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晶合集成获得发明专利授权“一种半导体结构及其制造方法”

作者：加斯特嗖嗖
2024-03-02 03:36:20
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证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202311694174.8，授权日为2024年3月1日。

专利摘要本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括衬底；第一阻挡层，设置在衬底中，且第一阻挡层将衬底划分为逻辑区和像素区；深沟槽隔离结构，设置在像素区，深沟槽隔离结构连接于第一阻挡层；介质层，设置在像素区上，介质层覆盖衬底的表面；隔离结构，设置在介质层中，隔离结构设置在深沟槽隔离结构上，且隔离结构在介质层中划分出多个透光通道；以及组合掺杂区，设置在像素区中，组合掺杂区设置在透光通道的覆盖区域。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够形成稳定可靠的像素结构，降低暗电流，并提升半导体制程良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源企查查

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