导与华虹半导体、粤芯半导体及韩国东部高科等代工厂继续保持稳定的业务和技术合作关系，随着各家代工厂扩产，同时凭借优秀的产品和技术提升产能价值，公司有望继续获得更多产能支持，在此基础上，还与代工合作伙伴共同规划产能、定义技术路线，实现更深度的合作，保障公司的新产品研发有序推进以及产品供应稳步增长。

由于功率半导体器件，尤其是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。因此东微半导在产品研发阶段就与代工厂进行深度的讨论，通过反复工艺调试以更好地实现芯片性能和经优化的产品。同时也持续关注并协助开发创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺和产品，使双方实现合作共赢。

凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，东微半导已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域，尤其是工业级应用领域中，获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的少数国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。与头部客户保持深度技术合作，指引新产品定义和开发，能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。

结语

受益于新能源汽车、5G 产业的高速发展，充电桩、车载充电机、5G 通基站、数据中心服务器及车规级等市场，使高性能功率半导体器件的需求迎来爆发式增长。与此同时，功率半导体器件的“中国制造”在中高端市场拓展速度在不断加快，中国的功率半导体企业将迎来发展的黄金周期。

在此机遇下，东微半导通过优化产品组合结构，布局高速率IGBT和SiC等新结构功率器件进一步实现产品多元化，凭借优异的技术创新和卓越的产品性能，迎来长期成长空间，成为国产高性能功率半导体的领航者。（校对/萨米）