长光华芯Q3产能预计会释放出来2-3倍，市场策略也可能会更加激进

集微网消息，近日，长光华芯在接受机构调研时表示，公司新厂搬迁已经完成85%，部分设备已经调试完。目前老厂和新厂在共同生产。预计7月末新厂全部搬迁完成，科研大楼会在今年8月份投入使用。新厂搬迁完城后，将全面进入新厂工艺线导入，Q3产能预计会释放出来2-3倍，市场策略也可能会更加激进。

长光华芯称，泵浦源业务，产能转线时长在3个月左右，客户使用验证在3个月；芯片业务，产地和设备均发生了更换，需要做全新的开发和验证，半导体的核心在制造（良率、产能、可靠性），芯片的产能爬坡周期较长，高功率激光芯片目前公司的很多验证已接近尾声，八月份左右能全部验证完，目前部分头部企业的样品已在新老厂出货（周期长的产品已在老厂出货，能够快速在新厂验证出货的产品已在新厂出货）。

据悉，制约长光华芯的良率来源于钝化镀膜。与此相关的核心设备需要自制。我们掌握了高功率激光芯片的制造，公司主要有四大核心技术，外延生长技术、FAB晶圆工艺、腔面钝化技术、高亮度合束（光学耦合技术），其中腔面钝化技术是核心中的核心，要在200um左右的窗口发射30W的连续激光，功率密度达到几十兆瓦，如果钝化做不好，腔面就会损伤，芯片就会失效，并且芯片是要工作十万小时的。国内其他芯片公司都在几瓦功率左右徘徊，就是因为这个技术攻克不了，这个技术对良率有明显影响。

目前，长光华芯VCSEL方面很多客户已经接受该路线且投入很大资源在做相关方案，公司目前VCSEL项目多到无法覆盖的水平。激光雷达合作厂商主要是禾赛、速腾、图达通等，消费电子客户有量的只有一家客户，3D传感百花齐放，包括智能门锁、扫地机器人都有参与，但是量都不大。其他手机方案商也有合作，比如刷脸支付，但是量同样不大。

关于国产替代方面，长光华芯认为，事实上对公司来说VCSEL难度不及边发射，因为边发射的腔面钝化镀膜会牺牲良率，但是VCSEL是晶圆级制造，和LED制造相似。工艺上公司已经突破，VCSEL和边发射的区别是每家客户都要定制，所以我们目前在合作的十几个项目都不一样，有长方形、圆形、六边形，有十区、五区，有1D、2D，所以单个客户如果量不大，可能毛利率不会很高，考验管理能力。

据悉，国内做VCSEL的有40多家，绝大部分方法是10人租写字楼就开始进行设计，但是生产测试、封装业务外包。我们的优势在于1）我们是IDM，自己设计、自己制作、自己出货。2）我们在激光领域不仅能够提供DFB、1550、封装测试、未来的硅光等。3）半导体激光芯片系列的核心在于制造，我们可以生产制造。4）激光雷达的发展源于客户对安全性的追求，因此供应链的逻辑在激光雷达中行不通。

关于毛利率方面，长光华芯认为，目前还处于超高毛利率水平，因为量没起来，且国外定价较高。未来量起来后成本价格都会降低，但毛利率可能并不会低于单管芯片。

长光华芯指出，砷化镓主要做近红外波段的激光芯片，比如工业光纤激光器的泵浦芯片等，磷化铟中红外激光芯片，比如大部分光通讯芯片产品。 

（校对/李正操）