通行业深度研究碳化硅，冉冉升起的第三代半导体

碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。

衬底为核心，技术瓶颈逐步突破。衬底是碳化硅产业链的核心，一直处于供不应求的状态，行业普遍处于快速扩产，据天岳先进招股书援引CASAResearch，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产。衬底的生长方法主要有物理气相传输法( PVT)、高温化学气相沉积法(HT-CVD)法等。目前，晶体制备环节最主要的难点在于生长条件苛刻，而生长速度却很缓慢。此外，制备良率也是行业普遍难点之一。SiC良率低主要有2种原因生长晶棒存在缺陷（晶棒良率），以及在切割过程中存在损耗（衬底良率）。海外占据领先地位，国内奋起直追。目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。半绝缘市场中，贰陆公司（II-IV）、科锐（Wolfspeed）以及天岳先进三家占据主要份额；导电型市场中，科锐为绝对龙头。下游需求强劲，空间+渗透率双倍增长。以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。碳化硅衬底主要分为半绝缘（射频器件）和导电型（功率器件）两类。半绝缘领域，氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。根据天岳先进招股书援引Yole，全球氮化镓射频器件市场预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。在导电型领域，新能源汽车的快速增长将成为碳化硅产业的近期增长引擎。投资建议关注天岳先进和中瓷电子。风险提示产能扩张不及预期，行业景气度不及预期风险；技术研发风险。