晶科能源交流会议纪要

会议要点

1、Topcon 电池产业链成本拆分，包括上游设备成本和下游客户订单情况。

2、Topcon 技术的优劣势和优化路线。

3、行业的未来市场与竞争格局发展。

4、公司的技术优势及布局规划。

会议摘要

1、 目前 Topcon 电池一体化成本与 PERC 电池几乎持平，并存在 0.1 元溢价。

2、 Topcon 电池片效率为 24.6%左右，与 PERC 相比性能优势明显。

3、 Topcon 主要技术壁垒是硼扩散黏片和 LP 绕度问题，目前已由晶科

解决。

4、 HPBC 及 HJT 技术尚未成熟，目前难以和 Topcon 竞争市场。

5、 2022 年 Topcon 电池订单量约 30GW，隆基、晶科、中来占主要部分。

6、 晶科 16GW 产业线即将实现量产，2022 年预计完成 10GW 订单。

7、 Topcon 电池转换效率高，性能稳定，客户主要源自海外市场。

8、 未来硅料成本难以压缩，但非硅成本有望继续减小，转换效率存

在提升空间。一、提问交流环节

Q: 目前是投了合肥 8GW 的线，二月底又投了海宁 8GW 的线，现在进度怎么样？

A: 合肥 8GW 的线有多个车间，其中最早开的一个车间在量产冲刺阶段，另外几个车间也在准量产

阶段。海宁那边基底稍晚一些，现在处于自动化调试阶段，到 4 月份左右开始进行量产。

Q: 效率和良率方向的数据现在怎么样？

A: 因为还没有真正实现量产，只是在量产冲刺阶段。合肥那边最好的一条线，效率目前在 24.5%-

24.6%之间，良率在 93%左右。

Q: 海宁这边还没建好吗，设备已经装了？

A: 海宁这边是主机台在调安装，自动化设备还没到，所以流片还没开始走，还要晚 2 个月左右，2

个月后能稳定出货

Q: 之前在海宁投了 900MW 的线，当时效率和良率是什么水平？

A: 对，在海宁袁花那里有 800MW，并非 900MW 的线，其实就是一个小车间，只是产能比较小。

小车间已经连续跑了有两年多时间了，去年四季度开始量产水平是稳定在效率 24.8%，良率 96.5%层

面上，非硅成本在 0.26 元左右，比 0.26 元多一些。

Q: 当初看到这个数据后才决定要大规模去投产吗？

A: 要决定投产应该是多方面的因素，当然很关键的是 Topcon 和 PERC 之间的对比分析，看它是否

具备投资可行性。总的观点来说，按照 800WM 的水平，Topcon 的一个一级划成本，即从硅片→电

池→组件的成本，和 PERC 的成本是基本上打平的。成本上两者一样，但组件的售价上，N 型 Topcon

的售价比 PERC 每 W 多卖 0.1 元，有 0.1 元的溢价空间，所以最终决定要尽快扩产。第二，对晶科

自身而言，Topcon 技术相对已经非常成熟，量产化没有问题，比较持续稳定可靠。此外，因为晶科

2022 年订单有 10GW N 型 Topcon 组件订单，订单决定了原来 800MW 完全无法满足，所以必须要

尽快扩产。

Q: 现在订单有多少，N 型电池片的订单？

A: 总共接了 10GW 的意向订单，和日本、中东那边，所以意味着要尽快产出电池片，因为要出货给

客户，那就意味着三季度要做的差不多，所以电池这边的压力还是挺大的。Q: Topcon 下游接收的客户是哪些应用场景？

A: 分为几块，第一块是对国土面积比较小的那些地方比较有吸引力，因为它功率比较高。第二方面

是对于气候比较恶劣的，比如像靠近赤道附近常年高温，或者靠近沙漠地带的那种国家比较有吸引

力，同时对极寒地带的比较有吸引力，比如靠近北极圈或南极圈的国家。之所以有吸引力是因为以

下几点1.组件功率高 2.N 型组件无衰减 3.低温感系数，对温度不敏感，能在酷暑或严寒地带得到比

较好的应用 4.N 型组件溢价权来自于长波段光响应效果好，PERC 组件对短波响应较好，但在天空

中有云层遮挡的情况下，短波会被云层阻挡吸收，只有太阳光中的长波能打到地面，照射到组件表

面上来进行反应，而 N 型 Topcon 组件在这块表现较好。所以在全年度下来，差不多 30%阴雨天气，

这种情况下 N 型的组件发电量也非常可观。4 个方面优势决定了它应用场景非常广泛，从赤道附近，

到南北极圈都能得到应用，统计来说它没有衰减，功率又高，它对土地利用率也高，那么它在一些

像日本或欧洲这些发达地区，它的国土面积比较小，在这比较小的面积上得到比较客观的发电量。

所以它的订单像美国，日本，欧洲，中东石油大国，市场上比较受欢迎的。

Q: 是否分布式需求占比会更高一些，还是都会有？

A: 都会有的，对地面电站来说，它的收益分析下来会贵 0.1 元，但它的成本按发电量合算下来（发

电量）其实比 PERC 要高 12%，所以其实它这边收益还是挺高的不管是分布式还是地面电站。

Q: 发电量高 12%是指全年看下来高 12%吗？

A: 对，是的。

Q: 那对他们来说增加 10%的发电量，价格上多 0.11 元还是比较划算的？

A: 是的。

Q: 全成本一体化理念我们拆一下，（Topcon）Si 片的成本是比 PERC 要低吗？

A: 好，具体拆解一下。Si 片端成本，N 型 Si 比 P 型 Si 贵三分钱左右。分两个问题 N 型 Si 比 P 型

Si 要薄，P 型 Si 片业内标准是 170-175μm，N 型 Si 片标准厚度是 150-155μm，每个 N 型 Si 片比 P

型薄越 20μm。按厚度来说应该是便宜的，但是 N 型 Si 片性能要求高，高效率高功率的组件对 N 型

Si 的用料要求品质很好，Si 料用的好，意味着 Si 料成本会上升。用的好体现在钠棒的头尾料，开方

的边角料，这些用料的比例在 N 型 Si 中用料较低，跟 PERC 不一样。一方面 Si 片减薄了，厚度减

薄 20μm,能节省一定成本，但由于其高品质要求导致 N 型 Si 料品质更好，价格更贵，综合下来，N

型 Si 比 P 型 Si 要贵 0.03 元。下面讲一下电池，电池非硅成本 Topcon 目前在 0.26 元左右，PERC 主

流市场在 0.2 元，电池端 Topcon 比 PERC 贵 0.06 元。下面讲一下组件端，组件端在同一版型下做对比，不同版型比较差异太多，比起来意义不大。从同一版型来看，从制造成本上 N 型和 P 型组件端

是无差异的，主要就是些操作手法上做一些调整，电池正极跟负极是相反的，上料和接线盒需要反

接。但是因为 N 型效率高，N 型做出来的组件比 P 型功率要高，高约 10%。组件端的成本是以 W 数

来卖的，比如说 PERC 按标准版型做下来是 650 W，相同版型去做 N 型 Topcon 的话能做到 710 -720

W，那就多出来 60-70 W，会分摊到人力成本，固定投资成本，设施动力等，它是能够摊薄的，这样

摊下来组件端能省下 0.1 元。因此整体来看，硅片端多 0.03 元，电池端多 0.06 元，组件端省 0.1 元。

Q: 电池端 0.06 元能否再拆分一下？

A: 拆分为 4 大块，这 4 大块大约 0.05 元的成本。第一个最直观的是设备折旧费高，1GW Topcon 的

设备投资在 2 亿左右，1GW 的 PERC 的车间设备投资在 1.2 亿。Topcon 比 PERC 高了 0.8 亿，按行

业标准是 10 年的折旧费，每年设备折旧约 800 万，对应 1GW，每 W 非硅成本 Topcon 比 PERC 贵

0.008 元。第二部分，银耗高，目前是高 0.02 元左右，N 型 Topcon 的银浆湿重目前是在 110-120mg

左右，PERC 是 70-75mg 左右，意味着每片 Topcon 比 PERC 银浆高 40mg 左右，并且 Topcon 用的 N

型银浆比 PERC 用的 P 型银浆市面价格要高 10%，比如 PERC 银浆是 5000 元/kg，那 Topcon 银浆要

卖到 5500-5600 元/kg。两者叠加后，Topcon 比 PERC 银耗高 0.02 元左右。第三部分是良率低，目前

Topcon 良率最好的 800MW 的那个是 96.5%左右，PERC 的平均业内值是 98.5%，意味着 Topcon 的

良率比 PERC 低了 2 个点，折算成非 Si 成本，Topcon 高了 0.013-0.014 元左右。第四部分是新增工

序成本，其实 Topcon 和 PERC 比，它的工序差异不大，Topcon 增加了三大工序，1.硼扩散 2.背面抛

光 3.LP，其中背面抛光和 LP 的成本较低，主要新增成本在硼扩散这一块。硼扩散成本要原因有三

方面1.硼扩散的硼源比 PERC 磷扩散的磷源价格要高 5-8 倍 2.硼扩散的工艺温度很高 1300℃，工

艺时间 2-2.5h，对比 PERC 磷扩散温度在 850℃左右，工艺时间约 50min，发现硼扩散单小时产出低，

同时因为温度高对应耗能高。硼扩散方面三块成本叠加，第一硼源贵，第二能耗高，第三单小时产

出低。这三方面推高了硼扩的成本，高 0.007-0.008 元左右。这四方面加起来接近 0.05 元，其他成本

总计 0.01 元左右，0.01 元多一些。

Q所以银浆和良率后续还有改进的空间吗？

A有的。其实降本我这边也做过专题的，Topcon 的降本有三个方面可以做，除了银浆的降低，良

率的提升，还有一方面就是效率的提升。效率提升后组件那部分的成本减少的会更加明显，叠加到

整个一体化来说也是更加可观的。因为电池这边也是按挡位卖钱的。挡位越高成本也是在下降的，

就是这三方面可以做的。先讲一下主线，非硅成本到 2022 年 Q4,两者的非硅成本能从目前 0.06 元缩

小到 0.04 元;到 2023 年 Q3,Topcon 可以比 PERC 非硅成本高 0.03 元以内。0.03 元以内目前来看缩小

空间有限，但现实端非硅成本，随着 Topcon 效率提升，组件端节省的成本就会比较多，最终来看

Topcon 的一体化成本在 2022 年 Q4 就会体现出来。现在回到降本措施，第一银浆目前银浆是 110-120mg/片，预计到 2022 年 Q4，银浆达到 90-100mg/片，到 2023 年 Q3，达到 80-85mg/片；统计来看

2022 年 Q4，N 型银浆与 P 型银浆的差价能缩小到 3-4%，到 2023 年 Q3，基本维持在 3%以内。到

2023 年，银浆成本就能缩小到 0.012 元以内。第二点，效率提升，最大收益方是电池端和组件端，

预计到 2022 年 Q4，Topcon 效率能做到 25.8%以上，到 2023 年 Q4，能做到 26.8%。如何做到效率

提升？第一块最直观的其实是 n 型银浆的改良改善。目前市面上的一个 n 型银浆，其实各大国内的

浆料厂都在介入这一块，但是目前做的比较好的，像迪克、聚合，他们跟我们在一起联合开发的时

候，他们觉得 N 型银浆改善提效的空间是半年 0.2%。因为 n 型银浆和 p 型银浆的成分上主要体现是

在有机溶剂上面，有机溶剂做一些轻微的调整以后，效率提升非常明显，所以他们这一块的心还

是非常大的。那除了 n 型银浆优化以外，还有哪两步？第一个是叫 LP 的优化，LP 就是长氧化层和

Poly 层，通过 LP 的沉积模式，因为工序是比较轻的，之前一直是晶科和拉普拉斯自己在做的。这一

块还有很多改善，完善和提高的空间，这块预计半年左右能提 0.1-0.12%之间。另外还有一块是硼扩

的优化，硼扩散的工序比较有特点，因为之前在光伏里面是没有用硼扩散的，而目前工艺的时间非

常长，两个小时以上，那温度也非常高，一千三百度。那就意味着这一块的空间，包括硼扩方阻值、

包括时间，工艺的一些匹配性，还有工艺窗口的一些优化，这些工作也能做，那么预计就能实现我

们整个规划一个季度 0.25%的效率提升。这是效率这一块的。第三方面是良率的提升，良率目前是比

PERC 主流的话低了两个点。那它主要低在三个方面。那第一个很直观就是碎片率。那 Topcon 的碎

片率比这 PERC 的碎片率高了 0.8-1%，碎片率主要碎在哪硼扩散这道工序上，随着整个行业对硼扩

散一些熟悉，参数的一些优化，那碎片率其实是预计能下降的，预计最终 Topcon 的碎片率比这 PERC

的碎片率高了 0.4-0.5%。第二方面是外观不良，

Topcon 电池叫方片电池，PERC 是单面的，那 PERC

单面上的一些外观不良，比如说氮化硅膜上的色差色斑，丝网印刷的烧结，电极的断栅节点、丝印

加粗等问题，Topcon 而言就是加倍的，双面均可能存在不良现象。那目前的一个外观不良就是在 0.5%

水平，那对于 Topcon 来说是 1%。这 1%随着整个良率，色差色斑、丝网相当的改善，预计还是可以

减小的。良率第三个方面是叫电性能不良，第一个是和硼扩散有关系，第二个是和 LP 有关。目前这

些电性能不良有比如黑斑、黑点、暗偏、明暗篇这些问题。电性能不良目前也是有办法可以逐步地

改善和完善的。预计总的良率到 2022 年的 Q4 能到 97.5%，到 2023 年的 Q4 能到 98.2-98.5%之间，

到 2022 年 Q4 Topcon 的良率和 PERC 良率差异大概是在 0.5-0.8%的范围。

Q: 您刚才说效率 2022 年的 Q4 到 25.8%，什么时候到 26.8%？

A: 2023 的 Q4。

Q: 良率的话也是 2023 年的 Q4 到 98.2%？

A: 对。Q: 那硅片成本现在贵三分钱，后面可以做得更薄吧？

A: 硅片到后面，我觉得在 Topcon 技术上是做不了薄的。之前我们觉得因为它没有用铝浆，那其实

PERC 不能做薄，就是因为它有背面有铝浆。铝浆烧结以后，它有产生应力，导致硅片有拱起，翘曲

这种问题，它的厚度约 170μm。那对于 Topcon 而言，因为是双面电池，没有铝浆，背面铝浆的问题，

所以当初我们也觉得它能做得更薄一些。但是我们去做过尝试了，低于 150μm 以后，到电池端以后，

硅片的碎片率会明显有上升。主要的问题是在硼扩散，因为硼扩在这道工序，温度非常高，那需要

在短时间内实现一个升温和一个降温的过程，升降温的温差斜率是非常高的。剧烈的一个升降温过

程，导致硅片内部会产生相应的应力，那硅片就会有崩边、缺角、变形问题，那会显著推高整个制

程的一个碎片率情况。所以对于 Topcon 而言，它的硅片也不能再薄了，目前来看也就是在 150μm 左

右。从长远来看，硅片端的成本 0.03 元左右基本上没有什么空间可以下调的。主要是在电子端，比

如说从 0.06 元缩小到 0.03 元，那组件单目前比如说能省 0.1 元，到后续比如说能省到 0.15-0.16 元。

Q: 用的硅料，后面价格不会降的更低吗？

A硅料价格下降比较难，品质要求越高注定硅料的用料方面只会越用越好，不会越用越差。

Q: 那它组件端它的发电效率现在是高 10%，它后面还能再提升吧？

A会的。预计是在 15%-18%之间。

Q: 这种怎么去提升它的发电效率啊？

A发电效率跟电池的效率有关系，电池效率越高组件的功率就越高。比如电池 24.8%对应 710W 组

件，如果说 26.8%，那可能对应的 740-750W 组件，它有直接的对应关系。

Q: 尺寸都是 182 吗，会变更大吗？

A: 尺寸上来说，如果对 Topcon 而言，182 会是主流。210 基本上玩的人很少，因为其 210 是硅片端

推出来的，硅片厂家比如像中环他们推出来的，主要基于棒子开方，开在 210 硅料是最省的。但是

210 对电池端和组件端而言是非常麻烦的事情。硅片太大，导致做电池的碎片率明显上升。同时很多

原来的一些设备没有完全没法用到组件，也将面临相同的问题。所以目前来看，Topcon 技术下应该

是 182 是主流，那肯定提少量的这种 210，但是如果后续技术升级，像电池技术升级到 HJT 或者 IBC

这种，那我觉得就是 210 横行期到的时候了。

Q: 所以比如说到明年组件发电效率提到 15%到 18%，这边省约 0.15-0.16 元，然后降本大概降 0.06

元，所以就基本上有 0.1 元的溢价？A: 成本上预计 2022 年 Q4，Topcon 的成本会比 PERC 低 4 分左右。然后到 2023 年的 Q4 Topcon 的

一体化成本比 PERC 低 0.08 元左右。总体来看的话，组件端的终端的 0.1 元的溢价是能维持住，的，

可能还会略多一点。对，所以从 2022 年 Q4 开始， PERC 和 Topcon 的差距会越来越大，Topcon 的

优势会越发体现出来。

Q: 后续的 规划，就是除了现在两个大概计划就投产，后面其他的一些规划？

A: 晶科 2023 年的产能规划还没出来，估计到下半年才会出。因为要根据上半年的一些运营情况，

整个行业的一个利润分配的情况，还有订单情况，才会规划 2023 年的扩产情况。

Q: 有定个目标或战略目标嘛？

A: 从 2022 年全行业的扩产情况来看，晶科 16GW，其他家比如说像隆基、天合、晶澳，通威等，加

起来的总产能很高。目前隆基有 10GW 在银川，量产时间是在三、四月份左右。天合有 8GW 在阜

新，量产时间在五、六月份。晶澳有 6GW 在扬州，量产时间也是在六、七月份。中来在华阳有 8GW，

量产时间是在五、六月份。展羽有一个 8GW 在合肥，第一个 2GW，量产时间是在五、六月份。爱

旭有 10GW 在义乌，量产时间在八、九月份。协鑫集成在乐山有一个 10GW 的投产，量产时间在十

月份到十一月份。最新的通威在成都准备上 10GW，量产时间也是在十一月份左右。整个产业加起

来，2022 年的 Topcon 扩产有 80GW 左右。预计这 80GW 在 2022 年的能做 30GW 左右的订单，即 n

型 Topcon 终端的一个订单。

Q: 订单如果是 30GW，晶科是 10GW，然后其他大一点的厂家可能就是隆基是吧？

A: 对，隆基应该算是比较大，也开比较早的。第三个应该就是中来了，中来也会比较快。

Q: 现在这种订单主要的一个需求方是来自海外吗？

A: 对，晶科的订单主要都是以海外为主的。

Q: 那您了解比如说像隆基，中来的一些效率、良率，还有一些数据嘛？

A: 隆基因为量产数据还没出来，之前只有比如说中试线的批量性数据，和它的上次一个流片数据。

批量数据良率是 95%，效率是 24.5%。中来的效率是在 24.2%左右，良率波动比较大，一般平均下来

是在 93-94%之间，相对来说做得差一点。

Q: 中来为什么做了这么多年良率才做到这个水平？

A: 中来之前是用长那个氧化层和 poly 层的，他用的是 PE 的模式来打，PE 的模式效率就会低，那良率低是因为它硼扩散上的一些东西没有解决好，导致他的良率和效率上都有牺牲。那中来最新开

的一些线，二期 Topcon，他们叫 Topcon 2.0，那他们就改成了 LP 的模式。

Q: 所以隆基和晶科选择的是 LPCVD 这条相对比较成熟的路线，目前看来这条路线它出的良率和

效率都会更高一点？

A: 是的，对。

Q: 天合、晶澳这边，选哪条技术路线您了解吗？

A: 我觉得之前什么样的技术现在不太重要，现在重要是根据整个行业来看，各家都基本上会采用晶

科或者是仿晶科这种模式去做 Topcon。因为晶科 Topcon 技术路线目前来论证下来是成功的，而且

做量产是绝对没有问题。而之前像背面抛光用碱洗，沉积的 LP 用 PE 或者用 P poly 等模式或多或少

有些问题或者是量产性没有解决好。所以就目前来看，各家基本上都会走晶科的这种路线，以晶科

路线作为基础或作为框架再去做进一步的完善。

Q: 隆基的那条 HPBC 路线，您怎么看？

A: 隆基的 HPBC，我觉得更大的意义是在于提升股价，我觉得技术本身也是没有问题的，但是技术

走向量产还是太早了。其实也跟隆基的高层领导有关系，之前他们新技术的量产导入是隆基的申总

在负责，现在是交给李总了，两个人之间关于技术这块是有争议的，这是一方面。第二方面，隆基

之前上的比如说 Topcon 这一块也是没有问题的，现在上 HPBC，我觉得机会还是比较小的。HPBC

是 Topcon 和 HBC 技术两者融合以后在 p 型硅片上做的，首先一点 Topcon 隆基做得不好，第二，

IBC 隆基也更不行。那隆基想把两个技术融合起来做，我觉得那就是难上加难了，本来左手打拳也

不好，右手打拳也不好，他现在想来个双手互搏，我觉得太早了，讲这话。所以我觉得更多的是一

种宣传、打广告、提升股价这方面的作用更大一点。

Q: 隆基 HPBC 用的 P 型硅有成本端的优势吗？

A: 我也不太清楚具体怎么考量的。Topcon 技术，我们一般理解叫钝化接触的一种结构。比如说我

从硅片到电极上增加了一个氧化层和一个 poly 层的这样一个结构。Topcon 技术，它既可以融合到

HJT 上，也可以融合到 IBC 上，这是没有问题的。那至于隆基在 p 型硅上去做 HPBC，我觉得成本

有可能是他考量的很重要的一方面，如果不去考虑之后 n 型硅料成本，那硅片上省的 20%的成本还

是很明显的。但是我觉得技术现在来看，走量产还太早。

Q: 所以现在隆基这边 10GW 的 Topcon，您觉得他今年实际能出多少？A: 如果按照他们的规划说三、四月能出出来的话，那至少能出个 5-6GW 订单没有问题。

Q: 所以就是今年大头是晶科、隆基、中来？

A: 对，因为开得早，所以他今年能出货能出多一点。如果你说到三季度、四季度再开，那能做的订

单就非常少了，量就非常小。

Q: 那异质结这条技术路线您怎么看？

A: 如果是 21 年上半年，相对于 Topcon 来说，我更看好异质结。因为异质结它有很多的一些优势，

比如成本想象空间非常大、工序又简单，是可以节省很多的人力成本、设备投资成本等。但是从 21

年下半年开始，随着 Topcon 技术的逐步走向成熟，那异质结这方面的一些问题也迟迟得不到解决。

所以目前来看至少 Topcon 是赢了。那未来来看异质结这块还有没有机会？我觉得机会也不大。异质

结自身的问题点有三大缺陷第一个缺陷是低温银浆问题，第二个是 TCO 导电膜的老化问题，第三

点是 PVD 设备和 RPD 设备的量产化问题。但这三方面来说，HJT 花了两年时间一个问题也没有能

够得到突破。在 2020 年底时，当时大家在问 Topcon 也有两个很大的毛病，比如说像硼扩散的黏片

问题，LP 的绕度问题，那也是解决不掉的。只是后来晶科凭一己之力把这两个问题给解决掉以后，

Topcon 才开始被大家接纳、推广。那就异质结而言，第一个就是低温银浆，组件间的焊接拉力不达

标，就算采用特别的串焊机，它的拉力还是达不到组件的业内标准，一流以上还是达不到。第二点

因为低温银浆的烧结温度很低，250℃左右，低温的烧结导致银浆的金属化效果非常差，因此印完的

电极特别容易脱落，而且比较容易有塌陷的问题，这块属于外观不良的问题，对组件都非常致命。。

第二点 TCO 透明导电膜的问题，目前从实验室做老化实验来看它的寿命是非常不达标的。晶科的不

管是 PERC 组件还是 Topcon 的组件，户外的寿命不管是在地面电站或者分布式上，至少十五年以上

稳定工作是没有问题的，但异质结电池非常容易老化，它的寿命是很低的，完全达不到客户量产的

这种需求。第三点，是 PVD 设备和 RPD 设备来源于半导体行业，比如说迈为、捷佳伟创，把钧石

这些厂家从半导体设备里面模仿过来之后，去做异质结电池。那这些设备具有非常显著的特性，控

制非常精准，但是产能特别低，一个小时产能在半导体里面，一个小时有两三百片的产能，还算比

较大的。对光伏而言，这个产能是完全不可以接受的，光伏的产能现在都要 5-8 千的产能。那不管是

钧石，迈为，还是捷佳伟创，他们对 PVD 设备和 RPD 设备的改造，就是牺牲一部分的控制精准度

来去做大产能化，目前来看这做的不是太好，设备的稳定性、可靠性、大产能价都会有偏差、有问

题。那目前就是这三点严重地制约了整个异质结的推广，所以随着 Topcon 逐步崛起，去分 PERC 的

蛋糕，异质结目前来看还是被丢在一边了，量产有问题。同期来看，各家主流的电子生产厂家对异

质结的心也是丧失的很快、很多。那后面异质结的这些问题还能不能得到解决，我觉得现在希望

也不太大。因为统计来看，它后面还有两个追赶者，第一个是 IBC，第二个是钙钛矿，那么他们其实

最近也会有一些技术上的突破和进展。那就是说三到五年以后 Topcon 技术完全走向成熟，那下一代的技术更新迭代会是谁？我觉得目前来看非常不明朗。我也给不了答案。

Q: 低温银浆不是有所谓新的一些技术可以解决耗量大的一些问题，技术也不太成熟吗？

A:HJT 的低温银浆重点不是耗量高的问题，主要是金属化效果差，然后电极有脱落，导致良率就是

会本来是 A 片，结果被判成不良。耗量大还是后续的问题。这里面比如说像帝尔激光吹的激光转印，

包括之前吹的银包铜这些技术，就是治标不治本。因为异质结的模型结构，就注定不能使用高温，

那就只能使用低温银浆，那低温银浆上就会有这块的问题存在。跟用丝网印刷的模式，或是用激光

转印或是用银包铜，还是铜蒸镀等其他的技术，它改变不了低温去烧解的本质，因为它不能用高温，

但用低温烧它的组件端就是有对应的问题存在。还没有到成本这一步，因为只有到量产以后，才会

考虑成本上的事情。

Q: 刚才说 PVD 设备量产量慢，这东西是目前也相对比较卡？

A: PVD 设备是掺杂晶体硅的，然后 RPD 是沉积 TCO 导电膜的。这两个设备，就是因为它设计原理

上的不同，就是半导体里面是要精准控制和低产能。到光伏里面，它的设计要求是要高产能，牺牲

精准控制。那这块的设备的设计理念不一样，那就意味着设备需要改造的东西就比较多，目前来看

改造还不算成功。那就是说这一块还需要一些时间，问题解决起来可能更容易一些。但是国内的一

些厂家、设备，我觉得设备上模仿能力还是可以的，但是让他去设计开发能力那就欠缺的比较多。

Q: 晶科是解决了你刚才提到的 Topcon 的哪两个问题?

A: 一个是叫 LP 的绕度问题，一个叫硼扩的黏片问题。黏片就是因为硼扩散，它会高温产生那个硼

硅酸高温会把片子粘在一块，那粘在一起的片子会全部要报废。

Q: 这两个问题是跟设备厂一起解决的，还是说自己想想办法把问题给解决掉？

A: 硼扩散是我们自己解决的，在那个 TEMPRESS 国外一家厂家硼扩机台上解决的。绕度问题也是

我们解决的，但是我们是基于拉普拉斯机台设备上去做解决的。

Q: 现在其他厂家去扩 Topcon 的话，他们也能解决掉这两个问题吗？

A: 如果他采用晶科技术路线，采用拉普拉斯的设备，这块的问题也不是要完全解决，但是有很大机

会去解决，需要时间，需要的是他们自己的专业团队技能的一些提升。

Q: 那比如说我们在公开这些问题的时候，当时有申请专利，比如说跟设备厂一起合作然后别的人做

只能绕过这个专利，有这种东西吗？A: 没有，我觉得我们也不叫公开，我们和拉普拉斯设备厂家是有签一个协议的有半年的保密期。那

拉普拉斯可能你们应该比我更清楚，它后面有三个股东隆基、晶科和天合。他们和晶科开发是有专

门的一个小团队，一个科室在做 LP 的改善，那科室是独立的，没有签协议。协议的意思是晶科开发

的量优化的量产机是要有六个月的保密期，这六个月只能供给晶科，六个月以后你才可以供给之前

的这种机台，给比如说友商像隆基、天合这种厂家。那整体来说，晶科对外而讲在 Topcon 技术上是

领先全球六个月到八个月时间。预计到 2023Q3 以后，六个月到八个月的差距才会逐步被缩小。

Q: 像通威这种专业的第三方，它为什么在这种技术上走的反而比我们还慢？

A: 通威最早是押宝在异质结上没有选 Topcon，他在异质结上也做了一个小车间，300 多 MW，然后

一直做不出来。去年十一月份开始才逐步转向 Topcon，然后再到处挖人，预想在 2022 年 Q4 量产

10GW Topcon，但由于其一开始方向选错了，再努力也没用。

Q: 但在通威，在 Topcon 里面，它掺杂多种流程，它这里面走的技术线是一条 PEALD 的路线这条

路线他为什么不跟我们一样走这条 LPCVD 的路线？

A: 我觉得早期的选 PE 的人会比较多，因为 PE 是没有绕度问题。后来是因为晶科解决了 LP 的绕度

之后，大家再回归到 LP 上来。LP 和 PE 的差异点就在 PE 的沉积速度快，而且它没有绕度问题，但

是它的效率会偏低；LP 沉积速率慢，但是模型结构好，所以它的效率高，但是它存在绕度问题。所

以早期的话 Topcon 上有很多的人都是选择 PE 的模式。

Q: 能方便帮我们解释一下绕度吗？

A:绕度就是我要 LP 的这种模式下去沉积它的 poly，因为背面结构，它除了在我们背面沉积以后，它

在正面也会沉积一部分。那因为我们的沉积时硅片会背靠背放置，那因为是这种背靠背放置的缝隙

有差异，而且它的整个炉管内的氛围有不均，比如有一些是进气靠近进气口的地方，有一些是靠近

出气口的地方，那导致正面扰动的那些 poly 它的厚薄不一。那到洗高度的时候，就没有工艺窗口，

洗多了，那比如说就抛光了，洗少了就洗不干净。导致绕度的问题一直存在，是这么个情况。就是

不管洗多洗少，总会有这种绕度上 poly 的残留导致良率上会影响很大。这就是绕度最简单的解释。

晶科是采用双面沉积 poly，就是原来我们常规做法是单面，晶科是采用双面，就是一个卡槽里面只

放一片。那沉积 poly 就是两面都有，而且还是相对来说比较均匀。那同期我对进气的系统、氛围做

一些改造优化，就进气管道和排尾气管道做一些优化。这样子我们沉积的 poly 不管是正面还是背面

都比较均匀，而且厚度比较接近。那我们去洗绕度洗正面的 poly 的话窗口就比较广、比较大，这样

子就洗的比较干净。那同时这里就会面临一个很大的问题，就是产能会牺牲很多。原来比如说一管，

一千、一千二的卡槽石英舟的，那原来可以做一管可以做两千四。那现在你是双面 poly，那就只能做一千二了，那一千二到两千四那产能牺牲很多。那后来我们就通过躺片系统，自动化改造，这要

有报告会比较好讲，这样讲好难描述。原来就是一个大舟，一千二的一个长的石英舟是躺在石英管

里面做 poly 沉积的，那现在改造以后就是我一个竖着的一个个小石英舟立在管里面，那片子怎么就

躺在石英管里面，我们叫躺片系统。那经过这种改造以后，原来一管可能只能做一千二，这样一改

完以后一管能做到一千八到两千的产能，那从两千四到一千八到两千之间，它的产能损失就比较少

了，那这样就比较可以接受了。又能避免绕度问题，然后产能牺牲也比较少，那通过这种方案来解

决绕度的。

Q: 您刚才说有个 ppt 和报告是吧，能不能看一眼？

A:报告主要分四个 Part，四 Part 内容就是 PERC、HJT、TOPCon 三个技术的一些技术对比，包括它

的优劣势，包括它的一些方面的情况。第二方面就是 Topcon 一个成本分析和一个成本改善。第三方

面是 Topcon 的一个年度扩产计划。第四方面就是 Topcon 的一个车间，然后设备的一个投资分析，

这四块内容。那 Topcon 技术，它其实就是一个钝化结构，一个氧化层叠加一个 poly 层的结构，它其

实可以叠加 HJT，叠加到 IBC 上面去。Topcon 一个技术路线标准的一共是十二步。然后他跟 PERC

比，它有哪些长处，有哪些优势和劣势，这边有效率高，衰减低、长波效应好，还有温度响应系数低

这四大优势。那劣势就是固定投资高，高了两千万，工艺复杂，因为它增加了一些工序，而且工序

相对来比较难控制，还有一点就是相对来说电池的非硅成本高。那异质结就有五大步，标准化分就

是五步，从清洗制绒到掺杂晶体硅，归到沉积透明导电膜到丝网印刷烧结到提取。HJT 的一个量产

问题，其实刚刚也提过了基本一样，TCO 膜的老化问题，二是 PVD 和 RPD 设备的一个量产化问题。

成本分析其实刚刚也讲过了，非硅 Topcon 目前比 PERC 高了 30%，它是 0.26-0.27 元之间，PERC 是

0.2 元，那高了有四方面设备银耗，良率，还有新增硼扩。那一体化上来看，硅片端是高了 0.03 元，

0.03 元，主要是因为它的 n 型硅料用的品质更高。虽然它减薄，但是总体上来看还是要会多 0.03 元。

组件端因为它的功率高，功率高以后分摊到每一瓦的成本，不管是辅材，还是人力，还是投资等，

还有土地使用这块都是会下降的，这块综合成本是能省 0.1 元。但是它的售价会高，因为它的 n 型组

件有一些优势。那目前的一个溢价权是在 0.1 元一瓦，这样子来看，成本是打平的，然后售价是多

0.1 元，利润其实是多了 0.1 元，但其实到今年 Q4 以后，它的还不一样。那成本后面的改善，比如

说良率方面的提升、效率方面的提升、银浆上面的下降。那扩展当前的产能是这么个情况，然后新

扩展产能是这么一个情况，其实刚刚在讲过了。这块讲下来可能你对整个两个技术就比较清晰了，

那 Topcon 的一个车间的新增设备，它有新增的工序有三个，一个是硼扩散，一个是边缘抛光，一个

是 LP，那这三个工序。他要淘汰的设备，主要有两个，一个是 SE 激光，一个是开槽激光，它需要

做调整的氧化机台，因为氧化机台现在整合到 poly 里面去了，我们叫 poly。我们叫是氧化和那个药

剂同时成剂。那氧化机台是用来去做磷扩，稍微改造一下就可以了。那硼扩目前来看，三个厂家，

一个是 CT，一个是 TEMPRESS，这两家都是国外的那它的价格会很高，然后采货周期供货周期非常长，所以目前国内的主选还是以拉普拉斯为主。那背面抛光其实没有什么技术难度，而且之前大

家其实也都在做的。国内的一些做这种潮湿清洗的一些厂家，捷佳伟创等都能做。LG 目前来看，就

一家拉普拉斯是证明它能做量产的。那其他的像捷佳伟创、北方华创、威岛、赛瑞达，包括海外的

CT，他们说都能做量产，但是他们的量产机拿过来试了一下，都是或多或少有些问题需要还进一步

的改善。这一张表也比较有意思，就是 Topcon 1GW 的设备出现，投资两个亿，怎么分的？那这里

面有几个点，第一个看到有很多这种捷佳伟创的设备，大概在八千万左右。那这个不只是捷佳伟创

能做，原来在 PERC 里面的能做的厂家，在这里面都能做，所以捷佳伟创只是一个参考。有两点很

有意思，第一个是拉普拉斯的四千多万，接近五千万，目前来看就是拉普拉斯独家专供的，别人想

供也供不了，然后电池厂家想用也用不上的。还有一点，要讲的就是有一个叫奥特维设备，可能你

们会比较感兴趣，奥特维之前是做那个组件端的串焊机的，那他在 Topcon 的技术里面他有一个比较

大的机会 。他是做那个光注入的一个设备，AR，那他和比如和迈为的和捷佳伟创的还不一样，它的

光注入是用紫外连，提效还比较多，对 Topcon 的提效能在 0.15%左右。那设备晶科也在用的，那我

觉得后续可能其他家也会跟得上，因为提效很明显。那这个设备 1GW 的设备投资能达到两千两千万

左右，因为拉萨没有上市，可能对大家没什么参考价值，但是奥克维这一块大家其实是可以去看一

看。那报告的最后一页就是说从硅片到电池到组件的一些技术，就是尺寸、厚度、电池工艺选择，

多主栅到多主栅，金银浆大创（未听清），包括组件的，比如说单片叠碳（未听清），高透双面双波，

透明背板等一些技术。

Q: 专家，能不能麻烦您再找到那个刚才设备那一页。这块你刚才说奥特维 1GW 是两千万，是吧？

我一看表上是二百万。

A: 表不是很准的，因为做的报告很多人想要报告，因为我里面有些数据不一定准，以我讲的为准。

Q: 整个 1GW 的是两个亿，他占两千万的话能占到 10%

A: 对。

Q: 除了这些就是一些激光设备是不是也有一些增量？

A: Topcon 里面是没有激光设备的。比如说像帝尔，他们应该在 Topcon 里面都是一个生死考验。

Q: 那就是 IBC 这块是需要有一些增量的激光设备吗？

A: IBC 上会用一些激光设备，那目前来看，因为 IBC 量产还早嘛，目前量产的话是 Topcon。那帝尔

激光能不能撑到 IBC 量产，我觉得是一个很困难的事情。那其实最近帝尔激光推了同注入，激光转

印，他也是在谋求生存。但是他配的这两个技术，不管是同注入还是激光转印，我觉得还没有到成熟应用的时间，技术还需要再完善，才能走向真正的真正走向量产。

Q: 硼扩设备和背抛设备，国产能做的主要还是在背抛这块，硼扩其实国产还比较少是吗？

A: 硼扩国产的话，拉普拉斯是国内的，拉普拉斯是在深圳的。

Q: 然后背抛这块的话主要就是捷佳？咱们这边合作的厂商主要是哪些？

A: 背面抛光其实没有技术难度。就是国内的一些做潮湿清洗的厂家都能做背抛，那就是电子厂家的

一个选择了，那我们也不一定选捷佳。因为捷佳相对其他的一些清洗设备，还是会贵一些。

Q: 那个光注入的难度怎么样？除了奥特维以外，其他家开发的怎么样？

A: 光注入目前来看，技术难度还不小。因为奥特维和隆基研发中心一共开发了有接近两年时间，才

把东西开发出来，所以我觉得奥斯维应该在技术上能够吃很大一波红利。目前的其他家，比如像迈

为、捷佳，他们的设备还离奥特维还有点差距，可能需要的一年左右。

Q: 你感觉效率能提升百分之几呀？

A: 0.15%。

Q:组件端非硅成本能降 0.1 元，最终其实效率提升是相对 PERC 来说理论上没有提升到 10%，而因

为理论上以前我们大概组件非硅在 0.07-0.08 元左右。如果你效率本身没有提到 10%的话，理论上

就是最终节约上面应该不能够超过比如说 0.07-0.08 元。就 0.1 元的事情怎么算呢？

A: 其实第一个 PERC 电池有掉档，第二个 PERC 的组件有衰减。那 n 型 Topcon 电池是没有掉档，

也没有衰减。所以就说 n 型的组件它做出来是比 p 型组件的功率是要高出来 10-12%的。

Q: 你的意思就是说我最终虽然比如 PERC 是 23%，Topcon 是 24.8%，看起来没有高到那么多，但

实际上他可能不是 23%，他是 22.5%是吧？就 Topcon 效率还是确定的。

A: 对，因为 PERC 电池有调档，比如说电池从 PERC 车间出来，效率是 23.2%，那到了组件放到复

测的效率可能只有 23.1%，甚至 23%都不到。那比如说他做到组件比如说 650W，那经过一段时间出

去以后，他可能只有 620-630W 这样一个概念。那 N 型其实是稳定的。

Q:从客户角度，按照他最终给出的时候，PERC 还是按照 650W，比如说最终肯定是过了一段时间

衰减了，但是我出货的时候是不是还是 650W？最终在我们制造端的时候体现出来，其实不一定能

够吃得到这一波，就是最终衰不衰减的问题，因为这是客户端受益。就如果说客户端受益了，但不一定能体现到我们的比如说单瓦的成本上面，比 PERC 要低。

A: 是这样的意思，就是比如说 PERC 是掉 650W。那比如说我的 Topcon，比如实测下来是 710W，

那我七百一就可以标到 730W，没有问题的。因为到客户上其实表现都差不多。

Q: 就是我们定价的时候，我们还是按照七百一去定的嘛，就不是按照实际测的七百三去定是吧？

A: 不是，就是我们就是我定的时候比如我测的是 710W，但是我卖给客户按 730W 卖是合理的，差

不多高 12-15%的功率。比如说八毛钱左右乘以百分之十五，其实就超过一毛了。

Q: 另外我听说 Topcon 的 ctm 是不是比 PERC 的 ctm 要弱一点，考虑该因素之后，还是低 0.1 元？

A: 是的，但具体数值记不清了。

Q: 0.1 元的事情应该是我们内部做成本测算的时核算出来的，因为我们既有 PERC 的组件部门，也

有 Topcon 的组件部门，两边对比出来的？

A: 是的。