天岳先进华为站台宁王加持，寄予“全村的希望”！致力于第三代半导体碳化硅材料！上汽小鹏纷纷加入豪赌！

国内第一，国际第三！天岳先进华为站台宁王加持，寄予“全村人的希望”！ 第三代半导体兵家必争之地！华为旗下哈勃投资直接持有天岳先进发行前7.05%股权。宁德时代旗下问鼎投资、中车时代、中微公司、广汽集团旗下广祺柒号、上汽集团、小鹏汽车均现身投资榜！

天岳先进（688234）公司是国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体衬底材料在 5G 通、电动汽车、新能源、国防等领域具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。目前，公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。在国外部分发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背景下，公司自主研发出半绝缘型碳化硅衬
底产品，实现我国核心战略材料的自主可控，有力保障国内产品的供应，确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展。公司产品已批量供应至国内碳化硅半导体行业的下游核心客户，同时已被国外知名的半导体公司使用。在导电型碳化硅衬底领域，公司 6 英寸产品已送样至多家国内外知名客户，并于 2019 年中标国家电网的采购计划。

碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通基础设施和国防应用为主。相比砷化镓和硅基 LDMOS 射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电网络所需要的功率和效能，成为 5G 基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基 LDMOS 器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的卫星通应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。随着 5G 基站建设、电动汽车、充电桩、特高压、城际高速铁路等行业发展，半导体器件的性能也需要持续提升，即更高的工作电压、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。目前，我国在 5G 通、电动汽车等新兴产业的技术水平、产业化规模等方面都处于国际优势地位，将促进我国上游半导体行业的持续发展，进一步提高国内半导体企业在国际市场的影响力，尤其对碳化硅器件将产生巨大的需求。

公司预计2021 年全年可实现营业收入为 46500 万元至 50500 万元，同比增长9.46%至 18.88%；预计实现净利润为 6500 万元至 10500 万元。行业内主要企业科锐公司、贰陆公司、SiCrystal 公司、天科合达。