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金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,昆山龙腾光电股份有限公司取得一项名为“TFT阵列基板及其制作方法“,授权公告号CN113725158B,申请日期为2021年8月。
专利摘要显示,本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,该TFT阵列基板包括衬底基板;形成在所述衬底基板上的氧化物导电层,所述氧化物导电层包括遮光区和像素电极,所述遮光区由所述氧化物导电层通过不透明化处理形成;形成在所述衬底基板上且覆盖所述遮光区和所述像素电极的缓冲层;形成在所述缓冲层上的有源层,所述有源层对应位于所述遮光区上方;形成在所述缓冲层和所述有源层上的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层上的第一金属层,所述第一金属层包括栅极和扫描线,所述栅极对应位于所述有源层上方,所述栅极和所述扫描线相连。
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期货概念今日大幅上涨4.41%,浙商证券、方正证券等多股涨停
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龙腾光电取得TFT阵列基板及其制作方法专利,该专利技术能实现高效制作TFT阵列基板
金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,昆山龙腾光电股份有限公司取得一项名为“TFT阵列基板及其制作方法“,授权公告号CN113725158B,申请日期为2021年8月。
专利摘要显示,本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法,该TFT阵列基板包括衬底基板;形成在所述衬底基板上的氧化物导电层,所述氧化物导电层包括遮光区和像素电极,所述遮光区由所述氧化物导电层通过不透明化处理形成;形成在所述衬底基板上且覆盖所述遮光区和所述像素电极的缓冲层;形成在所述缓冲层上的有源层,所述有源层对应位于所述遮光区上方;形成在所述缓冲层和所述有源层上的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层上的第一金属层,所述第一金属层包括栅极和扫描线,所述栅极对应位于所述有源层上方,所述栅极和所述扫描线相连。
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