东芯股份公司先进制程1xnm NAND Flash产品已完成功能性验证

集微网消息 5月17日，东芯股份披露最新调研纪要称，公司的SLC NAND Flash在28nm及24nm的制程上持续开发新产品，不断扩充 SLC NAND Flash 产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的1xnm NAND Flash产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。

同时，公司的 NOR Flash 产品在力积电的 48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前 512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 产品都已有样品可提供给客户。另一方面，公司在中芯国际的 NOR Flash 产品制程从 65nm 推进至 55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。而公司设计研发的 LPDDR4x 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并已通过客户验证。

而这与东芯股份高度重视并始终保持高水平研发投入密切相关。2022 年东芯股份研发费用为1.10亿元，占当期营业收入9.63%，较上年同比增长47.46%。截至2022年年末，公司研发与技术人员共130名，数量较上年同期增加 49.43%。

东芯股份称，公司将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的技术先进性。公司将在现有应用领域的基础上，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化产品及服务的能力。公司也将坚持以存储产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品，通过差异化提升盈利空间；持续开拓国内优质客户，服务行业重要客户，逐步拓展海外市场，提升公司在全球的市场地位和影响力。

关于公司在SLC NAND方面的优势，东芯股份表示，公司的 SLC NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司开发的 SLC NAND Flash 产品使用温度范围可达到-40℃～105℃，部分产品已经通过 AEC-Q100 的验证；凭借高可靠性，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。