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长光华芯获得发明专利授权“一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法”

作者：水心所欲
2024-05-29 02:39:59
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证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法”，专利申请号为CN202410116414.4，授权日为2024年5月28日。

专利摘要本发明提供一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法，半导体发光测试结构包括位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧的发光体；发光体包括自下至上依次排布的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；发光体具有前腔面和后腔面，所述前腔面为平面，后腔面与前腔面在慢轴方向两侧的侧边连接，后腔面背离前腔面凸出；后腔面与下限制层的交线呈圆弧或者椭圆弧；或者，后腔面包括依次连接的第一平面腔壁至第N平面腔壁，N为大于或等于2的整数，第一平面腔壁与前腔面在慢轴方向一侧的侧边连接，第N平面腔壁与前腔面在慢轴方向另一侧的侧边连接。提高了测试电致发光光谱的准确度。

今年以来长光华芯新获得专利授权8个，较去年同期减少了33.33%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.19亿元，同比增0.64%。

数据来源企查查

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