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对照先进逻辑制造关键变量，再看ALD领先企业微导纳

  • 作者：啊牛踏波
  • 2024-09-04 19:38:57
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对照先进逻辑制造关键变量，再看ALD领先企业微导纳米，（附图7）2022年6月应用材料收购芬兰ALD技术先驱Picosun新闻中据eeNews报道，ALD已成为逻辑器件制造中的关键工艺技术。自在45nm的商业制造中首次使用以来，对ALD的依赖已经拓展到今天的10nm节点甚至更远。22nm节点通常有10+ ALD步骤，而10nm节点大约有70个ALD步骤，被用于high-K介质，如HfOx和AlOx，栅极金属层，如TiN和TaN，蚀刻停止层，衬垫和间隔层，如SiOx和SiNx。Picosun、微导纳米核心技术高管LI WEI MIN先生（芬兰总部应用总监）、LI XIANG先生（亚洲董事总经理）任职过，国内在22nm、10nm层面ALD应用的工序数和设备数贴近客观实际（受限于GKJ）。网络上都是抄微导纳米的招股书内容，如图，90nm—40道到沉积工序，3nm FinFET—超过100道沉积工序，但是90到3，沉积材料增加到近20种，微导纳米目前覆盖16种沉积材料。毛估估，心里有个框架即可。现在，逻辑器件架构和存储器架构之间的呈现工艺技术融合创新的趋势，DRAM制程工艺也演进到了10nm-20nm范围。
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