【芯事记】从主流晶圆厂Q2招中标数据，看国产设备厂商的突破

集微网消息，近年来，受芯片供应短缺以及通讯、汽车电子等产业强劲需求的推动，国内晶圆厂纷纷选择扩产，导致设备需求量攀升，国内设备厂商有望迎来更多机遇。

据集微咨询（JW Insights）统计，中国大陆共有23座12英寸晶圆厂正在投入生产，总计月产能约为104.2万片，与总规划月产能156.5万片相比，这些晶圆厂的产能装载率仅达到66.58%，有较大扩产空间。

在产能扩产方面，上海积塔半导体、华虹半导体等企业纷纷加入其中。据澎湃新闻5月5日报道，日前，上海积塔半导体明确将在上海临港新片区投资二期项目，新增固定资产投资预计超260亿。华虹半导体于5月12日发布公告称，拟募资180亿元，其中约70%（125亿元）投资于华虹制造无锡项目；约11%（20亿元）用于8英寸晶圆厂房优化升级项目；约13%（25亿元）用于工艺技术创新研发项目；约6%（10亿元）用于补充营运资金。

随着上海积塔半导体、华虹半导体等企业产线加速建设，带动了对半导体设备的极大需求。集微网根据招标平台数据整理统计，上海积塔半导体、华虹半导体等企业需求贡献主要增量。今年二季度，上海积塔半导体、华虹半导体、燕东微电子、杭州积海半导体等企业合计招标1930台设备。

从设备类型来看，刻蚀、薄膜沉积等核心设备需求较大。其中，光刻设备4台，刻蚀设备49台，薄膜沉积74台，工艺检测80台，离子注入21台，CMP20台，热处理36台，清洗设备79台，涂胶显影14台。

从国内招标企业来看，今年二季度，上海积塔半导体共招标714台设备，刻蚀设备、薄膜沉积、清洗设备是其重点采购对象；华虹半导体共招标108台设备，刻蚀设备、热处理采购数量较多；燕东微电子共招标89台；其他企业合计招标1019台。

从国内中标的设备厂商来看，集微网根据招标平台数据整理统计，今年二季度，北方华创、中微半导体、芯源微、Tokyo Electron（东京电子）、ASML等企业合计中标643台设备，其中，国产设备厂商合计中标387台设备。

北方华创共中标80台设备，中微半导体共中标22台设备，芯源微共中标24台，屹唐半导体共中标12台，拓荆科技共中标11台，中科飞测共中标7台，上海微电子共中标6台，华海清科共中标8台；从国外设备厂商来看，ASML共中标7台设备，泛林半导体共中标16台设备，KLA共中标18台设备，应用材料共中标21台设备，东京电子共中标87台设备。

设备国产替代正当其时，从主要环节来看，国产光刻、刻蚀、薄膜沉积等多点开花，都有不同层面的突破。

在光刻环节，ASML中标5台光刻机，占据行业主导地位；上海微电子中标1台步进式光刻机。据了解，上海微电子SSX600系列步进扫描投影光刻机可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。此外，今年2月，上海微电子成功交付首台2.5D\3D先进封装光刻机，这对国内集成电路行业有着很大的意义。

在刻蚀环节，北方华创和中微半导体合计中标38台刻蚀设备，超过泛林半导体与东京电子的总和19台。北方华创中标16台刻蚀设备，分别为上海积塔13台、株洲中车时代1台、北京大学1台、上海新微半导体1台。北方华创ICP（电感耦合等离子体）刻蚀技术优势明显，其自主研发的14纳米等离子硅刻蚀机已成功进入主流项目产线。

中微半导体中标22台刻蚀设备，分别为华虹半导体13台、上海积塔8台、株洲中车时代1台。中微半导体CCP（容性耦合等离子体）刻蚀技术精良，已覆盖65纳米至5纳米，在5纳米以下也进展顺利，其2021年总共生产交付了298腔CCP刻蚀设备，产量同比增长40%。

在薄膜沉积环节，拓荆科技中标11台薄膜沉积设备，略低于泛林半导体与应用材料的总和15台。拓荆科技主要产品系列为等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备，广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

目前，国内晶圆厂正进入加速建设期，国产设备厂商渗透率虽有所不足，但已开始奋起直追，光刻、刻蚀、薄膜沉积、涂胶显影等多环节突破，北方华创、中微半导体、拓荆科技等设备厂商订单激增，进步明显。（校对/若冰）