国内存储芯片龙头东芯股份

广阔存储市场，新型应用+差异布局带来发展契机，集成电路持续高景气，存储市场规模占比第一

根据WSTS数据显示，2015-2018年全球集成电路市场规模保持不断增长，从2015年的 2,745亿美元增长至2018年的3,933亿美元，年均复合增长率达12.73%。

受国际贸易摩擦 影响，2019年全球集成电路行业市场规模为3,304亿美元，较2018年下降16.00%。

随着 5G通、新能源汽车、物联网、人工智能和其他新兴应用的持续增长，2020年集成电路 行业有所复苏，全球市场规模为3,612亿美元，较2019年增长9.32%。

根据WSTS预计， 2021年及2022年全球集成电路市场规模将分别达到4,596.85亿美元及5,107.88亿美元， 较上一年增长率分别为27.3%及11.1%。

依功能不同，集成电路产品主要分为四类，分别 为存储器芯片、逻辑芯片、模拟芯片以及微处理器。根据WSTS预计，2021年整个集成电 路市场中，规模增长最快的是存储器芯片。

占整个集成电路行业市场规模的比重将提高 至35.05%，而逻辑芯片、微处理器以及模拟芯片的市场规模占比分别为 32.49%、16.82% 和 15.64%。

存储芯片，又称半导体存储器，是指利用电能方式存储息的半导体介质设备，其存 储与读取过程体现为电子的存储或释放。

存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的 充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的息是否留存分为易失性 存储芯片RAM（断电后数据丢失）与非易失性存储芯片ROM（断电后数据不丢失）。

易失 性存储芯片常见的有DRAM 和SRAM，通常和 CPU 一起使用，为 CPU 提供运算时中间数 据的存储。非易失性存储芯片包括Flash（闪存）和ROM（只读存储器），其中闪存芯片 又分NAND Flash和NOR Flash 两种。

NAND Flash容量大，主要用于大容量数据存储， NOR Flash容量较小，但可以直接在芯片内执行程序代码（XIP），通常用来存储开机软 件程序。ROM 目前应用最多的主要为 EEPROM，存储容量更小，通常用来存取少量的程 序代码。

DRAM和NAND Flash占据存储芯片九成以上市场。从存储芯片细分产品来看，目前DRAM 和NAND Flash占据了存储芯片95%以上的市场份额。

根据IC Insights数据显示，DRAM销 售额在2020年约占整个存储市场的53%，闪存的比重约达到45%，其中NAND闪存为44%， NOR闪存为1%。

各有所长，三大主流存储产品持续演进

由于存储单元的技术原理和电路结构的实现方式不同，存储产品之间呈现出明显的差 异性
NAND Flash具备存储容量大、写入/擦除速度快等特点。

NAND Flash是通用型非易失性 存储芯片的一种，其存储阵列是由存储单元通过串联方式连接而成，一串闪存单元首尾 相连，“共用”一根bit line。

以“页”为单位进行读写操作，以“块”为单位进行擦 除操作，因此具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点，多应用于大容量数据存储 （通常在1Gb～1Tb），如智能手机、平板电脑、U盘、固态硬盘、服务器等领域。

NAND Flash以类型分类，分为SLC（single level，1bit，2种状态）、MLC（multi level，2 bit，4种状态）、TLC（tipple level，3 bit，8种状态）和QLC（quad level，4 bit， 16种状态）四类，每个单元存储的息依次递增。

因为底层结构不同，产品性能也更不 相同，SLC NAND Flash 由于其结构决定了其拥有高可靠性、高擦除性和高带宽等优势， 同时SLC NAND Flash 也是进入大容量NAND Flash的必经之路，具有不可替代性。

NOR Flash具备随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特性。NOR Flash是 一类通用型的非易失性存储芯片，其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成。

每 个cell都有单独的word line和bit line，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许 系统直接从存储单元中读取代码执行。

NOR Flash 主要用来存储代码及部分数据，具备 随机存储、可靠性强、读取速度快、可执行代码等特性，在中低容量（通常在 1Mb～ 1Gb）应用时具备性能和成本上的优势。

如计算机、消费电子（智能手机、TV、TWS耳机、 穿戴式设备）、安防设备、汽车电子（ADAS、车窗控制、仪表盘）、5G 基站、工业控 制（智能电表、机械控制）及物联网设备等领域。

DRAM具备读写速度快的特点，占据存储芯片最大市场。DRAM是动态随机存取存储器， 市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特 （bit）来实现数据存储。

其只能将数据保持很短的时间，所以为了保持数据必须隔一 段时间刷新（refresh）一次。DRAM系列主要包括DDR产品和低功耗的LPDDR产品，目前 国际先进的产品已达到 DDR5/LPDDR5。

DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件 的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理，主要应用于手机、计算机和服务器。

DRAM市场份额较高主要系下游应用领域广泛，手机、计算机和服务 器等涉及数据里的 电子设备中均需配备DRAM，如智能手机中配置8G bit DRAM和128G bit NAND Flash，市 场需求较高。

未来存储芯片将继续围绕先进制程、提高容量和降低功耗等方向发展。NAND Flash方 面，中小容量产品工艺水平已经达到1x nm，未来有望进一步微缩制程。

同时将在降低 成本和功耗、提升数据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。NOR Flash产品整 体表现出功耗指标下降的趋势，低功耗已经成为存储器芯片产品的重要竞争力体现。

DRAM方面，未来产品会继续向提升产品制程、提高产品性能的方向发展。此外，新型存 储的应用路径将持续探索，未来有望成为行业发展方向之一。

发展新契机，新兴行业崛起加速产业发展

随着汽车电子、5G通讯、物联网、可穿戴等新兴领域的崛起，存储芯片在整个产业链 中扮演的角色将更加重要。

2015-2018年，全球存储器芯片市场规模从780亿美元增长至 1,633亿美元，年均复合增长率达27.93%，2019年受整个集成电路行业规模下滑影响， 全球存储器芯片市场规模降至1,104亿美元。

随着下游应用领域的复苏及芯片涨价因素 影响，IC Insights预测，2021-2023年全球存储芯片的市场规模将分别达到1,552亿美 元、1,804亿美元及2,196亿美元，增幅分别达到 22.5%、16.2%和21.7%。

在国内市场， 随着中国在电子制造领域水平的不断提升，国内存储芯片产品的需求量逐步攀升，根据 世界半导体贸易统计协会数据，预计2023年国内存储芯片市场规模将达6,492亿元，但 自给率仅15.70%，未来发展空间广阔。

以ADAS为主的智能汽车领域存储芯片需求强劲。随着汽车电动化与智能化，电动汽车 和智能驾驶发展迅猛，相应的辅助驾驶系统ADAS、电池管理系统等被广泛应用，汽车中 配置的电子零组件占比越来越高。

根据IHS统计，2016年全球汽车电子的市场规模为 1,160亿美元，预计2022年将达到1,602亿美元，年均复合增速为5.51%。其中ADAS板块 2016年市场规模为70.88亿美元，2022年预计将达到214.47亿美元。

ADAS系统包含行车记录、智能导航、全景影像、车道偏移警示等功能，叠加配套器件如行车记录仪等带动 的需求，其市场规模的快速增长将带动车用存储器市场规模提升。

根据Gartner的数据 显示，2019年全球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB，由于智能汽车领域的快速发 展，预计至2024年，全球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB，2019-2024年 复合增速达79.8%。

5G通讯、物联网、可穿戴、AMOLED及TDDI等应用领域推动中小容量存储芯片发展。5G 通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点。

以5G宏基站为 例，其部署环境复杂恶劣且需要全天候工作，中小容量SLC NAND在性能稳定性上具有明 显的优势。物联网设备的特点是具备网络连接功能与简单的计算能力。

一般的物联网设 备对存储空间要求较低，一般在几兆（Mb）至几百兆之间，NOR Flash凭借其随机存储、 可靠性强、读取速度快及芯片内执行等特性，被认为是物联网设备代码闪存应用的首选。

此外，消费电子方面，TWS蓝牙耳机和AMOLED、TDDI等手机屏幕相关的产品需求成为了 NOR Flash市场增长的主要驱动力。

由于TWS耳机中主控蓝牙芯片内存有限，为了存储更 多固件和代码程序，需外扩一颗小体积、低功耗的NOR Flash。

同时随着很多厂家加入 空中下载功能（OTA），NOR Flash的容量需求逐渐从原先的8Mb或者16Mb，提升至32Mb、 64Mb甚至128Mb。

此外，手机中AMOLED屏幕及TDDI均需外挂NOR Flash进行代码存储以对 其进行参数调整或性能优化，未来在TWS蓝牙耳机需求爆发增长，手机屏幕分辨率、色 彩度等性能迅速提升等因素的驱动下，NOR Flash的市场需求相应持续增长。

根据Gartner数据统计，2019年全球SLC NAND市场规模达到16.71亿美元，预计在原有刚 性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域的影响下，SLC NAND市场将继续保持增长 态势。

2024年市场规模达到23.24亿美元，2019年至2024年SLC NAND全球市场份额预计 复合增长率将达到6%。

NOR Flash方面，随着应用场景的不断扩展，如物联网、可穿戴 设备和工业控制等新兴应用的出现，根据CINNO Research的数据，预期其在2022年的市 场规模会增长到37亿美元。

DRAM市场方面，根据IC Insights数据，2020年全球DRAM预计实现销售额652.15亿美元， 2016-2020年市场年均复合增长率为12.4%。

未来随着汽车电子、服务器等下游领域的快 速发展，DRAM市场规模有望持续提升，根据前瞻产业研究院数据，预计到2026年全球 DRAM市场规模有望达到1219亿美元左右。

头部效应显著，中小容量细分市场带来机遇

目前全球储存芯片市场被海外企业垄断。根据前瞻产业研究院数据，2020年，全球 DRAM市场中三星、SK海力士、美光市场份额分别达到42.71%、29.27%、22.52%；

NAND Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英 特尔六大原厂组成的稳定市场格局；全球NOR Flash领域海外垄断程度最低，华邦、旺 宏、兆易创新市占率前三，合计占据63%份额。

差异化竞争形成中小容量存储市场机遇，国产替代持续推进。存储芯片市场规模巨大， 但整个市场呈现分化现象，三星电子、海力士、美光科技、铠侠等企业提供全面的存储 产品。

近年来专注研发大容量、高性能存储芯片，不断推进先进存储技术并凭借技术优 势获取较高市场份额。行业其他企业由于各家处于的发展阶段不同。

在以领先企业为目 标进行技术赶超的同时，结合自身技术特点和市场需求，专注于成熟产品的细分市场并 实现填补和替代效应，与行业领先企业形成差异化竞争，迎来了新的发展机遇。

目前中 小容量存储芯片供应商主要为中国台湾和大陆厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新 等企业，其中华邦电子和旺宏电子占据了较高的市场份额，未来随着国产化需求的不断 提高，大陆企业有望迎来良好的发展契机。

东芯半导体本土中小容量存储芯片领导者，受益于利基型市场爆发 ，存储东方之芯，产品覆盖三大主流存储芯片

东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，是本土拥有自主知识产权的专 注于中小容量存储芯片研发设计公司。公司聚焦于中小容量NAND、NOR闪存芯片、DRAM 内存以及MCP的设计、生产和销售。

是中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash 及DRAM产品并在中小容量闪存芯片市场与全球同行业知名公司直接竞争并突破海外技术 垄断的公司之一。

2015年公司成功研发首款具备自主知识产权的NAND Flash芯片，此后 持续在容量、制程方面进行升级迭代，2016年公司获得上海市高新技术企业认定，2019 年正式变更为东芯半导体股份有限公司，2021年成功登录科创版。

荣誉方面，公司先后 获得“第七届中国电子息博览会创新奖”、“2019年度上海市‘专精特新’中小企 业”、“2020年度中国IC设计成就奖之年度最佳存储器”、“上海市集成电路行业协会 20周年‘行业新芯奖’”等称号。

蒋学明为公司实际控制人，华为、中芯国际、国家大基金参投。根据 Wind 最新 数据，东方恒为公司控股股东，共计持有公司 43.18%的股份，蒋学明通过东方 恒、东芯科创间接控制发行人 49.96%的表决权成为公司实际控制人。

其他持有 公司 5%以上股份的主要股东为聚源聚芯、齐亮、东芯科创（员工持股平台）、中 金锋泰、董玮及董玮控制的鹏晨源拓，其中聚源聚芯股东包括中芯国际以及国家 集成电路产业基金。

此外，公司股东中包括华为公司旗下哈勃科技，持有公司 4.00%的股份。Fidelix 为公司控股子公司，于 2015 年并购整合并合并报表。

截至目前，公司拥 有一家分公司和三家全资子公司，分别为东芯深圳分公司、东芯香港、东芯南京和 Nemostech 。此外，公司拥有一家控股子公司 Fidelix。

1990 年成立，于 1997 年在韩国 KOSDAQ 上市，是韩国具备一定知名度的存储芯片公司，主要从事 DRAM 和 MCP 产品开展研发和销售，同时从事 Nand Flash 和 NOR Flash 的研发。

2015 年，公司通过受让股份并增资的方式成为 Fidelix 控股股东及实际控制人，收购 整合后双方定位清晰，公司主要负责闪存芯片 SLC NAND Flash、NOR Flash 的研 发，Fidelix 则继续从事 DRAM 及 MCP 的研发和升级。

成功打造以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品体系。公司立足中国、 面向全球，深耕全球最大的存储芯片应用市场。

凭借自主清晰的知识产权、 成熟 完善的研发体系及持续创新的研发设计能力，经过多年的经验积累和技术升级，已构建了包括 NAND、NOR、DRAM 及 MCP 等存储芯片在内的丰富产品线。

具体来说， 公司所售产品主要为 NAND 产品中的 SLC NAND，NOR 系列产品主要为消费级的 NOR， DRAM 产品主要为针对利基型市场的中小容量 DRAM，包括 DDR3 和 LPDDR1/2。

MCP 系列产品主要系将 NAND 或者 NOR 与 DRAM 合封在同一个封装内的存储芯片，目前 公司产品被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。

主营业务快速发展，营收规模持续稳定增长。顺应行业发展趋势，公司凭借关键 核心技术和高性价比产品，实现了营业收入的持续高速增长。

2018-2020 年公司 营业收入分别为 5.1 亿元、5.14 亿元和 7.84 亿元，年均复合增长率达到 24.01%， 实现归母净利润分别为-0.22 亿元、-0.64 亿元和 0.2 亿元。

其中 2018-2019 年亏 损的原因主要系公司产品价格随行业周期性波动整体呈下行趋势，同时公司尚未 具备规模优势且研发投入较大。

2020 年受益于 NAND 系列产品价格企稳，公司部 分产品经过前期市场培育和大客户开拓开始放量，公司成功实现扭亏为盈，2021 年延续高增长态势。

截至 2021 年 Q3，公司实现营业收入 7.85 亿元，同比增长 32.75%，实现归母净利润 1.68 亿元，同比增长 923.57%。

此外，公司于 2015 年 收购并合并报表的子公司 Fidelix 销售规模保持稳定，盈利情况逐步改善，2021 年上半年实现营收 1.89 亿元，实现归母净利润 152.57 万元。

公司 2021 年毛利率大幅提升，期间费用把控能力进一步加强。2018-2020 年公司 毛利率分别为 22.24%、14.91%和 22.04%，其中 2019 年毛利率出现大幅下滑的原 因主要系受市场供需关系影响，NAND 产品价格出现较大幅度的下降但晶圆采购价 格降幅较小。

2021 年前三季度公司毛利率大幅提升，达到 38.59%，创下历史新高， 净利率达到 23.29%，同样实现大幅提升，公司盈利能力持续提升。

期间费用方面， 公司把控能力得到大幅提升，期间费用率由 2017 年的 26.88%下降至 2021 年前三 季度的 6.11%，2021 年前三季度公司销售、管理和财务费用率分别为 2.25%、 4.79%和-0.93%，相较于 2020 年分别减少 0.35pct、1.01pct 和 4.84pct，公司费 用把控能力得到进一步加强。

NAND Flash 占据半壁江山，公司产品结构逐步趋于稳定。公司产品营收结构中， NAND 芯片占据主要份额，2021 年上半年占比达到 51.32%。

整体来看，近两年公 司产品结构逐步趋于稳定，2021 年上半年其余三种产品 NOR、DRAM 和 MCP 占比分 别为 18.80%、6.88%和 20.84%。

各类产品毛利率方面，NAND 芯片毛利率在 2019 年出现大幅下滑，主要系产品市场价格出现了较大幅度的下降，此后在 2020 年市 场略有回暖。

同时大容量高毛利率产品占比大幅提升带动 NAND 毛利率提升，而后 2021 年上半年市场需求旺盛，平均价格上升使得 NAND 产品毛利提升至 43.81%。

NOR 芯片毛利率呈现先降后升的趋势，主要原因为产品价格先呈下行趋势，而后 2021 年上半年因市场需求增加产品价格上升提升毛利率至 33.82%。

DRAM 芯片方 面，公司产品品类齐全，品类结构的各年度变动带动毛利率略有波动，2020 年及 2021 年上半年毛利率大幅上升主要系产品结构进一步优化，保留高附加值产品 。

此外，MCP 产品毛利率整体呈先降后升趋势，其中 2019 年公司逐步调整 MCP 产品 产线，销售规模持续下降，同时受 NAND 产品价格下跌、产品成本较高影响，导致 毛利率大幅下降。2020 年后，市场略有回暖，MCP 产品毛利率上升。

NAND 系列大容量产品占比提升，产品单价逐步提升。公司 NAND 系列主要包括 1Gb 的小容量和 2Gb 及以上的大容量产品，自 2020 年开始，公司大容量产品占比 提升，2021 年上半年占比达到 54.83%。

销量方面，2018 年-2020 年公司 NAND 系 列销量持续上升，由 3,239.65 万颗增加至 8,554.45 万颗，2021 年上半年共计销 售 3129.17 颗。

单价方面，呈现先降后升的趋势，2018 年-2021 年上半年系列均 价分别为 5.47 元/颗、3.74 元/颗、4.66 元/颗和 7.63 元/颗，其变动主要系 NAND 产品销售、收入结构变动及行业整体价格波动所致。

2019 年 NAND 系列产品 出现行业周期性波动，市场价格出现了较大幅度的下降，同时下游终端应用产品 通讯设备的主控搭配需求由 PPI NAND 转变为低容量低价格的 SPI NAND 导致 NAND 平均单价下降。

2020 年度公司 NAND 平均单价提升主要系 NAND 系列中大容量结 构进一步提高，同时市场回暖，产品价格整体上升所致。2021 年 1-6 月公司 NAND 平均单价增至 7.63 元/颗主要系市场需求增加，NAND 系列产品整体价格上 升所致。

NOR 系列128Mb 及以上容量产品占主导地位，产品单价整体保持稳定。公司 NOR 系列主要包括 128Mb 以下容量和 128Mb 及以上容量两类产品，其中 128Mb 及以上 容量产品占据主导地位，2021 年上半年占比达到 64.28%。

销量方面，公司 NOR 系 列的销量由 2018 年度的 4,688.05 万颗增长至 2020 年度的 9,438.63 万颗，增长 主要源于下游新兴应用领域尤其是可穿戴设备的需求持续扩大，公司适时推出针 对性的产品应用于传音控股、麦博韦尔等优质终端客户。

单价方面，NOR 系列产 品价格整体保持相对稳定，2018-2020 年均价分别为 2.07 元/颗、2.01 元/颗和 1.93 元/颗，2021 年 1-6 月受益于市场需求增加影响整体上升至 2.18 元/颗。

DRAM 系列终端应用需求变化驱动产品细分结构变动，销量下滑单价趋稳。公司 DRAM 系列主要包括 LPDRAM、SDRAM、PSRAM 和 DDR3 四类。

销量方面，受产品下游 终端应用需求变化等原因，公司逐步调整 LPDRAM、DDR3 产品线，同时不断推进研 发 LPDDR4 等产品，但由于新产品推出需要一定周期，因此整体销售略有下降。

单 价方面，2019 年度销售单价较低主要系占当年度 DRAM 销售额 27.77%的 8Mb 的 PSRAM 平均单价较低拉低当年度平均单价，其他各年度销售价格基本稳定，2018 年-2021 年上半年系列均价分别为 6.02 元/颗、3.82 元/颗、5.59 元/颗和 5.70 元/颗。

MCP 产品产品结构调整致销售下滑，产品单价稳定。受下游市场处于更新迭代 影响，公司调整产品结构，MCP 系列产品收入下降。

单价方面，公司 MCP 产品的 销售均价相对稳定，与产品特点、客户粘性等密切相关。一方面，公司 MCP 产品 容量分布较多，不同细分容量产品价格总体较为平稳。

个别产品如 2G2G、1G1G 因客户需求变化价格较其他细分产品变动相对较大，但因收入占比相对较低，总 体影响较小。

另一方面 MCP 产品具有客户粘性较强特点，在下游终端客户自身产 品结构相对稳定情况下，因更换 MCP 产品成本较高，其通常会选择相对稳定的供 应商，产品价格也相对稳定。

自主知识产权，差异化竞争聚焦中小容量市场

持续高研发投入叠加底蕴深厚人才团队助力提升公司盈利能力及市场竞争力。公 司持续加大研发投入，创新能力和技术优势不断增强。

2018-2020 年公司研发投 入分别达到 0.5 亿元、0.48 亿元和 0.48 亿元，占营业收入比例分别为为 9.84%、 9.44%和 6.06%，2021 年前三季度公司研发投入达到 0.47 亿元，研发投入占比为 6.04%。

与此同时，公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断 的研发和创新，拥有多项发明专利且自主完整、权属清晰，截至目前共计拥有覆 盖主流存储芯片的境内外发明专利 82 项，集成电路专业布图设计所有权 34 项 。

此外，公司建立了经验丰富、底蕴深厚的设计团队，截至 2021 年 6 月 30 日，公 司研发人员占总员工比例达到 42.61%，其中 63 人拥有超过 10 年以上行业知名公 司的工作经历，多数曾在行业头部企业供职，具备丰富的研发经验和前瞻的战略 眼光。

公司核心技术均来源于自主研发。核心技术是公司核心竞争力的载体，经过多年 的技术积累和研发投入，公司在 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片的设计核心环节都 拥有了自主研发能力与核心技术。

截至当前，公司的核心技术包括 6 项 NAND Flash 相关技术、2 项 NOR Flash 相关技术以及 1 项 DRAM 相关技术。专注中小容量存储芯片，工艺制程国内领先。

凭借强大的研发能力，公司得以不 断推陈出新，及时迭代提升产品关键性能，其在销产品已实现涵盖市场主流的中 小容量存储芯片。

公司 NAND Flash 产品存储容量覆盖 1Gb 至 8Gb，可满足消费级、 工业级客户在不同应用领域及应用场景的需求，公司的 NOR Flash 存储容量覆盖 2Mb 至 256Mb。

可满足快速启动代码程序需求的多种应用场景，具有传输速度快、 可靠性高等特点并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等 领域。

公司 DRAM 产品目前主要为 DDR 和 LPDDR，其中 DDR 产品具有高带宽、低延 时等特点，可应用于通讯设备、移动终端等领域，LPDDR 系列包括 LPDDR1 和 LPDDR2，适合于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。

工艺制程方面， 公司的 NAND Flash 已具备 2xnm 制程的量产能力，并拥有向 1xnm 制程进一步迈进 的经验积累和技术储备，NOR Flash 可实现 48nm 制程量产，二者均为我国领先的 闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。

完备供应链体系与中芯国际建立战略合作关系

Fabless经营模式，打造稳定可靠供应链体系。公司作为Fabless设计公司，与国内外 多家知名晶圆代工厂、封测厂建立互助、互利、互的合作关系。

积累了丰富的供应链 管理经验，有效保证了供应链运转效率和产品质量，打造了具有“本土深度、全球广度” 的供应链体系。

晶圆制造环节，公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立战略合 作关系，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的交流 与合作。

在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上已展开连续多年的深度技术合 作，研发了多种闪存芯片的标准工艺，提高了晶圆的产品良率和生产效率。

继共同开发 大陆第一条 NAND Flash 工艺产线后。目前已将 NAND Flash 工艺制程推进至 24nm。同时，公司与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立了多年的紧密合作。

在其多条存储 芯片先进制程的生产线上实现了产品的稳定量产，进一步扩充了产品种类，提升了公司 市场竞争力；

封装测试环节，公司已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon 等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。

广泛平台认证，期待销售逐步放量

公司产品获广泛平台认证，客户资源丰富优质期待逐步放量。公司与多家主控芯片平 台厂商构建了生态合作，通过产品在平台厂商验证的方式，不仅提升公司存储产品性能 和质量在行业内的认可程度，还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。

目前，公 司产品不仅在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技 等多家知名平台厂商获得认证，同时已进入三星电子、海康威视、大华股份、歌尔股份、 传音控股、中兴通讯、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系。

根据公司招股说明书披 露，2021-2022年，公司在通讯设备、可穿戴设备等领域的大客户完成前期导入，未来 产品销售有望进一步放量，从而提升公司的持续盈利能力。

布局1xnm和车规级等高阶产品发展潜力巨大

公司募集资金投资均用于主营业务，有利于公司对现有产品进行技术升级，提升产品性 能、丰富产品结构、增强公司的核心竞争力和提高市场份额。

募集金额共计7.5亿元， 计划投资的项目包括1xnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目和补充流动资金。

1xnm 闪存产品研发及产业化项目

推进产品制程升级，加速实现国产替代。目前国际NAND Flash的先进制程已经达到 1xnm,公司作为存储芯片设计公司，将坚持不断创新，推进公司产品制程进一步升级， 降低成本，增强产品市场竞争力。

公司拟在现有的存储芯片设计能力的基础上，与中芯 国际合作开发生产1xnm NAND Flash芯片，实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突 破，从而为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间，提供先进工艺制程的保 障。

车规级闪存产品研发及产业化项目

受益于汽车智能网联持续渗透影响，未来存储IC将成为汽车半导体市场中增长最快的细分领域之一，根据搜狐汽车研究室数据，2019年全球汽车存储IC市场规模为36亿美元， 预计到2025年将增长至83亿美元，2019-2025年CAGR为14.94%。

顺应智能汽车发展战略，打造高附加值车规级产品。车规级存储芯片在工艺技术、使 用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高，因此该类存储 芯片具有高附加值、高技术门槛等特点。

公司将顺应汽车产业在智能网联功能的布局， 大力发展在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片 要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的产业化目标。

研发中心建设项目

积极布局行业前沿产品，由通用型向特色型延伸。公司研发存算一体化芯片、DTR NAND 等前瞻性产品，旨在加强技术研发，确保公司整体技术的先进性，对行业前沿技 术进行探索。

拓展公司产品系列由通用型芯片向特色性能产品延伸。未来随着公司产品 结构优化，高技术产品有望带来更高单价从而提升公司整体盈利中枢，实现量价齐升， 确立未来的竞争优势。

关键假设

公司是少数同时具备NAND,NOR,DRAM三大存储芯片设计能力的公司，随着各个产品 细分领域的需求稳步增长，公司业绩也将步入发展快车道。

随着下游应用场景的升级，SLC NAND呈现出更多的需求，例如智慧安防在前端设备 就需要进行一定数据量的运算，因而在终端设备会加一颗NAND芯片，又例如可穿戴设备 如智能手表等随着功能的增多，传统的NOR方案不够用，需要增加NAND来补充。

叠加现 在可穿戴，智慧安防，物联网，智能汽车等细分领域发展迅速，并且公司是SLC NAND本 土领导者，有望充分受益于国产替代。

我们预计公司未来NAND系列产品未来两年分别有 望实现约30%，35%的增速，MCP系列产品未来两年将保持约35%的增速。

随着TWS耳机等市场经历高速增长期后进入平稳发展期，我们预计NOR系列产品未来 两年有望实现约15%，20%的增速。

公司DRAM主要应用于利基型市场，智能音箱、智能监控等智能家居产品以及车载智 能化带来的智能座舱，车内显示等赛道快速增长给利基型市场需求带来快速成长。

叠加 公司LPDDR4产品也即将量产，产品结构显著升级，DRAM系列产品将迎来高速成长，预计 未来两年有望实现约90%，65%的增速。

目前部分晶圆代工2022年年底产能都已被订购，因此芯片制造端偏紧的局面有望延 续到2022年底，行业整体依旧会保持供给偏紧的局面。另外考虑到东芯产品更多的在利 基型市场，产品价格波动较小，所以我们假设未来两年公司产品价格变化不大。